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[发明专利]用于太阳能电池的钝化和导电层结构-CN202180092347.1在审
发明人： K·丁;M·波马斯卡;邱开富 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明涉及用于在太阳能电池的正面或正面和背面上具有隧穿氧化物钝化接触件的太阳能电池，优选高温太阳能电池的层结构，其由至少一个隧穿氧化物层，特别是x＝1‑2的硅氧化物层SiOx或x＝1‑2的铝氧化物层AlOx，以及x50.5，优选≥0.5至0.9的μc‑SiCx(n)层组成，其中(n)＝n掺杂，并且其中μc‑SiCx(n)在一个有利实施方案中是氢化μc‑SiCx:H(n)层。根据本发明的层结构可以优选被设计为太阳能电池，优选高温太阳能电池的正面接触件。本发明还涉及制造该层结构的方法以及包含根据本发明的层结构作为正面接触件或作为正面接触件和背面接触件的太阳能电池。
用于太阳能电池钝化导电结构

[发明专利]无溶剂的固体电解质-CN201880063372.5有效
发明人： L.博斯坎普;G.布伦克劳斯;I.策基克-拉斯科维奇;M.温特 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明涉及用于可再充电的锂离子二次电池组中的无溶剂的聚合物电解质，其包含传导锂离子的聚合物基质和锂盐。所述聚合物基质具有至少一种聚轮烷，其包含至少一种线型聚合物和至少一种环形分子。锂盐布置在聚合物基质中并且至少部分地化学键合到聚合物基质上。根据本发明，聚合物基质具有至少一种聚轮烷，所述聚轮烷具有完全或部分地化学改性的环糊精或冠醚或n＝4至7的柱[n]芳烃、葫芦脲或n＝4至8的杯[n]芳烃作为环形分子。该结构变化产生大大提高的离子电导率，特别是在室温下。此外，根据本发明化学改性的体系表现出改进的电化学稳定性，其中在高充电和放电电流(＞1 C)下，在锂/LiFePO4电池中，借助于该新开发的干燥的聚合物电解质，也可以可再现地实现对于工业应用而言绝对必要的稳定的长期循环操作。
溶剂固体电解质

[发明专利]氢化非晶含硅胶体或氢化非晶含硅复合胶体及其制备方法，氢化非晶含硅复合胶体的用途及用其包封的物质-CN201880065195.4有效
发明人： A.P.卡迪斯贝迪尼;B.克林格比尔;S.哈斯;J.弗罗雷;R.卡里厄斯;C.陈;P.诺滕 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明涉及制备氢化非晶含硅复合胶体以及用氢化非晶含硅复合层包封物质的方法，以及含硅复合胶体和用含硅复合层包封的物质及其用途。根据本发明，对溶解在至少一种有机和/或无机溶剂中的氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物或在无溶剂的情况下已呈液体形式存在的至少一种氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物进行空化。由此产生氢化非晶含硅复合胶体。
氢化非晶含硅胶非晶含硅复合胶体及其制备方法用途物质

[发明专利]结构化表面的生产-CN202180049684.2在审
发明人： J·埃尔盖蒂;G·冈帕尔;S·福斯特;L·德奎罗斯达科斯塔坎波斯 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：基于弹性材料通过拉伸、对不同表面区域的选择性处理和松弛制备的三维结构化表面。
结构表面生产

[发明专利]制备D-木糖酸盐的方法和棒状杆菌型细菌-CN201780032118.4有效
发明人： S.诺亚克;A.拉德克;J.马里恩哈根;K.克伦巴赫 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C12P7/58 文献下载
摘要：本发明涉及制备D‑木糖酸盐的方法和棒状杆菌型细菌。根据本发明已经发现，使用其中编码肌醇代谢的调节因子的IolR基因（在下文中称为IolR基因）的活性降低或消除或者其中IolR基因至少部分缺失的棒状杆菌型细菌，可以由作为底物的D‑木糖酸盐出发获得非常高产率的对映体纯D‑木糖酸盐。因此，根据本发明提供了制备D‑木糖酸盐的方法以及作为生产菌株的棒状杆菌型细菌，其中在该生产菌株中的IolR基因的活性相对于野生型或野生型的突变体降低或消除，或者其中所述IolR基因部分或完全缺失。
制备木糖酸盐方法杆菌细菌

