“井上和之”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]气体传感器的防水结构-CN201120506774.3有效
发明人：赵大力;井上和之;魏新娣 -专利权人：天津费加罗电子有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气体传感器的防水结构。本实用新型包括探测头，密封中间连接套设置于探测头外周面，所述密封中间连接套与探测头通过螺纹固定连接，密封中间连接套与探测头之间设置密封垫，密封中间连接套顶部上方依次设置密封圈、防水膜和压紧盖。压紧盖通过螺钉与密封中间连接套进行固定，它们之间通过密封圈进行密封。本实用新型加防水膜后的气体传感器部分淹没在1米深的水里时也不会进水，并且持续时间在48小时以上。这样即使在短时间有水的环境中，传感器也不会损害或失效，从而使产品使用起来更加安全。
气体传感器防水结构

[发明专利]基底处理设备-CN201010168158.1有效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
基底处理设备

[发明专利]基板抛光方法及处理方法-CN200910225171.3无效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明公开了基板抛光方法及处理方法。在一种基板抛光方法中包括：通过移动机构将基板移动到用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置中的一个上；利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的一个，第一次抛光基板的外围部分或基板的凹口；在第一次抛光之后仅将纯水供应到基板上，以形成覆盖基板表面的水膜；在水膜形成于基板表面上的情况下，通过移动机构将基板移动到斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个上；和利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个，第二次抛光基板的外围部分或基板凹口。
抛光方法处理

[发明专利]半导体晶片周缘的研磨装置及方法-CN200680013140.6有效
发明人：高桥圭瑞;伊藤贤也;白樫充彦;井上和之;山口健二;关正也;佐藤觉;渡边淳;加藤健二;田村淳;浅川荘一 -专利权人：日本微涂料株式会社;株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
半导体晶片周缘研磨装置方法

[发明专利]基板处理设备-CN200680000414.8有效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B)，用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A，400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A，450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A，480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A，400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A，400B)中的斜边抛光装置(450A，450B)面对维护空间(7)，以从维护空间(7)触及。
处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN200680000420.3有效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。
基底处理设备

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top