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[发明专利]成像设备和信息处理系统-CN202011464687.6有效
发明人：光永知生;若林准人;奥村健市;人见康宣;矶大辅;增野智经;伊泽慎一郎;出羽恭子;原田耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明涉及成像设备和信息处理系统。其中，所述成像设备可包括：图像传感器，包含多个像素，所述多个像素用于生成第一像素数据；像素控制部，用于控制所述图像传感器；特征检测部，用于从所述第一像素数据检测特征并且将特征检测的结果输出到所述像素控制部，其中，所述像素控制部基于所述特征检测的所述结果将第一采样函数应用到所述多个像素的第一区域并且将第二采样函数应用到所述多个像素的第二区域，其中，所述图像传感器基于所述第一采样函数和所述第二采样函数的应用生成第二像素数据；以及区域切出部，用于基于所述特征检测的所述结果切出所述第二像素数据中检测到所述特征的区域，并且输出所述第二像素数据的所述区域。
成像设备信息处理系统

[发明专利]事件信号检测传感器和控制方法-CN202080011686.8在审
发明人： 伊泽慎一郎;本田元就 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H04N5/351 文献下载
摘要：本发明涉及一种事件信号检测传感器和一种控制方法，被配置为能够减小等待时间并抑制对物体的忽视。多个像素电路检测作为通过执行光电转换并生成电信号的像素的电信号的变化的事件，并输出指示发生事件的事件数据。检测概率设置单元：根据图案识别的识别结果，针对一个或多个像素电路形成的每个区域单元计算检测事件的每单位时间的检测概率；并且根据检测概率控制像素电路以便输出事件数据。本发明可以应用于事件信号检测传感器，检测作为像素的电信号的变化的事件。
事件信号检测传感器控制方法

[发明专利]摄像设备和信息处理系统-CN201680040151.7有效
发明人：光永知生;若林准人;奥村健市;人见康宣;矶大辅;增野智经;伊泽慎一郎;出羽恭子;原田耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H04N5/345 文献下载
摘要：本发明涉及成像设备和信息处理系统，它们能够减小经由网络传输的视频等的数据量并抑制成像设备的电力消耗。作为本公开的第一方面的成像设备包含：图像传感器，包含许多像素垂直地且水平地布置的成像表面；像素控制单元，控制所述图像传感器，针对通过将所述图像传感器的所述成像表面分隔为多个块而获取的每一块，通过应用采样函数而选择构成块的像素中对应于所述采样函数的像素，并基于所述所选择的像素的像素值而输出采样信号；以及缩减图像产生单元，基于从所述图像传感器输出的每一块的所述采样信号而产生缩减图像。
摄像设备信息处理系统

[发明专利]固态图像拾取元件和电子设备-CN201480035386.8有效
发明人：吉村匡平;正垣敦;吉原郁夫;铃木亮司;町田贵志;伊泽慎一郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本公开涉及一种固态图像拾取元件和电子设备，所述固态图像拾取元件能够生成高精度的具有大的动态范围的图像拾取信号。其中，像素包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素。控制栅控制所述低感度像素中的光电转换元件的电位。本公开例如可以适用于包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素并控制所述低感度像素中的光电转换元件的电位的CMOS图像传感器。
固态图像拾取元件电子设备

[发明专利]成像装置和电子设备-CN201610639444.9有效
发明人：柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种成像装置和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的成像装置。此外，提供了使用所述成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
成像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备-CN201510701319.1有效
发明人：柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
固态成像装置电子设备绝缘膜基板元件隔离部沟部光电转换部固定电荷光学混色特性改善光入射内壁面包覆埋入制造

[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备-CN201610628567.2在审
发明人：柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
固态成像装置制造方法电子设备

[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备-CN201280009331.0有效
发明人：柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
固态成像装置制造方法电子设备

[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法、图像拾取装置和电子装置-CN201010139907.8无效
发明人：中田征志;伊泽慎一郎;山下和芳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法、图像拾取装置和电子装置。固态图像拾取装置包括像素部分，所述像素部分由沿半导体基底的行和列方向排列的单元像素限定。每个单元像素包括：形成在半导体基底上并将入射光线转换为信号电荷的光电转换器、形成在光电转换器上方并将入射光线引导到光电转换器的波导，以及形成在波导上方并且将入射光线引导到波导的光线入射侧一端的微透镜。波导具有从光线入射侧一端到光线出射侧一端具有恒定的横截面的柱形主体，并且设置为使得从波导的光线入射侧一端上的微透镜入射的入射光线的射线中心与波导的中心轴对齐。
固态图像拾取装置及其制造方法电子

