专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200310123217.3有效
  • 伊藤昌树;片山雅也;古山孝昭;河端正蔵 - 富士通株式会社
  • 2003-12-19 - 2004-07-07 - H01L29/788
  • 该半导体器件包括形成在一个半导体基片(10)中的第一导电型的第一阱(14);形成在第一阱(14)中的第二导电型的第二阱(16);以及一个晶体管(40),其中包括由形成在第二阱(16)中的第一导电型的杂质区所形成的控制栅极(18)、隔着一个沟道区(25)形成的第一杂质扩散层(26)和第二杂质扩散层(33)、以及隔着一个栅绝缘膜(24)形成在该沟道区(25)和该控制栅极(18)之上的浮置栅极(20)。该控制栅极(18)被埋在该半导体基片(10)中,这不必在浮置栅极(20)上形成控制栅极(18)。因此,可以通过相同的制造工艺形成该存储器晶体管和其他晶体管。因此,可以减少制造工艺以及该半导体器件可以变得廉价。
  • 半导体器件及其制造方法

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