专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980090999.4在审
  • 今北健一;小野一修;北田亨;佐藤圭祐;五味淳;横原宏行;曽根浩 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-09-20 - 2021-09-07 - C23C14/34
  • 成膜装置具备:处理容器;基板保持部,其在处理容器内保持基板;靶电极,其配置于基板保持部的上方,用于保持由金属构成的靶,并向靶提供来自电源的电力;氧化气体导入机构,其向基板供给氧化气体;以及气体供给部,其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜,通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时,气体供给部向靶配置空间供给非活性气体,使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。
  • 装置方法
  • [发明专利]高分子压电膜-CN201580059650.6有效
  • 佐藤圭祐;谷本一洋;太田浩二;尾崎胜敏;大西克己 - 三井化学株式会社
  • 2015-10-16 - 2020-06-30 - H01L41/193
  • 高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A),对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为3.5~15.0,利用在线膜厚计测得的表示膜的宽度方向的位置与膜的厚度的关系的波形中,每1000mm膜宽的下述峰A的个数为20个以下。峰A:峰高为1.5μm以上,并且,峰斜率为0.000035以上。
  • 高分子压电
  • [发明专利]高分子压电膜及其制造方法-CN201680009057.5有效
  • 佐藤圭祐;大西克己;津嶋敬章;谷本一洋;北河敏久 - 三井化学株式会社
  • 2016-01-28 - 2019-11-29 - H01L41/193
  • 本发明提供一种高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A),对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为3.5~15.0,将与相位差条纹平行的方向作为方向X,将与上述方向X正交、且与膜的主面平行的方向作为方向Y,利用评价方法A对上述相位差条纹进行评价时,上述方向Y的每1000mm长度中,评价值为60以上的相位差条纹为0个,评价值为20以上的相位差条纹的评价值的总和为1000以下。
  • 高分子压电及其制造方法
  • [发明专利]高分子压电膜-CN201580053137.6在审
  • 尾崎胜敏;谷本一洋;佐藤圭祐;天野正己 - 三井化学株式会社
  • 2015-10-20 - 2017-08-18 - H01L41/193
  • 高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子,对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,并且,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度的乘积为40~700,将膜面内的慢轴方向上的折射率设定为nx、将膜面内的快轴方向上的折射率设定为ny、将膜的厚度方向上的折射率设定为nz、并设定Nz系数=(nx‑nz)/(nx‑ny)时,Nz系数在1.108~1.140的范围内。
  • 高分子压电

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