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[实用新型]腐蚀液冷却回收装置-CN202220326136.1有效
发明人：刘振洲;刘素娟;鲍慧强;叶欣怡;刘雪梅;王增泽;井琳;李宪宾;刘冬冬;乔建东;杨帅;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B01L1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及实验设备技术领域，公开了一种腐蚀液冷却回收装置，包括壳体、坩埚固定架、旋转轴以及驱动件，所述坩埚固定架设置于所述壳体内并与所述旋转轴相连接，所述坩埚固定架能够夹持坩埚，所述旋转轴与所述驱动件相连接，所述驱动件能够驱动所述旋转轴旋转，从而带动所述坩埚固定架和坩埚翻转。通过上述技术方案，利用坩埚固定架将坩埚夹持并与旋转轴相连，当驱动件驱动旋转轴旋转时能够带动坩埚发生倾转，从而使坩埚内的熔融状腐蚀性液体流入壳体内，从而免去等待腐蚀性液体冷却的时间，并防止腐蚀性液体板结于坩埚内部，加快坩埚的循环使用周期，另外还能够方便地进行倾转坩埚的操作，降低操作难度，防止操作意外的发生。
腐蚀冷却回收装置

[发明专利]钽制结构、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法-CN202210173332.4在审
发明人：鲍慧强;井琳;王增泽;乔建东;刘振洲;刘冬冬;杨帅;李宪宾;刘素娟;叶欣怡;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种，钽制结构、钽制结构的制备方法、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法、碳化硅晶体制备方法。其中，坩埚组件包括：坩埚，包括坩埚体和坩埚盖；坩埚体由第一石墨制成，坩埚体包括相互之间可拆卸连接的坩埚上截和坩埚下截；坩埚盖由第二石墨制成，与坩埚体可拆卸连接并与坩埚体形成容置腔体；测温孔结构，测温孔结构设置在所述坩埚的上下两端。通过上述技术方案，利用碳化钽熔点高于碳化硅的升华温度这一特性，且碳化钽在高温下对硅与氢具有的化学惰性，有效避免了富硅气体对钽制结构内壁的腐蚀，阻碍碳化硅生成在测温孔中，这就不能提供大量的形核点供碳化硅后续的长大，避免了测温孔的堵塞。
结构测温坩埚组件孔防堵方法

[发明专利]晶体制备装置和碳化硅晶体制备方法-CN202210168852.6在审
发明人：乔建东;鲍慧强;王增泽;井琳;刘冬冬;黄立文;杨帅;刘振洲;刘素娟;李宪宾;刘雪梅;叶欣怡;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体制备技术领域，公开了一种晶体制备装置和碳化硅晶体制备方法。其中，所述晶体制备装置包括一端具有开口且内部设有反应腔的反应体、用于打开和关闭所述开口的盖板以及设置在所述反应腔内的碳颗粒沉积区。通过上述技术方案，基于所述碳颗粒沉积区的设置，能够将碳化后的原料阻挡在生长界面之外，同时不影响碳化硅有效气相组分的输运，可以在减少碳包裹物的同时，保证高的晶体生长速率。
晶体制备装置碳化硅方法

[实用新型]密封装置及长晶炉-CN202123303779.9有效
发明人：李宪宾;鲍慧强;王增泽;刘振洲;井琳;刘冬冬;刘素娟;李龙远;葛明明;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长设备领域，公开了一种密封装置及长晶炉，所述密封装置包括基座和端盖，基座设有具备开口的容置腔室，端盖用于封闭或打开开口，基座和端盖中的一者设有多个电磁体，基座和端盖中的另一者设有与多个电磁体配合的多个铁磁体，多个铁磁体与多个电磁体一一对应设置并均匀环绕开口，基座和端盖中的一者还设有环绕开口的密封圈。通过上述技术方案，在基座和端盖分别设置多个电磁体和多个铁磁体，从而通过电磁体与铁磁体的吸附力使端盖封闭开口，并快速的压紧环绕开口的密封圈以实现密封，省时省力，且在端盖封闭开口时，由于多个铁磁体与多个电磁体均匀环绕开口，因此密封圈受力均匀，不会产生密封不牢靠的情况。
密封装置长晶炉

[发明专利]长晶炉进气结构及长晶炉-CN202111599386.9在审
发明人：鲍慧强;李宪宾;王增泽;井琳;刘振洲;刘冬冬;乔建东;杨帅;刘素娟;刘雪梅;叶欣怡;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长设备领域，公开了一种长晶炉进气结构及长晶炉，所述长晶炉进气结构包括炉体和端盖，炉体设有具有开口的反应腔体，端盖用于封闭开口，端盖设有测温通道，测温通道的一端与反应腔体连通，另一端设有测温窗，测温通道的通道壁设有用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口。通过上述技术方案，在端盖的测温通道设置用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口，第二进气口的进气从测温通道进入反应腔体，在流动过程中能够将已经进入测温通道的挥发物吹回至反应腔体内，并同时能够阻挡反应腔体内的挥发物进入测温通道，从而避免挥发物凝结在测温窗上，保证测温窗的洁净程度。
长晶炉进气结构长晶炉

[发明专利]一种化学结晶设备的冷凝机构-CN202010149350.X有效
发明人：井琳;李明帅;王伟平 -专利权人：山东国宏中能科技发展有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： F28G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学结晶设备的冷凝机构，包括换热管和移动清洁机构，本发明通过在保护框内部设置了移动清洁机构，电机带动齿轮进行转动，使齿轮在齿条上端啮合传动，由于齿条是固定不动的，使得齿轮带动移动板通过滑块在导轨上端进行移动，使移动板带动移动框内部的刷条对换热管表面进行清洁，达到了能够快速对换热管上端污垢进行清理的优点；通过在移动清洁机构上端设置了刷头机构，将移动框设计成圆环状，使得刷条能够与换热管进行更好的贴合，并且在移动框移动时，会带动导向轮进行移动，使移动框移动平稳，达到了使换热管清洁干净的优点。
一种化学结晶设备冷凝机构

[发明专利]一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法-CN201810946844.3有效
发明人：丁建旭;袁野;杜松洁;崔洪芝;井琳;程晓华 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，该方法利用逆温度溶解度在富铯生长体系中生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶；其中，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的化学式为Cs4PbBr6‑mXm，X为卤族元素，m为卤族元素的掺杂含量，选自0～6中的任意数值。该单晶发光峰半峰宽窄，发光峰位可调控在481‑536nm范围内，半高宽小于25nm，单晶尺寸大。
一种生长尺寸零维钙钛矿发光方法

[发明专利]一种纯无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料及生长方法-CN202010181827.2在审
发明人：丁建旭;井琳;姚青;张杰;王开宇;袁野;孙海清 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种纯无机、大尺寸、二维钙钛矿发窄谱蓝紫光单晶材料及其生长方法，该方法利用从溶剂中缓慢降温或挥发溶剂的方法获得大尺寸单晶；其中所述大尺寸二维钙钛矿发光单晶的化学式为CsPb2Cl5。该单晶为二维晶体结构；发光峰半峰宽窄，发光峰位417nm，半高宽小于18nm，单晶尺寸大。
一种无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料生长方法

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