[发明专利]固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置-CN200910161720.5有效
发明人：松本拓治;山口哲司;田谷圭司;西村丰;糸长总一郎;森裕之;久保典弘;古闲史彦;伊泽慎一郎;大木进 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
固体摄像器件制造方法以及装置

[发明专利]固体摄像元件-CN200710136830.7无效
发明人： 伊泽慎一郎 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：在横型溢出沟槽结构的CCD固体摄像元件中应用AGP驱动时，产生电荷从溢出沟槽区域(14)漏出到第二沟道区域(8)而使信息电荷叠加有噪声的问题。因而，本发明具有：以相互平行方式设置的多个第一沟道区域(4)；在相邻的第一沟道区域(4)之间所设置的溢出沟槽区域(14)；在第一沟道区域(4)和溢出沟槽区域(14)之间所设置的多个分离区域(12)；和在多个第一沟道区域上、在与第一沟道区域(4)交叉的方向以相互平行方式所设置的多个第一传送电极(10)，设置有位于第一沟道区域(4)和规定的第一传送电极(10)交叉的区域附近且比第一沟道区域(4)浓度高的第二沟道区域(8)，与第二沟道区域(8)相邻的溢出沟槽区域(14)具有朝向第二沟道区域(8)的突出部(18)。
固体摄像元件

[发明专利]固体摄像元件-CN200710096771.5无效
发明人：大鹤雄三;逸见一隆;伊泽慎一郎;黑田晃弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：CCD图像传感器的水平CCD移位寄存器中，在将水平方向的多个像素的信息电荷相加的动作或高速的水平传输动作中，沿水平方向位于相邻位置并与不同颜色对应的信息电荷混合而发生混色。一种固体摄像元件，将形成构成水平CCD移位寄存器的各传输段的存储区域和势垒区域中沟道电位浅的势垒区域用的杂质的浓度，按照在与垂直CCD移位寄存器的输出端连接的传输段所构成的主体部、和连接主体部与输出部之间且宽度向输出部依次变窄而形成的虚拟部来个别地确定，并分别设定势垒电位。在主体部中将势垒电位设定得高，来抑制相加动作时信息电荷向相邻阱溢出。在传输长度设定得长的虚拟部，抑制势垒电位，增大边缘电场，确保高速水平传输时的传输效率。
固体摄像元件

[发明专利]固体摄像元件的驱动装置以及驱动方法-CN200610108095.4无效
发明人：黑田晃弘;伊泽慎一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：本发明提供一种使所摄像的图像信号的转送速度以及再现性提高的固体摄像元件的驱动装置以及驱动方法。对于将多个用于存储信息电荷的位并列的固体摄像元件，在信息电荷的转送时，将与存储作为转送对象的信息电荷的位对应的转送电极设为截止状态，同时将与相邻于那些位的在转送方向后侧的位中的至少一个对应的转送电极设为比导通状态低的电位，从而解决上述问题。由此来使从固体摄像元件输出的图像的画质(颜色再现性)提高。
固体摄像元件驱动装置以及方法

[发明专利]固体摄像装置-CN200510104189.X无效
发明人：小田真弘;伊泽慎一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提供一种在抑制暗电流和耗电增大的同时，可抑制电子传送效率降低的固体摄像装置。该固体摄像装置具备电荷存储区域，其包含：距半导体基板的主表面具有第1深度的第1导电型第1杂质区域；具有比第1深度还大的第2深度的同时，还具有比第1杂质区域的杂质浓度还低的杂质浓度的第1导电型的第2杂质区域；和具有比第1深度还大、且比第2深度还小的第3深度的第1导电型的第3杂质区域。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像元件-CN200510091737.X有效
发明人：大乡尚彦;伊泽慎一郎;逸见一隆 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像元件，在由具有遮光性的布线层而在垂直CCD移位寄存器的沟道止点(24)上形成的时钟布线(28)中设置在沟道(22)上延伸的突起部(32)。通过将该突起部(32)配置到沟道(22)中的受光像素的边界，从而可抑制在该边界产生的非遮光部分。突起部(32)以从沟道(22)两侧的时钟布线(28)开始交替突出的方式配置。
固体摄像元件

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