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[发明专利]合成电路-CN202310317259.8在审
发明人：田中勇辉;今井翔平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种合成电路，在多赫蒂放大器中不使用1/4波长线路而实现进一步的宽频带。具备：合成部，其对第一信号与第二信号进行合成，输出合成信号，所述第一信号是从输入信号分配的第一分配信号被放大后从载波放大电路输出的信号，所述第二信号是从所述输入信号分配的第二分配信号被放大后从峰值放大电路输出的信号；以及匹配部，其与所述合成部串联地连接，使得被输入所述合成信号，与所述输入信号的频率的增加相伴的阻抗的虚部的变动系数示出负值，并且使所述合成部与负载之间的阻抗匹配。
合成电路

[发明专利]功率放大模块-CN202280012651.5在审
发明人： 今井翔平;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：一种功率放大模块，具备：载波电路，其包括一个以上的载波放大器；峰值电路，其包括一个以上的峰值放大器；载波控制电路，其控制所述载波电路中的给定的载波放大器的基极电流或者栅极电压；以及载波输出电路，其连接于所述载波电路中的最靠输出侧的载波放大器，向所述载波控制电路输出用于控制所述给定的载波放大器的基极电流或者栅极电压的载波控制信号。
功率放大模块

[发明专利]功率放大电路-CN202280013751.X在审
发明人： 今井翔平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率放大电路，具备：第1载波放大器，包括具有第1晶体管和第2晶体管的差动放大电路；以及第1峰值放大器，与所述第1载波放大器形成在同一半导体基板，所述第1晶体管的发射极或者源极与所述第2晶体管的发射极或者源极电连接，所述第1晶体管的发射极或者源极通过第1凸块而与接地电极电连接，所述第2晶体管的发射极或者源极通过与所述第1凸块不同的第2凸块而与接地电极电连接。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路-CN202180073259.7在审
发明人： 今井翔平;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：功率放大电路具备：分配器，将输入信号分配为第一信号及相位与第一信号不同的第二信号；第一放大器，将第一信号放大，并输出第一放大信号；第二放大器，将第二信号放大，并输出第二放大信号；第一平衡不平衡转换器，将第一放大信号分配为第三放大信号及相位与第三放大信号不同的第四放大信号；第三放大器和第四放大器，分别将第三放大信号和第四放大信号放大；第二平衡不平衡转换器，将第二放大信号分配为第五放大信号及相位与第五放大信号不同的第六放大信号；第五放大器，在第五放大信号的功率电平表示给定的功率电平以上时，将第五放大信号放大；以及第六放大器，在第六放大信号的功率电平表示给定的功率电平以上时，将第六放大信号放大。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路、差动功率放大电路-CN202211264148.7在审
发明人： 今井翔平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：提供一种功率放大电路、差动功率放大电路，提高针对高频信号的输入阻抗。功率放大电路具备：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件而被供给偏置电流；第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位，所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。
功率放大电路差动

[发明专利]功率放大电路-CN202180052672.5在审
发明人： 今井翔平;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：一种功率放大电路，在同一半导体基板上具备：分配器，将输入信号分配为第1信号和相位与所述第1信号不同的第2信号；第1放大器，将从所述第1信号分支的第1分支信号放大并输出第1放大信号；第2放大器，在从所述第1信号分支的第2分支信号的功率电平示出给定的功率电平以上时，将所述第2分支信号放大并输出第2放大信号；第3放大器，将从所述第2信号分支的第3分支信号放大并输出第3放大信号；第4放大器，在从所述第2信号分支的第4分支信号的功率电平示出给定的功率电平以上时，将所述第4分支信号放大并输出第4放大信号；第1偏置电路，输出第1偏置电压；第1长度的第1线路，将所述第1偏置电路和所述第1放大器连接；以及第2长度的第2线路，将所述第1偏置电路和所述第3放大器连接，所述第2长度比所述第1长度短，所述第1线路以及所述第2线路形成为所述第1偏置电路与所述第1放大器之间的所述第1偏置电压的电压下降量和所述第1偏置电路与所述第3放大器之间的所述第1偏置电压的电压下降量变得大致相等。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路及装置、多赫蒂放大电路、多级放大电路-CN202210819231.X在审
发明人： 今井翔平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以简易的电路结构来实现输入信号的放大中的增益的调整的功率放大电路及装置、多赫蒂放大电路、多级放大电路。功率放大电路具备：第1放大晶体管，具有输入第1信号的基极或栅极、输出对所述第1信号进行了放大的信号的集电极或漏极和与接地连接的发射极或源极；第1非线性元件，连接在所述第1放大晶体管的集电极或漏极与所述第1放大晶体管的基极或栅极之间；和电流控制电路，连接在所述接地与所述第1放大晶体管的基极之间，对流过所述第1非线性元件的电流进行控制。
功率放大电路装置多赫蒂多级

