|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 10个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN99100712.3无效
-
井上显;菅原宽
-
恩益禧电子股份有限公司
-
1999-02-10
-
2004-02-25
-
H01L27/105
- 一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：第一步骤，在第一导电型的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；第二步骤，在栅极绝缘膜上形成下电极；第三步骤，在下电极和栅极绝缘膜的两侧区域的半导体衬底的表面上掺杂第二导电型杂质，从而形成源极和漏极；第四步骤，在下电极上形成保护膜；第五步骤，在源极和漏极上形成硅化物层；第六步骤，除去保护膜，随后形成具有T形截面以与下电极露出的上表面接触的上电极，从而形成包括上电极和下电极的浮置栅；第七步骤，形成隔离绝缘膜以覆盖上电极；和第八步骤，通过隔离绝缘膜在浮置栅上形成控制栅。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件制造方法-CN99103425.2无效
-
井上显
-
日本电气株式会社
-
1999-03-30
-
1999-10-06
-
H01L21/3205
- 在硅衬底1的杂质扩散层9、10的表面上形成了一层钴膜12和一层作为防氧气的阻挡膜的氮化钛膜13之后,在低于400℃的温度下进行第一热处理,形成一层Co2Si膜31。利用硫酸和过氧化氢的混合溶液将该氮化钛膜和未发生反应的钴膜清除掉,随后在700～900℃的温度范围内的一个温度下进行另一次热处理,形成一层CoSi2膜。根据本发明,穿透扩散层的硅化钴齿钉的产生将被抑制,使漏电流得到了良好控制并因此获得良好的晶体管特性以及较高的可靠性。
- 半导体器件制造方法
|