[发明专利]用作锂离子电池所用的关断添加剂的咪唑烷内鎓盐化合物以及电解质和电池-CN202180013948.9在审
发明人：格德-沃尔克·吕森塔勒;伊西多拉·塞基奇-拉斯科维奇;娜塔莎·冯·阿斯佩恩;马丁·温特;米哈伊洛·舍夫丘克 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明涉及一种式(I)的用作锂离子电池所用的关断添加剂的咪唑烷内鎓盐化合物以及一种用于制备该咪唑烷内鎓盐化合物(I)的方法、一种电解质和一种包含该咪唑烷内鎓盐化合物(I)的电池。
用作锂离子电池所用添加剂咪唑烷内鎓盐化以及电解质电池

[发明专利]用于鉴别β淀粉样蛋白聚集的一次成核的抑制剂的方法-CN201780020468.9有效
发明人： W.霍耶 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明涉及用于鉴别β淀粉样蛋白聚集的一次成核的抑制剂的方法，其具有步骤：a)将Aβ物类预先放置在缓冲液中；b)确定β淀粉样蛋白聚集；其特征在于，c)作为Aβ物类，选择两个单元的Aβ单体，它们具有布置在所述Aβ单体之间的接头。公开了对此的接头、试剂盒以及它们的用途。
用于鉴别淀粉蛋白聚集一次成核抑制剂方法

[发明专利]用于制备非氧化物陶瓷粉末的方法-CN201880039486.6有效
发明人： A.达什;J.冈萨雷斯;R.瓦森;O.吉永 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备非氧化物陶瓷粉末的方法，该非氧化物陶瓷粉末包括氮化物、碳化物、硼化物或至少一个具有一般组成Mn+1AXn的MAX相，其中M＝至少一种选自过渡元素族(Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta)中的元素，A＝至少一种选自组（Si、Al、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl和Pb）中的A族元素，X＝碳(C)和/或氮(N)和/或硼(B)并且n＝1、2或3。根据本发明，将相应量的单质起始材料或其它前体与至少一种金属卤素盐(NZ)混合、压制(丸粒)并且为了合成与金属卤素盐(NZ)一起加热。压制的丸粒首先用另外的金属卤素盐包覆，再次压制，置于盐浴中并与其一起加热到高于盐的熔化温度。任选地，可以加入熔融硅酸盐，这防止了盐在较高温度下蒸发。有利地，该方法可以在空气存在下进行。
用于制备氧化物陶瓷粉末方法

[发明专利]用于测量试样的小电位的设备、该设备的制造方法和应用-CN201780055294.X有效
发明人： S.维图塞维奇;I.扎多罗兹尼 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量试样的小的电位的纳米结构化的设备。该设备包括：至少一个具有栅极的场效应晶体管，其具有液密的外边缘；以及用于以电压来加载栅极的装置。该设备特征在于，所述设备具有衬底和至少两个布置在所述衬底上的交叉的由半导体材料制成的纳米线（101、102），所述纳米线分别具有源极和漏极触点与用于在相应的所述源极和漏极触点之间施加电压的装置。在此情况下，所述纳米线通过沿着其表面的电介质层至少相对所述试样电绝缘。在所述层中，布置至少一个积聚点，所述积聚点能够捕获来自所述两个纳米线其中至少一个纳米线的载流子并且能够将其相反地放出到所述纳米线。所述两个纳米线分别在横截面中具有三角形或梯形的形状并且在所述衬底上布置用于以电压加载所述衬底的装置。
用于测量试样电位设备制造方法应用

[发明专利]用于有效侵入式并且振幅受到调制的神经元刺激的设备-CN201780017882.4有效
发明人：彼得·亚历山大·塔斯;阿列克桑德尔·波波维奇 -专利权人： 于利奇研究中心有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于刺激神经元的设备，其具有：能够植入患者体内的、具有至少一个用于向患者的组织施加刺激信号以刺激患者大脑和/或脊髓内的神经元的刺激元件的刺激单元；用于获取反应刺激的神经元的神经元活动的测量信号的测量单元；以及与刺激单元和测量单元相连的控制单元，其由测量信号产生调制信号，借助调制信号调制包含多个单个脉冲的脉冲序列的振幅，并且控制刺激单元，使得至少一个刺激元件作为刺激信号施加经过振幅调制的脉冲序列，从而由此刺激神经元，其中，单个脉冲分别具有第一脉冲部分以及跟随第一脉冲部分的第二脉冲部分，从第一脉冲部分和第二脉冲部分向组织中引入电荷，其他脉冲部分从组织中撤出电荷，在第一脉冲部分和第二脉冲部分之间分别保持停顿。
用于有效侵入并且振幅受到调制神经元刺激设备

