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[发明专利]一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法-CN202111524463.4有效
发明人：张福生;胡国杰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚;陈秀芳;彭燕;仲光磊;张家鑫 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂解成超高纯碳化硅单晶质颗粒粉料，然后进行氢钝化处理，用于制备准本征半绝缘碳化硅单晶材料。通过本发明方法，能够获得高质量半绝缘电学性能稳定的准本征碳化硅单晶体。本发明制备的准本征半绝缘碳化硅单晶可以更好地应用在5G通讯、相控阵雷达、毫米波探测等领域，使得器件的尺寸更小、功率密度更高。
一种绝缘碳化硅制备方法

[发明专利]一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用-CN202310162514.6在审
发明人：谢雪健;仲光磊;陈秀芳;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行Al‑N共掺。进一步的，在SiC粉料区中放置AlN材料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比的Al原子和N原子，进而实现N源与Al源同步释放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置Al4C3、Al2O3、Al等作为二类掺杂源，来提供额外的Al元素来实现n[Al]:n[N]在1.2～3.0的范围内，保证生长的晶体是单一晶型的p型SiC。得到p型SiC单晶具有Al掺杂浓度不低于7×1019cm‑3、电阻率不高于0.200Ω·cm、摇摆曲线半峰宽不超过60弧秒中的一个或多个特征，可应用于智能电网、光伏发电、大功率电力电子器件等领域。
一种掺杂 sic 及其生长方法应用

[发明专利]一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法-CN202310026577.9在审
发明人：谢雪健;仲光磊;徐现刚;陈秀芳;王得胜;胡小波;孙丽 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法。包括上坩埚、下坩埚和连接杆，连接杆为中空结构，连接杆的一端与上坩埚的下端开口连通，连接杆的另一端与下坩埚的上端开口连通，上坩埚内下部设置内埚，内埚开口向上，内埚侧壁高度小于上坩埚侧壁高度，内埚内的空间为SiC粉料放置区，内埚上方的上坩埚内的空间为SiC单晶生长区，内埚与上坩埚之间形成缝隙，上坩埚下端开口通过所述缝隙与SiC单晶生长区连通，上坩埚的上盖设置为能够使保护气从上坩埚的上盖进入至上坩埚内。本发明能够有效降低掺杂源的温度，使掺杂源缓慢释放，提高了掺杂源释放的均匀性，有效解决了掺杂源集中释放导致晶体晶型不稳、质量劣化的问题。
一种 sic 生长坩埚方法

[发明专利]一种用于医院财务管理的多支付方对账方法、系统及介质-CN202210717139.2在审
发明人：高强;徐起伟;李寒滨;仲光磊;李宗盛 -专利权人：浪潮金融信息技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06Q20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于医院财务管理的多支付方对账方法、系统及介质，所述方法包括以下步骤：获取医院账单记录和支付方账单记录，对医院账单记录和支付方账单记录进行分类处理，得到待处理账单；获取目标校对支付方信息，基于目标校对支付方信息和待处理账单执行收账校对操作，得到收账结果；基于目标校对支付方信息和待处理账单执行退账校对操作，得到退账结果；创建对账界面，基于收账结果、退账结果和对账界面生成对账报告；本发明能够对不同的账单进行有序分类处理，针对医院的关联支付方进行针对性的规范化对账，保证对账的两方数据是相互对应的，且可视化生成对账结果，提高了对账效率，降低了对账复杂度，提升了对账的有序性和规范化。
一种用于医院财务管理付方方法系统介质

[发明专利]一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法-CN202210221527.1在审
发明人：陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提高掺杂元素在晶锭轴向和径向上掺入的均匀性，得到p型SiC，减缓生长过程掺杂元素的掺入不均匀性，提高晶体质量。
一种掺杂均匀 sic 生长方法

[发明专利]低电阻率P型4H-SiC单晶及制备方法-CN202011548190.2在审
发明人：陈秀芳;仲光磊;谢雪健;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种低电阻率P型4H‑SiC单晶及制备方法，采用碳化硅生长仿真软件，对物理气相传输法生长晶体的过程模拟，获取将不可监测的坩埚内各点温度、物质输运流线、剩料形状及结晶度等，根据SiC单晶的生长过程中在各预设时间节点的物质传输路径及SiC粉料状态图、坩埚内的温场图，获得模型中的温场、热扩散、物质传输和表面动力学。然后，将模拟的结果进行分析，选择的生长温度和生长压力、Al源释放器在坩埚中的放置位置，并利用PVT单晶生长炉对p型4H‑SiC单晶进行实际生长，进而可以提高掺杂均匀性，获得质量良好的P型4H‑SiC单晶。
电阻率 sic 制备方法

