专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阿贝折射仪标准块及其定值方法-CN202010193907.X在审
  • 潘忠泉;杨欣欣;周赛;孙文慧;刘霞;胡国星;拓锐;龚维;任万杰;刘新;李昕 - 山东非金属材料研究所
  • 2020-03-18 - 2020-06-12 - G01N21/41
  • 本发明为一种阿贝折射仪标准块及其定值方法,本发明属于测试技术领域。其阿贝折射仪标准块,由折射率介于1.3~1.7的光学玻璃材料制成,标准块呈柱形,它包括至少三个垂直于同一平面的平面柱面,其第一平面柱面(1)和第二平面柱面(2)之间的夹角θ为89°59′~90°1′,第三平面柱面与第二平面柱面(3)的夹角β为22.5°~67.5°,上述三个平面柱面为抛光面。本发明可分别用最小偏向角法、自准直法及V棱镜折射仪对标准块定值,解决了长方体结构阿贝折射仪标准块只能用V棱镜折射仪定值的现状;测量偏差由3E‑5分别提高至5.1E‑06与1.5E‑05;并可避免频繁更换折射液的繁琐过程,定值时间缩短3倍以上。
  • 折射标准及其方法
  • [发明专利]传感器阵列芯片及其制备方法和应用-CN201810323441.3有效
  • 任万杰;李风煜;胡笑添;宋延林 - 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
  • 2018-04-12 - 2020-05-22 - G01N21/64
  • 本发明涉及微纳米器件与复杂底物分析检测技术领域,公开了传感器阵列芯片及其制备方法和应用。传感器阵列芯片包含基底,以及在基底表面形成的多组重复排列的阵列单元,每个所述阵列单元包含多个相互不同的识别单元,每个所述识别单元包含光子晶体形成的信号处理层,以及在信号处理层表面形成的识别层,所述识别层含有氧化石墨烯和荧光指示剂;每个所述阵列单元中不同的识别单元之间,各识别单元所含有的光子晶体的光子禁带位置不同,且各识别单元所含有的荧光指示剂不同;在每个识别单元中,所述光子晶体的光子禁带位置的波长与所述荧光指示剂的荧光峰的波长相匹配。本发明传感器芯片能够实现多底物的高效分析辨别,检测准确性和重现性高。
  • 传感器阵列芯片及其制备方法应用

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