[发明专利]用于针对单个电子运动的分岔的连接部件-CN202080065558.1在审
发明人： M·库内;H·布鲁姆;L·施莱伯 -专利权人：德国亚琛工业大学;于利奇研究中心有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子部件(10)，所述电子部件由带有用于运动量子点(52)的栅电极组件(16,18,20)的半导体部件或类半导体结构形成。所述电子部件(10)包括具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,20)与电压源连接。具有栅电极(22,24)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件的面(14)上，以用于在基底(12)中产生势阱(50)。栅电极组件(16)具有平行伸延的电极指(32,34)，其中电极指(32,34)周期性地交替相互连接，这引起势阱(50)几乎连续运动穿过基底(12)，其中量子点(52)与所述势阱(50)一起在一方向上平移。
用于针对单个电子运动分岔连接部件

[发明专利]用于读取在量子点中的量子位的状态的部件-CN202080065541.6在审
发明人： M·库内;H·布鲁姆;L·施莱伯 -专利权人：德国亚琛工业大学;于利奇研究中心有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于读取在量子点(42)中的量子位的量子状态的电子部件(10)，其由带有栅电极组件(16,18)的半导体部件或类半导体的结构构成。该电子部件包括带有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电气触点连接栅电极组件(16,18)与电压源。栅电极组件(16,18)具有栅电极(20,22,30,32,34,38,40)，其布置在电子部件(10)的面(14)处以用于在基底(12)中产生势阱(46,48,62,64,66)。此外，本发明涉及一种用于这样的电子部件(10)的方法。
用于读取量子中的状态部件

[发明专利]用于量子位的逻辑互连的电子结构部件-CN202080065546.9在审
发明人： M·库内;H·布鲁姆;L·施莱伯 -专利权人：德国亚琛工业大学;于利奇研究中心有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于量子计算机的量子位的逻辑互连的电子结构部件(10,110,210,310,410)，所述电子结构部件由半导体部件或类半导体结构形成，所述电子结构部件包括：具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)；和具有栅电极(122,124,126,128)的栅电极组件(116,118,120)，所述栅电极组件布置在所述电子结构部件(10,110,210,310,410)的面(14)上。电接触部连接以为了将栅电极组件(116,118,120)与电压源连接。栅电极组件(116,118,120)的栅电极(122,124,126,128)具有平行伸延的电极指(132,134,136,138)。
用于量子逻辑互连电子结构部件

[发明专利]具有用于更长距离的单电子移动的带装置的构件-CN202080065576.X在审
发明人： I·赛德勒;H·布鲁姆;L·施莱伯;M·库内 -专利权人：德国亚琛工业大学;于利奇研究中心有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件（10、110），该电子器件被设计成半导体或者被设计得具有用于使量子点（68、168）在一定距离上移动的类半导体结构。该电子器件（10、110）包括衬底（32、132），其具有二维电子气或电子空穴气。在该电子器件（10、110）的表面（31、131）上布置有栅电极装置（16、18、20、116、118、120），该栅电极装置具有栅电极（38、40、42、44、138、140、142、144）。该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）在衬底（32、132）中产生势阱（66、166）。在此，设置用于使该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）与电压源连接的电连接端。本发明还涉及一种用于这种电子器件（10、110）的方法。
具有用于更长距离电子移动装置构件

[发明专利]用于量子点中的量子位的操纵区-CN202080065544.X在审
发明人： M·库内;H·布鲁姆;L·施莱伯 -专利权人：德国亚琛工业大学;于利奇研究中心有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子部件(10)，该电子部件由具有栅电极组件(16,18,40)的半导体部件或类半导体结构形成，用于操纵在量子点(52,54)中的量子位的量子状态，该电子部件包含具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,40)与电压源连接。具有栅电极(20,22,24,26)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件(10)的面(14)上以在所述基底(12)中产生能运动的势阱(56,58)。第二栅电极组件(40)用于生成毗邻于第一栅电极组件(16)的势垒。栅电极组件(16,18,40)具有平行伸延的电极指(28,30,32,34)，其中所述第一栅电极组件(16)的电极指(28,30,32,34)周期地交替地互相连接，以促使势阱(56,58)通过基底(12)的几乎连续的运动。
用于量子中的操纵

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