专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器-CN200680020150.2有效
  • 武藤和夫;中村友幸;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2006-05-24 - 2008-06-04 - C04B35/46
  • 本发明提供一种电介质陶瓷,其中,作为主要成分含有以通式:(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZruCux)O3(其中,0.96≤m≤1.02,0.001≤x≤0.03,0≤t≤0.1,0≤u≤0.06)表示的化合物,且含有Dy等特定的稀土类元素Re、Mn等特定的金属元素M、Mg及Si,所述Cu均匀地分散并存在于构成所述主要成分的主相粒子中,且所述各副成分的含量相对于所述主要成分100摩尔份,分别为Re:0.1~1.5摩尔份、M:0.1~0.6摩尔份、Mg:0.1~1.5摩尔份、Si:0.1~2.0摩尔份。由此,可以实现高介电常数、温度特性良好、可靠性高且静电电容的经时变化小的层叠陶瓷电容器。
  • 电介质陶瓷层叠电容器
  • [发明专利]电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器-CN200580042416.9有效
  • 冈松俊宏;平松隆;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2005-12-06 - 2007-11-21 - C04B35/468
  • 本发明提供一种电介质陶瓷,其电容率高,在用于叠层陶瓷电容器(1)时,即使电介质陶瓷层(3)薄层化,绝缘性也高,可靠性优良。用于构成叠层陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)的电介质陶瓷,具有用100(Ba1-w-x-mCawSrxGdm)k(Ti1-y-z-nZryHfzMgn)O3+a+pMnO2+qSiO2+rCuO表示的组成。其中,0.995≤k≤1.010、0≤w<0.04、0≤x≤0.04、0≤y≤0.10、0≤z≤0.05、0.015≤m≤0.035、0.015≤n≤0.035、0.01≤p≤1.0、0.5≤q≤2.5、及0.01≤r≤5.0。a是相对于3的偏差,以所述主成分成为电中性的方式选择的值。
  • 电介质陶瓷电容器
  • [发明专利]电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器-CN200580032693.1有效
  • 加藤成;中村友幸;武藤和夫;笹林武久;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2005-06-28 - 2007-08-29 - C04B35/468
  • 本发明提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中,本发明的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分,所含有的第一~第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1~4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素,第二添加成分是价数比Ti低的规定元素,第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90%以上而言,表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10%以下。Ca的配合摩尔比为0~0.20(优选0.02~0.20),B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001~0.005。由此,即使电介质层薄层化至1~3μm程度,也能够得到具有高介电常数,在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。
  • 电介质陶瓷制备方法以及电容器
  • [发明专利]介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法和单片陶瓷电容器-CN200680000624.7有效
  • 笹林武久;石原雅之;中村友幸;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2006-04-13 - 2007-07-25 - C04B35/468
  • 本发明提供具有不低于5,500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷,并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO3系或(Ba,Ca)TiO3系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成,并且具有由晶粒(21)和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2,并且在介电陶瓷的横截面中,在第一晶粒(21A)的不低于90%的区域中存在稀土元素,其数量为晶粒(21)的55%至85%,并且在第二晶粒(21B)的小于10%的区域中存在稀土元素,其数量为晶粒(21)的15%至45%。
  • 陶瓷制备方法单片电容器
  • [发明专利]介电陶瓷和单片陶瓷电容器-CN200580028204.5有效
  • 武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆 - 株式会社村田制作所
  • 2005-06-20 - 2007-07-25 - C04B35/468
  • 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。
  • 陶瓷单片电容器
  • [发明专利]介电陶瓷组合物和多层电子元件-CN200480036525.5有效
  • 田村浩;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2004-12-10 - 2007-01-03 - C04B35/20
  • 专利文献1的用于高频的介电陶瓷组合物具有1350℃~1400℃之高的焙烧温度,因为过分高的焙烧温度,所以不适合用作多层电容器的材料。专利文献2的多层电容器需要复杂费时的制备方法,由于粘合层和陶瓷层之间的热收缩系数差,所以产生结构缺陷,从而存在多层陶瓷电容器小型化和多层化的困难。本发明的介电陶瓷组合物由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示,其中x、y和a分别满足关系式:1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。
  • 陶瓷组合多层电子元件
  • [发明专利]介电陶瓷、其生产方法和多层陶瓷电容器-CN200480000059.5有效
  • 冈松俊宏;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2004-01-30 - 2005-11-16 - C04B35/468
  • 一种用下述步骤得到的介电陶瓷:得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm) k (Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035;混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等),其中,以100摩尔反应产物计,Ma的含量小于1.5摩尔,Mb的含量小于1.0摩尔,Mc的含量是0.5-2.0摩尔;然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性,能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能,相对介电常数是9000或更大,具有优异的高温可靠性。
  • 陶瓷生产方法多层电容器
  • [发明专利]独石瓷介电容器-CN98103966.9有效
  • 和田博之;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 1998-01-08 - 2004-06-23 - H01G4/12
  • 一种由多个介电陶瓷层、位于介电陶瓷层之间的内部电极和在介电陶瓷层的侧面形成的外部电极(从而,它们连接到交互的内部电极)层叠而成的独石瓷介电容器,其中介电陶瓷层由以下公式所示主要组分的材料所构成:(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O(这里,M2O3是Sc2O3和Y2O3中的至少一种;Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种;0.0025≤α+β≤0.025,0.0005≤β≤0.0075,0.0025≤γ≤0.05,1≤γ/(α+β)≤4,0≤x≤0.3,0≤y≤0.4,0≤x+y≤0.4,以及1.005≤m≤1.035),还包含一定数量的MgO和SiO2作为次要组分。
  • 独石瓷介电容器
  • [发明专利]介电陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器-CN99120872.2有效
  • 中村友幸;水埜嗣伸;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 1999-09-28 - 2003-08-20 - C04B35/462
  • 本发明提供一种介电陶瓷组合物,其烧制温度为1300℃或更低;介电常数为200或更高;在高频高压交流电下损耗低,在高电场强度下具有高的绝缘电阻,其性能满足B级和X7R级性能标准;且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂,可由式ABO3+aR+bM表示,其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体;R代表至少一种金属元素的氧化物;M代表至少另一种金属元素的氧化物;a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比,以及一种烧结添加剂,其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050,0.12<a≤0.30,0.04≤b≤0.30。
  • 陶瓷组合电容器
  • [发明专利]陶瓷组合物及由其制备的多层陶瓷电容器-CN97114196.7有效
  • 佐野晴信;原田和宏 - 株式会社村田制作所
  • 1997-12-05 - 2003-06-18 - H01G4/30
  • 一种由以下组分制成的多层陶瓷电容器:由下列组成式表示的主要组分(100摩尔):(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoy)O其中Re2O3是选自Y2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m、x和y的定义为:0.0025≤α≤0.025,0.0025≤β≤0.05,β/α≤4,0≤x<1.0,0≤y<1.0,0≤x+y<1.0,1.000<m≤1.035,次要组分(0.1-3.0摩尔)氧化镁,Al2O3-MO-B2O3类氧化物玻璃(其中MO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种)(0.2至3.0重量份,相对于100重量份所述主要组分和次要组分总重量)。
  • 陶瓷组合制备多层电容器

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