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- [发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN202110747897.4在审
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2021-07-02
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2022-01-07
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G01L9/04
- 本发明的目的在于提供能够高精度地对微小的压力进行检测的半导体压力传感器及其制造方法。本发明涉及的半导体压力传感器具有：第1硅基板(1)；第1氧化硅膜(2)，其设置于第1硅基板(1)之上，与第1硅基板(1)一起构成密闭空间(3)；第2硅基板(4)，其设置于第1氧化硅膜(2)之上；应变电阻(11)，其设置于第2硅基板(4)的与设置有第1氧化硅膜(2)的面相对的面的表层，且位于俯视观察时与密闭空间(3)重叠的位置；第1电极(7)，其与应变电阻(11)的一端电连接；以及第2电极(7)，其与应变电阻的另一端电连接。
- 半导体压力传感器及其制造方法
- [发明专利]半导体压力传感器-CN201710403836.X有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2017-06-01
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2019-12-27
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G01L9/00
- 提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。
- 半导体压力传感器
- [发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN201610162031.6有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2016-03-21
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2019-03-01
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H01L29/84
- 关于半导体压力传感器(10)，固定电极(23b)是作为与第1电极(23a)相同的层而形成的。空隙(51)是通过去除由与第2电极(30c)相同的膜构成的部分、即牺牲膜(30d)而形成的。可动电极(39)包含对牺牲膜(30d)至少局部地开设了开口的锚固部分，该锚固部分将可动电极(39)隔着空隙(51)相对于固定电极(23b)进行支撑。锚固部分中的第1锚固部(101)配置为，通过将可动电极(39)在俯视观察时划分为多个可动电极单体(102)，由此，划分出的多个可动电极单体(102)中的彼此相邻的1对可动电极单体(102)共用同一第1锚固部。
- 半导体压力传感器及其制造方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510009432.3有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2015-01-08
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2017-12-05
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H01L21/8238
- 本发明得到一种能够容易地制造的半导体装置的制造方法。在半导体衬底(11)上同时形成第1阱区域(14)和作为固定电极的第2阱区域(12)。在第1以及第2阱区域上同时分别形成第1栅极绝缘膜(22a)和固定电极保护膜(22b)。在第1栅极绝缘膜(22a)和固定电极保护膜(22b)上同时分别形成浮动栅极电极(23)和牺牲膜(23b)。在浮动栅极电极(23)和牺牲膜(23b)上同时分别形成第2栅极绝缘膜(25a、27a)和可动电极保护膜(25b、27b)。在第2栅极绝缘膜(25a、27a)和可动电极保护膜(25b、27b)上同时分别形成栅极电极(30c)和可动电极(30d)。将牺牲膜(23b)去除而形成空隙(50)，并将空隙(50)真空封装而形成真空室(51)。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN201110274113.7有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2011-09-05
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2012-07-11
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G01L1/22
- 本发明的目的在于提供能抑制半导体压力传感器的小型化所伴随的性能偏差的技术。一种半导体压力传感器的制造方法，在牺牲层(16)上形成层叠构造，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜(6)，形成于应成为其下方的真空室的空间(13)侧的多晶硅应变计电阻(4b)，内包它们并具有与牺牲层(16)相接的蚀刻液导入孔(15)的绝缘膜群(3、5、7)。而且，使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔(15)并蚀刻牺牲层(16)，从而将层叠构造形成为在真空室上起作用的隔膜体(11)，并且通过蚀刻硅基板(1)中的第1绝缘膜(2)的第1开口(2a)下的表面，形成应成为真空室的空间(13)以及配置于该空间(13)中并向隔膜体(11)的中央附近突出的隔膜制动器(12)。
- 半导体压力传感器及其制造方法
- [发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN201010589550.3有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2010-12-13
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2011-07-13
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G01L1/22
- 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。硅衬底(10)具有贯通孔(12)。在硅衬底(10)上形成有多晶硅膜(20)。多晶硅膜(20)在贯通孔(12)的上方具有膜片(24)。在多晶硅膜(20)上形成有绝缘膜(22)。具有压电电阻效应的多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)形成在绝缘膜(22)上。多晶硅布线(W1、W2、W3、W4)将多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)连接成电桥状。多晶硅应变计电阻(R1、R2)配置在膜片(24)的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且结构以及朝向相同。
- 半导体压力传感器及其制造方法
- [发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN200910222215.7有效
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佐藤公敏
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三菱电机株式会社
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2009-11-09
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2010-09-01
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G01L1/22
- 半导体压力传感器(100)包括：硅衬底(1)；具有形成于硅衬底(1)上的第一隔膜(25)及第一应变计电阻(7)的有源应变计电阻形成部(101)；以及具有形成于衬底(1)上的第二隔膜(26)及第二应变计电阻(7)的用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)。有源应变计电阻形成部(101)的第一隔膜(25)及用于温度补偿的伪应变计电阻形成部(102)的第二隔膜(26)用共同的多晶硅膜(5)形成。为了与衬底(1)连接，多晶硅膜(5)具有向衬底(1)侧延伸的桩部(21)。第一及第二隔膜(25、26)具有互相相同或对称的结构，且第一及第二应变计电阻(7)具有互相相同或对称的结构。从而能够得到可高精度地进行温度补偿的半导体压力传感器(100)及其制造方法。
- 半导体压力传感器及其制造方法
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