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[发明专利]一种背板、显示面板、显示装置及其制备方法-CN202110815642.7有效
发明人：倪柳松;赵策;崔容豪;王明;胡迎宾;仵康康;王庆贺 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种背板、显示面板、显示装置及其制备方法。该背板的制备方法包括：制备出背板主体；在所述背板主体的其中一部分有源层上从下至上依次图案形成栅绝缘层和栅极层；在另一部分所述有源层上图案化形成平坦层，以使所述平坦层与所述栅极层相平齐；在所述栅极层以及所述平坦层外侧图案化形成层间介质层；在所述层间介质层上形成与所述有源层相连通的过孔；在所述层间介质层以及栅绝缘层上图案化形成用于连接所述过孔的源漏金属层；综上所述，采用本申请的设计可以保证在远离基板的一侧图案化形成层间介质层后，该层间介质层的各处膜层厚度均相等，也就是说各处受力均相等，从而有效避免出现裂痕的情况。
一种背板显示面板显示装置及其制备方法

[发明专利]显示基板及其制作方法、显示面板-CN202111005610.7有效
发明人：胡迎宾;赵策;倪柳松;王明;仵康康;张海风;张冬冬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K50/856 文献下载
摘要：公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于避免显示面板出现的暗点不良的现象。该显示基板包括衬底和多个子像素。多个子像素位于衬底的一侧；一个子像素包括：像素驱动电路、应力释放层和反射电极。应力释放层位于像素驱动电路远离衬底的一侧，应力释放层远离衬底的一侧表面上具有凹陷结构。反射电极位于应力释放层远离衬底的一侧，且与像素驱动电路连接；反射电极包括反射金属层，反射金属层覆盖凹陷结构的至少部分。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，能够提升显示面板的显示效果。
显示及其制作方法面板

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202110696573.2有效
发明人：王明;仵康康;倪柳松;赵策 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K50/805 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列；覆盖所述薄膜晶体管阵列的有机材料层；制作于所述有机材料层上的第一电极；所述第一电极采用氧化铟锡材料制成，且所述第一电极包括层叠的第一电极子层和第二电极子层。本发明所述显示面板，所制成的第一电极包括层叠的第一电极子层和第二电极子层，第一电极子层和第二电极子层依次制作于有机材料层上，利用靠近有机材料层的第一电极子层起到缓冲有机材料层在高温过程中的应力，保证应力释放不会影响第二电极子层，以避免出现裂纹，影响显示效果。
显示面板及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备-CN202110120488.1有效
发明人：胡迎宾;赵策;王明;丁远奎;王庆贺;仵康康;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板、显示设备。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区中至少部分区域的宽度，大于第一导体化区中与沟道区接触的子导体化区的宽度、且大于第二导体化区与沟道区接触的子导体化区的宽度，使得沟道区的宽度增大，从而在沟道区长度保持一定的情况下，能够增大沟道区的面积，能够提高薄膜晶体管中电子迁移率，进而能够提高薄膜晶体管中开态电流，能够保障薄膜晶体管的工作性能。
薄膜晶体管制备方法阵列显示面板设备

[发明专利]一种核电用Zr-Si-O非晶防护涂层的制备方法-CN202010218178.9在审
发明人：曹国钦;胡俊华;邵国胜;仵康康 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种核电用Zr‑Si‑O非晶防护涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）靶材选取，选用Zr‑4、纯Si靶材作为溅射靶材，单晶硅片作为镀膜基底；（2）涂层制备：将Zr‑4靶材接到与直流电源相连的靶位，将Si靶材接到与射频电源相连的靶位上，首先在镀膜基底上沉积Zr‑4层，Zr‑4层的厚度为800nm，之后采用反应共溅射的方法沉积Zr‑Si‑O薄膜。本发明涂层制备使用高真空单室三靶磁控溅射系统，涂层成分均匀、结构致密、膜基结合力好。此外，本发明制备的Zr‑Si‑O非晶涂层具有优异的抗氧化性及良好的耐腐蚀性能，可应用于反应堆元件的包壳材料及其他燃料组件结构部件，提高使用寿命。
一种核电 zr si 防护涂层制备方法