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- [发明专利]保持器-CN03826251.7有效
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丹羽宽;小野田文幸;佐藤道雄;谷口明
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奥林巴斯株式会社
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2003-08-22
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2006-04-12
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A61B1/00
- 在保持器(20)上设置有:形成了方孔(21a)和卡止槽(21b)的固定部(21);保持槽(22),设置了让探测器(1)的中途部通过的缺口部(22a);保持孔(23),插通配置有探测器(1)的顶端部。保持槽(22)的深度尺寸形成为至少可以重叠配置2次中途部(1b)。缺口部(22a)的宽度尺寸形成为可以防止中途部(1b)脱落。保持孔(23)的上部(23a)设定有间隔(B),以使保持孔(23)的上部(23a)位于保持槽(22)的底部(22c)的下侧。固定部(21)的方孔(21a)为卡入方形突起(31a)的结构。
- 保持
- [发明专利]保持器-CN200410080601.4无效
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丹羽宽;小野田文幸;佐藤道雄;谷口明
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奥林巴斯株式会社
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2003-08-22
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2006-04-05
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A61B1/00
- 在保持器(20)上设置有:形成了方孔(21a)和卡止槽(21b)的固定部(21);保持槽(22),设置了让探测器(1)的中途部通过的缺口部(22a);保持孔(23),插通配置有探测器(1)的顶端部。保持槽(22)的深度尺寸形成为至少可以重叠配置2次中途部(1b)。缺口部(22a)的宽度尺寸形成为可以防止中途部(1b)脱落。保持孔(23)的上部(23a)设定有间隔(B),以使保持孔(23)的上部(23a)位于保持槽(22)的底部(22c)的下侧。固定部(21)的方孔(21a)为卡入方形突起(31a)的结构。
- 保持
- [发明专利]真空成膜装置用部件及使用该部件的真空成膜装置及其觇板装置-CN200510052974.5有效
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佐藤道雄;中村隆;矢部洋一郎
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东芝株式会社
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2000-12-28
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2005-08-10
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C23C14/34
- 一种真空成膜装置用部件,具有部件本体和形成于所述部件本体表面的喷镀膜。喷镀膜具有局部峰顶平均间隔S为50~150μm范围、最大谷深Rv和最大峰高Rp分别为20~70μm范围的表面粗糙度。喷镀膜具有从维氏硬度Hv30以下的Al系喷镀膜、维氏硬度Hv100以下的Cu系喷镀膜、维氏硬度Hv200以下的Ni系喷镀膜、维氏硬度Hv300以下的Ti系喷镀膜、维氏硬度Hv300以下的Mo系喷镀膜和维氏硬度Hv500以下的W系喷镀膜中选择的低硬度覆膜。采用这种真空成膜装置用部件,能在成膜工序中稳定而有效地抑制粘附在部件上的成膜材料的剥离,并能大幅度削减装置清洗及部件交换等的次数。觇板具有同样的喷镀膜。真空成膜装置将上述真空成膜装置用部件适用于被成膜试料保持部、成膜源保持部、防粘附部件等。
- 真空装置部件使用及其
- [发明专利]碳膜覆盖部件-CN02142923.5有效
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佐藤道雄;山野边尚
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株式会社东芝
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2002-08-21
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2003-05-21
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H01L21/00
- 本发明提供了一种低磨耗性、耐磨耗性、耐腐蚀性卓越的在恶劣条件下使用时也很少产生剥离、落尘、劣化,很少给半导体产品带来不良影响,并且耐久性卓越的碳膜覆盖部件。在基材2表面的至少一部分形成了无定形碳4构成的基体中含有金属和/或金属碳化物5的覆盖膜6的碳膜覆盖部件1中,构成上述覆盖膜的金属(M)与碳(C)的原子比(M/C)在0.01~0.7的范围内。
- 覆盖部件
- [发明专利]真空成膜装置用部件及使用该部件的真空成膜装置及其觇板装置-CN00804326.4有效
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佐藤道雄;中村隆;矢部洋一郎
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东芝株式会社
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2000-12-28
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2002-03-20
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C23C14/00
- 一种真空成膜装置用部件,具有部件本体和形成于所述部件本体表面的喷镀膜。喷镀膜具有局部峰顶平均间隔S为50~150μm范围、最大谷深Rv和最大峰高Rp分别为20~70μm范围的表面粗糙度。喷镀膜具有从维氏硬度Hv30以下的Al系喷镀膜、维氏硬度Hv100以下的Cu系喷镀膜、维氏硬度Hv200以下的Ni系喷镀膜、维氏硬度Hv300以下的Ti系喷镀膜、维氏硬度Hv300以下的Mo系喷镀膜和维氏硬度Hv500以下的W系喷镀膜中选择的低硬度覆膜。采用这种真空成膜装置用部件,能在成膜工序中稳定而有效地抑制粘附在部件上的成膜材料的剥离,并能大幅度削减装置清洗及部件交换等的次数。觇板具有同样的喷镀膜。真空成膜装置将上述真空成膜装置用部件适用于被成膜试料保持部、成膜源保持部、防粘附部件等。
- 真空装置部件使用及其
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