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[发明专利]生产树脂的方法和生产绝缘结构的方法-CN202180053011.4在审
发明人：山下优;吉满哲夫;武良光太郎;今井隆浩 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01B3/40 文献下载
摘要：树脂生产方法是一种生产用于浸渍在导体的外周部分形成的绝缘结构的树脂的方法。所述树脂生产方法包含将环氧树脂和分散液进行混合的分散液混合步骤，在所述分散液中纳米填料分散在反应性稀释剂中，所述反应性稀释剂通过与所述环氧树脂反应以降低所述环氧树脂的粘度；以及将所述分散液混合步骤中产生的组合物与用于固化所述环氧树脂的固化剂进行混合的固化剂混合步骤。所述环氧树脂包含例如脂环环氧树脂。
生产树脂方法绝缘结构

[发明专利]制备树脂的方法和制备绝缘结构的方法-CN202080046961.X在审
发明人：牛渡广大;山下优;吉满哲夫;今井隆浩;平井宏光 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C08J3/20 文献下载
摘要：本发明的制备树脂的方法是制备浸渍在导体的外周部上所形成的绝缘结构中的树脂的方法，该方法包括：以15wt％以上的比例将纳米填料与环氧树脂混合以形成混合物的填料混合步骤；对所述混合物进行剪切混合的剪切混合步骤；将降低所述环氧树脂的粘度的反应性稀释剂与所述剪切混合步骤之后的所述混合物混合的稀释剂混合步骤；和将酸酐固化剂与所述稀释剂混合步骤之后的所述混合物混合的固化剂混合步骤。
制备树脂方法绝缘结构

[发明专利]绝缘寿命试验方法及绝缘试验体-CN201910840127.7有效
发明人：吉满哲夫;中村隆央;平井宏光;今井隆浩 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明能够简易地评价绝缘寿命特性。绝缘寿命试验方法包括：准备步骤(S02)，准备绝缘试验体，构成试验装置，绝缘试验体具有层叠体和各自的前端具有间隔地插入层叠体的施加侧电极及接地侧电极，层叠体是将无机材料的主绝缘层和有机材料的高分子化合物层进行层叠而成的；电压施加步骤(S03)，在沿着主绝缘层的方向对层叠体施加电压。此外，也可以是，在准备步骤(S02)中，使用被层叠成可以观察内部状态的程度的层叠体，还包括观察步骤，在电压施加步骤之后观察绝缘试验体中的电树枝的发展状况。
绝缘寿命试验方法

[发明专利]副罐及消耗品消耗系统-CN201811176117.X有效
发明人：小金平修一;福岛繁树;小杉康彦;今井隆浩;尾泽胜敏;林刚史;犬饲哲之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：提供一种能够减少副罐的库存管理变得复杂等的各种问题的至少一个的技术。副罐具备：消耗品容纳部；副罐侧存储部；以及壳体，该壳体能够相对于消耗品消耗装置的多个插槽可装卸地安装，并容纳消耗品容纳部，在最初被安装于插槽之前的状态下，副罐侧存储部存储用于与其他副罐识别的副罐侧识别码，在最初被安装到插槽之后的状态下，还存储与被补给到消耗品容纳部中的消耗品的属性相关的副罐侧消耗品信息。
消耗品消耗系统

[发明专利]信息处理设备、信息处理方法及程序-CN201380020884.0有效
发明人：增田健;土田敏正;今井隆浩;田中义幸;赤坂清隆;大西健一;吉田德文 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：提供了一种信息处理设备，包括处理器，被配置成控制信息处理设备的系统；电源控制器，被配置成对系统的电力供给进行控制，并且在处理器的电源被关断的待机模式下关断电源控制器的电源；存储器，被配置成在待机模式下存储信息；以及电力供给单元，被配置成在待机模式下对存储器进行电力供给。使用该配置，可以降低待机期间的功耗并且降低电池消耗。
信息处理设备方法程序

[发明专利]电绝缘材料和模制电气设备-CN201580013264.3在审
发明人：小宫玄;今井隆浩;竹内美和;宫内康寿 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：实施方式的电绝缘材料具有环氧树脂(1)、以重量比85：15～50：50混合有氧化镁(3)和二氧化硅(2)的无机粒子填料、和固化剂。
绝缘材料电气设备

[发明专利]信息处理装置、信息处理方法、以及程序-CN201310256747.9无效
发明人：小出启介;中岛信二;小松周平;中川典明;今井隆浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种信息处理装置，包括半导体存储设备，其存储基本输入输出系统（BIOS）；辅助存储设备，其存储多段能够为BIOS所使用的与BIOS相关的数据；以及控制部分，其把存储在辅助存储设备中的所述多段与BIOS相关的数据中为BIOS所使用的一段或多段与BIOS相关的数据写至半导体存储设备。
信息处理装置方法以及程序

[发明专利]树脂模压真空阀-CN201210060111.2有效
发明人：浅利直纪;今井隆浩;佐藤纯一;多贺谷治;中山伸一;大竹史郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01H33/66 文献下载
摘要：一种树脂模压真空阀，其构成为，具备：真空绝缘容器(1)；接触分离自如的一对触点(5、6)，收纳在上述真空绝缘容器(1)内；封装配件(2、3)，封装在真空绝缘容器(1)的两端开口部；各个外部罩(10、12)，配置成覆盖封装配件(2、3)的外周，并且通过具有规定高度的各个固定部件(11、13)固定在该封装配件(2、3)上；以及绝缘层，形成在真空绝缘容器(1)、封装配件(2、3)及外部罩(10、12)的外周。
树脂模压真空

