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[发明专利]半导体激光器-CN201010287555.0无效
发明人： 仓持尚叔;日野智公;平田达司郎;吉田雄太 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器。该半导体激光器包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。
半导体激光器

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN200710305145.2无效
发明人：渡部义昭;日野智公;冈野展贤;仓持尚叔;菊地雄一郎;大桥达男 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。
发光装置及其制造方法