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[发明专利]一种二维超薄硅氧化合物及其制备方法-CN202210519041.6有效
发明人：洪艺伦;郑益;任品云;周亚亭;郑倩颖;连跃彬 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维超薄硅氧化合物及其制备方法，本发明二维超薄硅氧化合物，属于非晶态的二维非层状材料，结构均一，具有优异的环境、化学、热稳定性和力学性能，为其在电子器件、光电子器件、表面增强拉曼材料、高强度薄膜、高透光薄膜等领域的研究和应用奠定基础；本发明方法采用双金属层基底，在沉积过程中首先升温至铜的熔点温度以上，使上层铜熔化并均匀平整的铺展在下层过渡金属M上，并且铜与过渡金属M不会发生合金化，为后续二维超薄硅氧化合物的均匀生长奠定了基础；在常压下进行，具有操作方便、易于调控和易于大面积制备等特点，可以获得不同厚度的二维超薄硅氧化合物或大面积薄膜，薄膜尺寸取决于生长过程中所使用的基底尺寸。
一种二维超薄氧化及其制备方法

[发明专利]一种钌/二氧化钼电解水制氢电极材料的制备方法-CN202211651932.3在审
发明人： 任品云;王睿;滕子皓;王天煜;杨玉洁 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C25B11/093 文献下载
摘要：本发明公开一种钌/二氧化钼电解水制氢电极材料的制备方法，包括将三氯化钌加入去离子水中进行搅拌，得到第一混合溶液；将五氯化钼与第一混合溶液进行搅拌混合得到第二混合溶液；将聚乙烯吡咯烷酮与第二混合溶液进行搅拌混合得到第三混合溶液；将第三混合溶液置于反应釜内，并将反应釜进行恒温处理后进行自然冷却，得到反应物；去除反应物中未反应的有机物和无机离子，将清洗后的反应物进行烘干，得到黑色粉末；将黑色粉末进行退火还原处理得到钌/二氧化钼复合材料。本发明由原材料RuCl3·xH2O和MoCl5制得的电极具有最优异的电解水制氢性能；且制备工艺简单、步骤少、耗时短、成本低、成分均匀、形貌可控等。
一种氧化钼电解水电极材料制备方法

[发明专利]一种简单结构实现完美涡旋光束的超表面设计方法-CN202111542153.5在审
发明人： 任品云;凌建珂;张闯;任思丹;朱文杰;刘再斌;秦瀚祥 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及完美涡旋光束的超表面的设计方法，具体为一种简单结构实现完美涡旋光束的超表面设计方法；采用一层电介质材料和一层石英玻璃构成超表面，其中，电介质材料是由若干个形状相同但旋转角度不同的椭圆柱单元结构构成的，椭圆柱单元结构按照正方形周期排列而成；仅由一层形状相同、旋转角度不同的椭圆柱单元结构组成，结构简单，便于加工；完全不受圆偏振光或椭圆偏振光入射的限制，线偏振光入射即可得到环行尺寸不随拓扑电荷变化而变化的完美涡旋光束。
一种简单结构实现完美涡旋光束表面设计方法

[发明专利]一种纯六方相片状三氧化钼纳米吸附剂及其制备方法和应用-CN202110313342.9在审
发明人： 任品云;任先培;王永华;黄刘 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明涉及吸附材料制备与应用技术领域，尤其是一种纯六方相片状三氧化钼纳米吸附剂及其制备方法和应用，该六方相片状三氧化钼纳米吸附剂为三氧化钼三种结构中的亚稳相结构，化学式为h‑MoO3，不易制备。该吸附剂能高效吸附亚甲基蓝和罗丹明B有机染料，制备方法为：1)称取钼酸粉末；2)量取去离子水；3)将步骤1)所得粉末置于步骤2)的溶液中充分搅拌；4)搅拌过程中取正十二硫醇置于步骤3)混合溶液中继续搅拌均匀；5)将步骤4)中混合充分的溶液置于反应釜中放置于烘箱中反应；6)取出步骤5)中反应物用酒精及酒精和去离子混合溶液反复清洗离心并烘干即得到纯六方相三氧化钼纳米吸附剂。
一种纯六方相片氧化钼纳米吸附剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于CVD法合成的单根纳米线热导率的测量方法-CN201410119104.4有效
发明人：潘安练;任品云;朱小莉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法；属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T₁温度下沉积得到的纳米线，将所取纳米线一端固定在碳导电胶上，另一端悬空，悬空部分长度为8-12微米；然后，用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部，然后增加聚焦激光束的净输出功率，至悬空端的端部熔融时，停止加热，同时，记录此时聚焦激光束的净输出功率p_∞，然后通过扫描电镜精确测得悬空部分L的长度和直径D；再将所的数据换算成纳米线吸收的激光功率（P_abs），再根据一维方向上的傅里叶热传导方程：计算得出单根纳米线热导率K。本发明无需搭建电极，具有操作简单，成本较低等优势。
一种基于 cvd 合成纳米线热导率测量方法

[发明专利]一种InAs_xP_1-x合金纳米线及其制备方法-CN201410039958.1有效
发明人：潘安练;任品云;朱小莉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B22F9/16 文献下载
摘要：本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAs_xP_1-x合金纳米线。其化学式为InAs_xP_1-x，其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAs_xP_1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAs_xP_1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。
一种 inas sub 合金纳米及其制备方法