[发明专利]模制真空阀及其制造方法和树脂铸造模具-CN201210033121.7有效
发明人：小宫玄;今井隆浩;山崎显一;佐藤纯一;浅利直纪;木下晋;阪口修;竹井义博;阵副贵央;斋藤敏久;大桥重春;关尚子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： F16K51/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种模制真空阀，其包括：真空绝缘容器(1)，容纳一对自由的可分离的接触件；密封配件(2)、(3)，密封地连接到真空绝缘容器(1)的两个开口；金属帽(6)、(9)，设置来盖住真空绝缘容器(1)和密封配件(2)、(3)的密封区域；导电性弹性部件(7)、(10)，以接触方式安装在密封配件(2)、(3)和金属帽(7)、(9)之间，并且由规定压力压缩；和绝缘层(11)，用热固树脂形成于真空绝缘容器(1)的周缘，围绕着金属帽(6)、(9)。
真空及其制造方法树脂铸造模具

[发明专利]耐局部放电性树脂组合物的制造方法、耐局部放电性树脂组合物、及耐局部放电性绝缘材料-CN200880126731.3无效
发明人：尾崎多文;今井隆浩;泽史雄;村山圣子;小宫玄;清水敏夫;藤堂洋子;本间三孝;阪口修;越智光一;仓谷美由纪 -专利权人：株式会社东芝;学校法人关西大学
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明以一种简便的方法制造具有优异的耐局部放电性、且密度小的耐局部放电性树脂组合物。其中，通过离子交换处理在层状粘土矿物的层间插入有机化合物，由此赋予层状粘土矿物以对于极性溶剂及非极性溶剂中的至少任一种溶剂的溶胀性，使被赋予了溶胀性的层状粘土矿物在包含极性溶剂或非极性溶剂的溶胀用溶剂中溶胀，然后，混合环氧树脂进行混炼，从得到的包含环氧树脂、层状粘土矿物、及溶胀用溶剂的混合物中除去溶胀用溶剂，在该包含环氧树脂和层状粘土矿物的混合物中添加环氧树脂用固化剂进行混合。在包含由此制造的耐局部放电性树脂组合物的固化物的耐局部放电性绝缘材料中，在具有三维网状结构的环氧树脂的分子链(1)中致密分散有包含层状粘土矿物构成的无机纳米粒子(2)。
局部放电树脂组合制造方法绝缘材料

[发明专利]浇铸型树脂组合物及采用它的绝缘材料、绝缘结构体-CN200780031216.2无效
发明人： 今井隆浩;尾崎多文;泽史雄;木下晋;小宫玄;村山圣子;清水敏夫;阪口修;本间三孝;田中祀捷 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明的绝缘性浇铸成型树脂组合物，其中含有：每1个分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物；含选自二氧化硅、氧化铝、莫来石的1种以上物质的微粒子；含选自层状硅酸盐化合物、氧化物、氮化物的1种以上物质构成的纳米粒子；以及弹性体粒子。
浇铸树脂组合采用绝缘材料绝缘结构

[发明专利]配线衬底的制造方法-CN200610163735.1有效
发明人： 今井隆浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本且高效地制造可靠性高的配线衬底的方法。配线衬底的制造方法包括：准备具有基座衬底(10)、形成于基座衬底(10)的表面上的导电膜(20)及形成于导电膜(20)上的多个导线(30)的衬底的工序；形成将导电膜(20)上的相邻的2个导线(30)之间的区域局部覆盖的抗蚀剂层(40)，使其与2个导线(30)接触的工序；形成导电图案(50)的工序，该导电图案(50)形成导电膜(20)的图案且电连接多个导线(30)；经由导电图案(50)使电流在多个导线(30)中流动，从而对导线(30)进行镀敷处理的电解镀敷处理工序；切断导电图案(50)，使多个导线(30)分别电绝缘的工序。
衬底制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及其制造装置-CN200510069739.9无效
发明人： 今井隆浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法及其制造装置。沿着与XY轴平面正交的一个轴，对电极(32)的形成面和导线(12)的形成面进行摄像。得到电极(32)的形成面和导线(12)的形成面的、向与Z轴正交的一个面的投影图像。在投影图像中，计算一个电极(32)的图像和一个导线(12)的图像之间的偏移。为了不产生偏移计算所必需的、由基板(10)和半导体芯片(30)中的至少一方的膨胀或收缩引起的变形值。为了得到该变形值，计算必需的、基板(10)和半导体芯片(30)中至少一方的温度变化。根据温度变化，改变半导体芯片(30)和基板(10)中至少一方的温度。因此提供了一种可高精度地连接半导体芯片的电极和基板的导线的技术。
半导体装置制造方法及其

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410081810.0无效
发明人： 今井隆浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体装置制造方法，具有多个电极(22)和包含配线图案(12)的配线基板(10)，使搭载到配线基板(10)上的半导体芯片(20)之间的树脂(30)，以树脂(30)沸点以下的温度固化，直到固化反应率达到80％以上，使配线图案(12)和电极(22)接触。然后，将电极(22)和配线图案(12)进行共晶合金连接。由此提供一种可靠性高的半导体装置制造方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]漆包线-CN03178737.1有效
发明人：平井久之;小嶋晋;尾崎多文;清水敏夫;今井隆浩;关谷洋纪;小野寺功 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：提供了一种漆包线，该漆包线的漆涂层能在限制无机填料用量的同时，提高对于换流器所施加的冲击电压的耐久性以并抑制其热降解性。该漆包线由导线(11)以及包围在导线(11)上的由高分子化合物与扁平细颗粒无机填料均匀混合形成的涂层(12)构成。该漆包线也可以由导线(21)、由聚酯酰亚胺树脂溶液与扁平细颗粒无机填料混合形成的涂覆在导线上的一层涂层(23)以及涂覆在涂层(23)上由聚酰胺酰亚胺形成的另一层涂层(24)所构成。
漆包线

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