[发明专利]一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法-CN202011073193.5在审
发明人：陈秀芳;仲光磊;谢雪健;于金英;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法，属于晶体生长技术领域，当掺杂浓度低，晶片透明，采用光学显微镜等无损观察其缺陷；当掺杂浓度高时，晶片不透明，采用熔融状态下的KOH或NaOH或其他碱的熔融液，对p型SiC进行腐蚀，然后在显微镜下观察腐蚀坑，进而可以表征晶体缺陷。根据腐蚀坑的大小、深度、形状和密度可以判定晶体缺陷的种类以及晶体质量。本申请采用了光学无损检测和碱液熔融腐蚀相结合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息，最大程度降低了材料损失，并提高了分析效率。
一种掺杂 sic 晶片缺陷检测方法

[发明专利]一种使用眼球追踪技术在屏幕上获取关注点的方法-CN201910145780.1在审
发明人：张家重;仲光磊;李志东 -专利权人：浪潮金融信息技术有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用眼球追踪技术在屏幕上获取关注点的方法，第一步，将屏幕显示内容使用栅格划分为N个区域；第二步，利用图像采集设备，捕获眼睛看向不同时眼部的细微变化并提取特征，辅以眨眼识别、注视识别、眼跳识别技术，获取参数；第三步，通过获取的参数计算，完成关注区域的识别；第四步，根据关注焦点所在区域的内容，分析客户的兴趣偏好，切换显示内容，并重新获取用户新的关注焦点，进入下一次控制过程。通过上述方式，本发明能够获取客户关注焦点，可以减少对设备安装位置的限制，扩展设备的使用场景，提高用户兴趣和关注点的捕获速度，提升设备的使用效能。
关注点眼球捕获焦点追踪屏幕显示内容图像采集设备屏幕参数计算关注区域扩展设备使用场景所在区域提取特征提升设备细微变化显示内容一次控制用户兴趣重新获取对设备客户偏好眼部栅格眨眼注视分析

[发明专利]一种分布式环境下降低网络带宽占用的多媒体素材下发方法-CN201910084491.5在审
发明人：张家重;仲光磊;李志东 -专利权人：浪潮金融信息技术有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式环境下降低网络带宽占用的多媒体素材下发方法，包括中心资源服务器、资源管理服务器、设备区域和相邻设备区域；所述中心资源服务器、资源管理服务器均与设备区域和相邻设备区域通过有线或无线连接；所述设备区域和相邻设备区域内均设有不同位置、不同网段的标注有多媒体资源文件下载或分发服务的设备端；本发明的素材文件可以通过资源管理服务器的素材源选择算法，就近选择临近设备下载或分发，可降低中心端和区域间网络的带宽成本，提升区域内网络的使用效率，进而提高素材更新效率。
资源管理服务器设备区域相邻设备网络带宽占用多媒体素材分布式环境中心资源下载服务器多媒体资源文件带宽成本分发服务使用效率素材文件无线连接选择算法设备端素材源中心端网段标注分发网络素材更新

[发明专利]通过数字描红实现文字和表格快速录入的方法-CN201010187699.9无效
发明人： 仲光磊;李忠民;王献忠 -专利权人：济南恒先科技有限公司
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G06F3/048 文献下载
摘要：本发明提供一种通过数字描红技术实现文字和表格录入的方法是将需要录入的实物文件通过影像采集设备转化为电子影像文件，以一个标准的大小、无倾斜的文件作为模板，使用数字描红生成工具，设置基准线或基准框，设置各输入项的焦点范围、输入框和回显信息的位置、大小、类型、最大字符数、字体、字间距、行间距等属性，生成数字描红信息录入界面程序、程序代码或配置信息。在生成的录入界面中，首先将影像作为背景显示于界面中，作为录入信息的参照。在录入过程中，设置菜单、按钮或热键，通过调整背景图片的对比度、透明度的方式，随时调整图片的颜色深度，以便输入过程中对不清晰的手写文字进行识别。采用本发明的这种输入方式，可以提高录入工作效率、提高录入信息的准确度，因此，本发明的录入方式简称为数字描红。
通过数字描红实现文字表格快速录入方法

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