[发明专利]多尔蒂放大器-CN201680085698.9有效
发明人：小松崎优治;新庄真太郎;中谷圭吾;今井翔平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：在载波放大器(6)和峰值放大器(8)并联连接的多尔蒂放大器中，构成为，补偿电路(9)连接于峰值放大器(8)和合成器(10)之间，该补偿电路(9)构成为，在峰值放大器(8)停止动作的状态下，将从自身的输出端(9a)观察峰值放大器(8)侧时的阻抗在使用频率内设为开路，并且对从合成器(10)的输出侧观察合成器(10)时的阻抗的频率依赖性进行补偿。由此，不会导致电路的大型化、复杂化，就能够实现宽频带化。
多尔蒂放大器

[发明专利]功率放大电路-CN202110621926.2在审
发明人： 今井翔平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：一种功率放大电路，在多赫蒂放大器中不使用1/4波长线路而产生适当的负载调制效果。功率放大电路具备：第一放大器，其在输入信号的功率电平为第一电平以上的区域，将从所述输入信号分配的第一信号放大，输出第二信号；第一转换器，其与所述第一放大器的输出侧连接，转换所述第一放大器的输出侧的阻抗；以及至少一个以上的第二放大器，其在所述输入信号的功率电平为比所述第一电平高的第二电平以上的区域，将从所述输入信号分配的第三信号放大，输出第四信号，所述第二放大器各自的输出侧与所述第一转换器的输出侧串联连接，所述第一转换器具有使所述第一放大器的输出侧的阻抗的绝对值比所述第二放大器各自的输出侧的阻抗的绝对值大的结构。
功率放大电路

[实用新型]平衡-不平衡变压器-CN202023329124.4有效
发明人：本多悠里;播磨史生;伊藤真音;今井翔平;浪江寿典 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01F19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种平衡‑不平衡变压器，其能够抑制两个输出信号之间的非对称性。所述平衡‑不平衡变压器具备：1次绕组，形成在基板的一个金属层；以及2次绕组，形成在基板的另一个金属层，在俯视下与1次绕组重叠。1次绕组以假想的直线为轴，具有线对称的形状。2次绕组以假想的直线为轴，具有线对称的形状。
平衡不平衡变压器

[发明专利]半导体装置-CN201610946484.8有效
发明人： 今井翔平;山本和也;佐佐木善伸;三轮真一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201580075517.X有效
发明人： 今井翔平;弥政和宏;山中宏治;前原宏昭;金谷康;国井彻郎;片山秀昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
半导体装置

[发明专利]放大器-CN201610827446.0有效
发明人：小坂尚希;今井翔平;冈村笃司;三轮真一;长明健一郎;佐佐木善伸;堀口健一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
放大器

[发明专利]放大器-CN201680086907.1在审
发明人：中谷圭吾;小松崎优治;新庄真太郎;山中宏治;今井翔平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：利用连接漏极端子(2)和第1金属图案(7a、7b)的第1金属线(8a、8b)以及连接第1金属图案(7a、7b)和第2金属图案(9a、9b)的第2金属线(10a、10b)构成并联电感器。第2金属线(10a、10b)位于第1金属线(8a、8b)与连接漏极端子(2)和第3金属图案(11)的第3金属线(12a、12b)之间。第2金属线(10a、10b)的电流朝向为与第1金属线(8a、8b)和第3金属线(12a、12b)的电流朝向相反的方向。
金属线金属图案漏极端子放大器并联电感器朝向相反

[发明专利]高频装置-CN201310604642.8有效
发明人：三轮真一;今井翔平;服部公春;吉冈贵章 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过对高频装置的馈通部附加阻抗的调节功能，从而提供能够容易地进行阻抗匹配的高频装置。具备形成于底座板(10)的主面(10a)的电介质(12)、在该电介质上形成的相互不接触的信号线(14)和岛形图案(16、17、18、19)、通过第一金属线(40)而连接于该信号线的半导体芯片(32)、和连接于该信号线的引线框(42)。
高频装置

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