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[发明专利] 电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器 -CN200680020150.2 有效
发明人:
武藤和夫 ;中村友幸 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
2006-05-24
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公布日:
2008-06-04
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主分类号:
C04B35/46 文献下载
摘要: 本发明提供一种电介质陶瓷,其中,作为主要成分含有以通式:(Ba1-t Cat )m (Ti1-u-x Zru Cux )O3 (其中,0.96≤m≤1.02,0.001≤x≤0.03,0≤t≤0.1,0≤u≤0.06)表示的化合物,且含有Dy等特定的稀土类元素Re、Mn等特定的金属元素M、Mg及Si,所述Cu均匀地分散并存在于构成所述主要成分的主相粒子中,且所述各副成分的含量相对于所述主要成分100摩尔份,分别为Re:0.1~1.5摩尔份、M:0.1~0.6摩尔份、Mg:0.1~1.5摩尔份、Si:0.1~2.0摩尔份。由此,可以实现高介电常数、温度特性良好、可靠性高且静电电容的经时变化小的层叠陶瓷电容器。
电介质 陶瓷 层叠 电容器
[发明专利] 电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器 -CN200580042416.9 有效
发明人:
冈松俊宏 ;平松隆 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
2005-12-06
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公布日:
2007-11-21
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主分类号:
C04B35/468 文献下载
摘要: 本发明提供一种电介质陶瓷,其电容率高,在用于叠层陶瓷电容器(1)时,即使电介质陶瓷层(3)薄层化,绝缘性也高,可靠性优良。用于构成叠层陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)的电介质陶瓷,具有用100(Ba1-w-x-m Caw Srx Gdm )k (Ti1-y-z-n Zry Hfz Mgn )O3+a +pMnO2 +qSiO2 +rCuO表示的组成。其中,0.995≤k≤1.010、0≤w<0.04、0≤x≤0.04、0≤y≤0.10、0≤z≤0.05、0.015≤m≤0.035、0.015≤n≤0.035、0.01≤p≤1.0、0.5≤q≤2.5、及0.01≤r≤5.0。a是相对于3的偏差,以所述主成分成为电中性的方式选择的值。
电介质 陶瓷 电容器
[发明专利] 介电陶瓷和单片陶瓷电容器 -CN200580028204.5 有效
发明人:
武藤和夫 ;中村友幸 ;加藤成 ;佐野晴信 ;笹林武久 ;平松隆
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
2005-06-20
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公布日:
2007-07-25
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主分类号:
C04B35/468 文献下载
摘要: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-y Srx Cay )m (Ti1-z Zrz )O3 +aBaO+bR2 O3 +cMgO+dMnO+eCuO+fV2 O5 +gXu Ov (式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而Xu Ov 是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。
陶瓷 单片 电容器
[发明专利] 介电陶瓷、其生产方法和多层陶瓷电容器 -CN200480000059.5 有效
发明人:
冈松俊宏 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
2004-01-30
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公布日:
2005-11-16
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主分类号:
C04B35/468 文献下载
摘要: 一种用下述步骤得到的介电陶瓷:得到由通式(Ba1-h-i-m Cah Sri Gdm ) k (Ti1-y-j-n Zry Hfj Mgn )O3 表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035;混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等),其中,以100摩尔反应产物计,Ma的含量小于1.5摩尔,Mb的含量小于1.0摩尔,Mc的含量是0.5-2.0摩尔;然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性,能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能,相对介电常数是9000或更大,具有优异的高温可靠性。
陶瓷 生产 方法 多层 电容器
[发明专利] 介电陶瓷组合物和单块陶瓷电容器 -CN00121712.7 有效
发明人:
冈松俊宏 ;中村友幸 ;堀宪治 ;畠宏太郎 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
2000-07-19
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公布日:
2004-09-15
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主分类号:
H01B3/12 文献下载
摘要: 一种介电陶瓷组合物,包括含钛酸钡Bam TiO3 主要组分,RO3/2 、CaO、MgO和SiO2 次要组分的复合氧化物,R是至少一种选自Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素;该复合氧化物满足关系100Bam TiO3 +aRO3/2 +bCaO+cMgO+dSiO2 ,以摩尔计0.990≤m≤1.030,0.5≤a≤6.0,0.10≤b≤5.00,0.010≤c<0.900,0.05≤d<1.50。该介电陶瓷组合物的静电容量与温度关系满足JIS和EIA标准,具有大的CR乘积。含有这种组合物组成的介电陶瓷层的单块陶瓷电容器具有高的可靠性。
陶瓷 组合 电容器
[发明专利] 独石瓷介电容器 -CN98103966.9 有效
发明人:
和田博之 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
1998-01-08
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公布日:
2004-06-23
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主分类号:
H01G4/12 文献下载
摘要: 一种由多个介电陶瓷层、位于介电陶瓷层之间的内部电极和在介电陶瓷层的侧面形成的外部电极(从而,它们连接到交互的内部电极)层叠而成的独石瓷介电容器,其中介电陶瓷层由以下公式所示主要组分的材料所构成:(1-α-β-γ){BaO}m ·TiO2 +αM2 O3 +βRe2 O3 +γ(Mn1-x-y Nix Coy )O(这里,M2 O3 是Sc2 O3 和Y2 O3 中的至少一种;Re2 O3 是Sm2 O3 和Eu2 O3 中的至少一种;0.0025≤α+β≤0.025,0.0005≤β≤0.0075,0.0025≤γ≤0.05,1≤γ/(α+β)≤4,0≤x≤0.3,0≤y≤0.4,0≤x+y≤0.4,以及1.005≤m≤1.035),还包含一定数量的MgO和SiO2 作为次要组分。
独石瓷介 电容器
[发明专利] 介电陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器 -CN99120872.2 有效
发明人:
中村友幸 ;水埜嗣伸 ;佐野晴信
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
1999-09-28
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公布日:
2003-08-20
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主分类号:
C04B35/462 文献下载
摘要: 本发明提供一种介电陶瓷组合物,其烧制温度为1300℃或更低;介电常数为200或更高;在高频高压交流电下损耗低,在高电场强度下具有高的绝缘电阻,其性能满足B级和X7R级性能标准;且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂,可由式ABO3+aR+bM表示,其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体;R代表至少一种金属元素的氧化物;M代表至少另一种金属元素的氧化物;a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比,以及一种烧结添加剂,其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050,0.12<a≤0.30,0.04≤b≤0.30。
陶瓷 组合 电容器
[发明专利] 陶瓷组合物及由其制备的多层陶瓷电容器 -CN97114196.7 有效
发明人:
佐野晴信 ;原田和宏
- 专利权人:
株式会社村田制作所
申请日:
1997-12-05
-
公布日:
2003-06-18
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主分类号:
H01G4/30 文献下载
摘要: 一种由以下组分制成的多层陶瓷电容器:由下列组成式表示的主要组分(100摩尔):(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoy)O其中Re2O3是选自Y2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m、x和y的定义为:0.0025≤α≤0.025,0.0025≤β≤0.05,β/α≤4,0≤x<1.0,0≤y<1.0,0≤x+y<1.0,1.000<m≤1.035,次要组分(0.1-3.0摩尔)氧化镁,Al2O3-MO-B2O3类氧化物玻璃(其中MO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种)(0.2至3.0重量份,相对于100重量份所述主要组分和次要组分总重量)。
陶瓷 组合 制备 多层 电容器