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[发明专利]显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法-CN202280017839.9在审
发明人：冈崎健一;中泽安孝;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第一层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一发光层覆盖第一像素电极的侧面，第二发光层覆盖第二像素电极的侧面，第一层位于第一发光层上，从截面看时，第一层的一个端部与第一发光层的端部对齐或大致对齐，第一层的另一个端部位于第一发光层上，第一绝缘层覆盖第一层的顶面以及第一发光层及第二发光层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。
显示装置显示模块电子设备制造方法

[发明专利]显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法-CN202280016065.8在审
发明人：山崎舜平;冈崎健一;中村太纪;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。本发明的显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层以及第一发光层上的公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层以及第二发光层上的公共电极。第一像素电极的端部以及第二像素电极的端部都由第一绝缘层覆盖。第二绝缘层位于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖第一发光层及第二发光层各自的侧面。
显示装置显示模块电子设备制造方法

[发明专利]显示装置-CN202280014889.1在审
发明人：山崎舜平;冈崎健一;中村太纪;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：提供一种显示品质高的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种功耗低的显示装置。提供一种高清晰的显示装置。提供一种对比度高的显示装置。该显示装置包括第一绝缘层上的多个像素，其中，多个像素各自包括沿着第一绝缘层的开口部设置的第一导电层、第一导电层上的第二绝缘层、第一导电层上及第二绝缘层上的EL层以及EL层上的公共电极，第二绝缘层在第一导电层上并与第一导电层接触，且配置在EL层的下方，相邻像素的第一导电层隔着包含无机材料的第三绝缘层和包含有机材料的第四绝缘层分离，第一导电层的侧面和EL层的侧面具有与第三绝缘层接触的区域，并且，第四绝缘层在第三绝缘层上并与第三绝缘层接触，且配置在公共电极的下方。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202280012780.4在审
发明人： 佐藤来;片山雅博;后藤尚人;中泽安孝;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种高清晰显示装置。提供一种高开口率的显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层及公共电极。第一绝缘层覆盖第一像素电极及第二像素电极的端部。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上，并覆盖第一绝缘层的端部。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置，并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂，第二绝缘层包含无机绝缘材料。
显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202180079563.2在审
发明人：神长正美;井口贵弘;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层、第二绝缘层及导电层。栅极绝缘层与半导体层的顶面及侧面接触，栅电极隔着栅极绝缘层具有与半导体层重叠的区域。第一绝缘层包含无机材料且与栅极绝缘层的顶面以及栅电极的顶面及侧面接触。栅极绝缘层及第一绝缘层在与半导体层重叠的区域具有第一开口。第二绝缘层包含有机材料且在第一开口的内侧具有第二开口。此外，第二绝缘层与第一绝缘层的顶面及侧面以及栅极绝缘层的侧面接触。导电层通过第二开口与半导体层电连接。
半导体装置

[发明专利]显示装置的制造方法-CN202180087488.4在审
发明人：中村太纪;青山智哉;中泽安孝;佐藤来;保本清治;荻野清文;白石孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置、电子设备及显示装置的制造方法-CN202180082270.X在审
发明人：中村太纪;佐藤来;小久保竜;安达广树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。提供一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体以及第一、第二EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体，在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。在第二绝缘体中形成到达第一导电体的第一开口部。在第二绝缘体上及第一开口部的底面上形成牺牲层，在牺牲层上涂敷抗蚀剂。对抗蚀剂进行曝光及显影且在重叠于第一导电体的区域形成到达牺牲层的第二开口部。在第二开口部的底面的区域形成第三开口部，在抗蚀剂上、牺牲层上及第一导电体上形成第一EL层。然后，通过去除抗蚀剂及牺牲层，去除抗蚀剂上及牺牲层上的第一EL层。在第一EL层上及第二绝缘体上形成第二EL层，在第二EL层上依次形成第二导电体及第三绝缘体。
显示装置电子设备制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180072568.2在审
发明人： 佐藤来;保坂泰靖;中泽安孝;白石孝;荻野清文;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]发光器件、功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置-CN202080045160.1在审
发明人：山崎舜平;中村太纪;初见亮;佐藤来;江口晋吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的发光器件。另外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。上述发光器件包括绝缘膜、一组结构体、含发光性材料的层、第一电极及第二电极，其中一组结构体包括一个结构体及其他结构体，其他结构体与一个结构体之间具有第一间隔，绝缘膜包括第一面，结构体具有侧壁，侧壁与第一面之间具有第一角度，第一角度大于0度且为90度以下。另外，含发光性材料的层包括第一区域及第二区域，第一区域被夹在第二电极与第一电极之间，第一区域发射光，第二区域被夹在第二电极与侧壁之间，侧壁反射光。此外，第一电极包括第三区域，第三区域被夹在第一区域与第一面之间。
发光器件功能面板显示装置输入输出装置数据处理

[发明专利]功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置-CN202080045261.9在审
发明人：山崎舜平;中村太纪;初见亮;佐藤来;江口晋吾;楠纮慈 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。本发明是一种包括基材及一组像素的功能面板，基材覆盖一组像素并具有透光性。一组像素包括一个像素及另一个像素，一个像素包括发光器件及第一微透镜。发光器件向基材发射光，第一微透镜夹在基材和发光之间，并聚集光。另外，第一微透镜具有第一面及第二面，第二面与第一面相比位于发光器件一侧，第二面具有比第一面小的曲率半径。另一个像素包括光电转换器件及第二微透镜。第二微透镜夹在基材和光电转换之间，并聚集从基材一侧入射的外光。另外，第二微透镜具有第三面及第四面，第三面与第四面相比位于光电转换器件一侧，第四面具有比第三面小的曲率半径。
功能面板显示装置输入输出装置数据处理

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN202080012674.7在审
发明人：初见亮;镰田太介;久保田大介;佐藤来;安达广树;山内谅;渡边一德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：提供一种具有光检测功能的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第二衬底、受光元件、发光元件、树脂层及遮光层。受光元件、发光元件、树脂层及遮光层各自位于第一衬底与第二衬底之间。受光元件包括第一衬底上的第一像素电极、第一像素电极上的活性层及活性层上的公共电极。发光元件包括第一衬底上的第二像素电极、第二像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极。树脂层及遮光层各自位于公共电极与第二衬底之间。树脂层包括与发光元件重叠的部分。遮光层包括位于公共电极与树脂层之间的部分。树脂层包括与受光元件重叠的开口或被设置为岛状。经过第二衬底的光的至少一部分入射到受光元件，而不经过树脂层。
显示装置显示模块电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201980065656.2在审
发明人： 佐藤来;神长正美;土桥正佳;白石孝;斋藤晓;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980014757.7在审
发明人：中泽安孝;冈崎健一;大出贵之;佐藤来 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。
半导体装置及其制造方法

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