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[发明专利]用于原子层沉积的具有管线填充容积容器的前体分配系统-CN202180081424.3在审
发明人：萨昂格鲁特·桑普朗;亚伦·德宾;穆尔蒂·穆鲁盖延;亚伦·布莱克·米勒;邱华檀;戈皮纳特·布海马拉塞蒂;维克兰特·莱;文森特·威尔逊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：前体分配系统包括源、安瓿、第一阀、第二阀、管线填充容积容器及控制器。源供应液态前体。安瓿从源接收液态前体。第一阀调整液态前体从源向安瓿的流动。第二阀调整前体蒸气从安瓿向衬底处理室的喷头的流动。管线填充容积容器连接至导管并储存前体蒸气的填充，其中导管从安瓿延伸至第二阀。控制器：开启第一阀并关闭第二阀以预填充管线填充容积容器；以及于投配操作期间，开启第二阀以将批量的前体蒸气从管线填充容积容器分配至衬底处理室中。
用于原子沉积具有管线填充容积容器分配系统

[发明专利]真实自由基处理的远程等离子体架构-CN202180045823.4在审
发明人：巴德里·瓦拉达拉简;亚伦·德宾;邱华檀;龚波;雷切尔·E·巴策尔;戈皮纳特·布海马拉塞蒂;亚伦·布莱克·米勒;帕特里克·G·布莱琳;杰弗里·霍恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种喷头包括第一部件、第二部件和第三部件。所述第一部件包括盘状部分以及从所述盘状部分垂直延伸的圆柱形部分。所述盘状部分包括分别具有第一直径和第二直径的第一组孔洞和第二组孔洞，其中所述第一组孔洞和所述第二组孔洞从所述盘状部分的中心延伸至所述圆柱形部分的所述内直径。第二部件是盘状的，并且与所述第一部件的所述盘状部分附接且限定出与所述第二组孔洞流体连通的充气室，所述第二部件包括沿着所述顶表面的周缘且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形凹槽，以及在所述成对的弧形凹槽之间延伸的多个凹槽。所述第三部件是盘状的且附接至所述第二部件，并且包括与所述充气室连接的气体输入口、以及与弧形凹槽连接的流体输入口以及流体输出口。
真实自由基处理远程等离子体架构

[发明专利]光电辅助等离子体点燃-CN202180039950.3在审
发明人：陈利;拉梅什·钱德拉塞卡拉;肖恩·泰勒·史密斯;崎山行则;亚伦·德宾;乔恩·亨利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包含气体源、RF源、以及光源。所述气体源供应第一气体至所述衬底处理系统的处理模块。所述RF源在供应所述第一气体至所述衬底处理系统的所述处理模块时供应RF功率至所述处理模块以产生等离子体。所述光源被耦合至所述处理模块以在所述等离子体产生期间将光导入所述处理模块中。
光电辅助等离子体点燃

[外观设计]喷头(高密度孔型)-CN202130077791.9有效
发明人：亚伦·布莱克·米勒;雷切尔·E·巴策尔;亚伦·德宾;维韦卡南丹·克里希纳斯瓦米 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：喷头(高密度孔型)。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于将反应剂输送到用于生产硅晶片的沉积室或蚀刻室。3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的形状、图案及其结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
喷头高密度孔型

[发明专利]衬底处理系统中的衬底支撑件的动态温度控制-CN201980045350.0在审
发明人：赛拉姆·森德拉姆;亚伦·德宾;拉梅什·钱德拉塞卡拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于衬底处理系统的温度受控衬底支撑件包含位于处理室中的衬底支撑件。衬底支撑件分别包括N个区域和N个电阻式加热器，其中N是大于1的整数。温度传感器位于所述N个区域中的一个中。控制器被配置成计算在操作期间所述N个电阻式加热器的N个电阻以及响应于以下条件，在所述衬底处理系统的操作期间调整通向所述N个电阻式加热器中的N‑1个的功率：通过所述温度传感器在所述N个区域中的所述一个中所测得的温度；所述N个电阻式加热器的所述N个电阻；以及N‑1个电阻比。
衬底处理系统中的支撑动态温度控制

[发明专利]使用电压和电流测量来控制双区陶瓷基座-CN201980031128.5在审
发明人： 亚伦·德宾;拉梅什·钱德拉塞卡拉;德克·鲁道夫;托马斯·G·朱厄尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于衬底处理系统的控制器包括电阻计算模块，其被配置为：接收分别与衬底支撑件的第一加热器元件和第二加热器元件相对应的第一电流和第二电流；接收分别与所述第一加热器元件和所述第二加热器元件相对应的第一电压和第二电压；基于所述第一电压和所述第一电流计算所述第一加热器元件的第一电阻；并且基于所述第二电压和所述第二电流计算所述第二加热器元件的第二电阻。温度控制模块被配置为分别基于所述第一电阻和所述第二电阻以及相应的在所述第一电阻和所述第二电阻与所述衬底支撑件的第一温度和第二温度之间的关系来分开控制提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的功率。
使用电压电流测量控制陶瓷基座

[发明专利]晶片测试系统以及相关的使用和制造方法-CN201180056550.X无效
发明人： 亚伦·德宾;大卫·凯斯;摩根·T·约翰逊 -专利权人：高级查询系统公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G01R31/20 文献下载
摘要：本发明公开了晶片测试。一种晶片测试系统包括用于通过独立地可操作的真空或压差将晶片可释放地附连至晶片转换器以及将晶片转换器可释放地附连至内插器的组件。该组件包括联接至晶片转换器的晶片转换器支承环，其中，第一柔性材料从晶片转换器支承环延伸，以便包围晶片转换器与内插器之间的空间，使得可以穿过一个或更多个第一排空路径通过第一真空排空空间。该组件还可以包括联接至晶片和卡盘的晶片支承环，其中，第二柔性材料从晶片支承环延伸，以便包围晶片与晶片转换器之间的空间，使得可以穿过一个或更多个第二排空路径通过第二真空排空空间。
晶片测试系统以及相关使用制造方法