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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子设备的控制装置、记录介质、控制方法、电子设备-CN202110308670.X在审
发明人：桑村海光;佐藤慎哉;和田浩志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G10L15/22 文献下载
摘要：声音识别装置的控制装置即电子设备的控制装置包括：声音识别部，进行已输入的声音信息的识别处理，声音识别控制部，将声音信息向服务器发送，并且对于服务器发送将用于进行声音信息的识别处理的声音识别要求，判断在由服务器声音识别结果是否发生识别错误，在识别错误超过规定次数的情况下，声音识别控制部中止发送对于服务器的声音识别要求。
电子设备控制装置记录介质方法

[发明专利]应答装置、应答装置的控制方法、及控制程序-CN201780080883.3在审
发明人： 佐藤慎哉;森下和典;伊神弘康;江角直起 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G06F17/28 文献下载
摘要：根据用户的意图生成应答句子。应答装置(1)具有：关联单词检索部(13)，其在输入句子中含有未知单词时，检索关联单词；所述关联单词是共同单词与未知单词相同的已知单词，应答句子生成部(16)，其生成与所述关联单词检索部(13)检测出的关联单词关联的内容的应答句子。
关联单词单词应答装置应答检索句子控制程序句子生成输入句子关联检测

[发明专利]对话装置、对话装置的控制方法及控制程序-CN201780061614.2在审
发明人：森下和典;佐藤慎哉;伊神弘康;江角直起 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G10L15/22 文献下载
摘要：通过将用户发言以无省略及无错误状态保存，从而将所保存的过去的用户发言有效用于生成对话装置的发言。补充处理部(23)在输入至对话装置(1)的用户发言中存在省略语句的情况下，将该用户发言补充，发言保存部(25)将用户发言以没有省略语句的状态，保存在用于生成对话装置(1)的发言的发言数据库(50)中。
对话装置发言省略保存语句控制程序错误状态过去的补充数据库

[发明专利]应答装置及应答装置的控制方法、控制程序-CN201780035585.2在审
发明人： 佐藤慎哉;森下和典;伊神弘康;江角直起 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G10L15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种应答装置及应答装置的控制方法、控制程序。即使在未发现适合的会话情景的情况下，也能够基于输入内容所包含的词语生成应答消息。应答装置(1)具备：存储部(13)，其存储有第一词语与第一关联词语及第二词语与第二关联词语的关联；以及应答消息生成部(26)，其在所述第一词语或所述第二词语包含于输入内容中的情况下，生成将所述第一词语与所述第二关联词语相互建立关联的内容的所述应答消息。
应答装置词语关联词语应答消息控制程序输入内容建立关联存储部会话存储关联情景发现

[发明专利]机器人、机器人的动作方法以及程序-CN201780027602.8在审
发明人：中村珠幾;栗本裕介;毛利贵之;佐藤慎哉;佐藤义雄 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B25J13/00 文献下载
摘要：机器人(1)中，第一通用动作(30A)以基准姿态(32)开始并以基准姿态(32)结束，第二通用动作(30B)以基准姿态(32)开始并以基准姿态(32)结束，控制部(10)通过将用于第一通用动作(30A)的第一通用运动数据、与用于第二通用动作(30B)的第二通用运动数据组合并连续再生，而控制连续动作(30)。
基准姿态通用机器人运动数据连续动作连续再生

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610090999.2在审
发明人：佐久间智教;佐藤慎哉;横山升;岛田视宏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体装置的制造方法具有形成第1开口的步骤；离子注入第2导电型的杂质的步骤；及形成第2导电型的第3半导体层的步骤。在形成所述第1开口的步骤中，在设置在第1导电型的第1半导体层之上的第1导电型的第2半导体层形成第1开口，该第1开口沿第2方向延伸，且在第3方向上，上部的尺寸比下部的尺寸长。在所述离子注入的步骤中，对所述第1开口的所述下部的侧面离子注入第2导电型的杂质。在形成所述第3半导体层的步骤中，在所述第1开口的内部形成所述第3半导体层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510553512.5无效
发明人： 佐藤慎哉;佐久间智教;横山升;松田志津江 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高成品率的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的多个第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、栅极电极及栅极绝缘层。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域在与第1方向交叉的第2方向上设置有多个。第2半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域与第2半导体区域在第2方向上交替地设置。至少一个第2半导体区域具有空隙。构成空隙的面中的至少一个面的面方位为(100)。栅极绝缘层设置于第3半导体区域与栅极电极之间。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410028187.6在审
发明人： 佐藤慎哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第一侧面和第一底部，在内部具有第一空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第一侧面朝着第一空洞部降低；以及第二导电类型的第三半导体层，以使第一半导体层位于第三半导体层与第二半导体层之间的方式设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第二侧面和第二底部，在内部具有第二空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第二侧面朝着第二空洞部降低。
半导体器件

[发明专利]体积全息图转印箔-CN201180045434.8有效
发明人：塚田大;卫藤浩司;老川伸子;阿座上实;宫地贵树;佐藤慎哉 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G03H1/18 文献下载
摘要：本发明的主要目的在于，提供为了利用热压将体积全息图层转印于被粘体来制作体积全息图层叠体而使用的、具有良好的箔切割性的体积全息图转印箔。通过提供如下的体积全息图转印箔，从而解决上述课题。即，所述体积全息图转印箔的特征在于，具有基材、形成在上述基材上的保护层、形成在上述保护层上并记录有体积全息图的体积全息图层、以及形成在上述体积全息图层上的热封层，其中，上述保护层含有包含电离射线固化性树脂的硬涂层成分、提高上述保护层的断裂伸长率的断裂伸长率控制成分、以及具有与上述硬涂层成分和上述断裂伸长率控制成分不同的热膨胀系数且与上述两个成分不相容的箔切割性控制成分。
体积全息图转印箔

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