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[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN202310850040.4在审
发明人：朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述第一装置层连接到所述封装触点的再分布互连件。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔(66)。所述第二模化合物填充所述空腔，并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780063121.2有效
发明人：朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述第一装置层连接到所述封装触点的再分布互连件。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔(66)。所述第二模化合物填充所述空腔，并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780062516.0有效
发明人：小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔纳森·哈勒·哈蒙德;乔恩·查德威克;朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片驻留在所述多层再分布结构的顶部表面上方。所述多层再分布结构包括至少一个支撑垫(52(1))，所述至少一个支撑垫在所述多层再分布结构的底部表面上并且与所述第一薄化裸片垂直地对准。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口(54)。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]倒装芯片模块及其制造方法-CN202210148387.X在审
发明人：朱利奥·C·科斯塔;托马斯·斯科特·莫里斯;乔纳森·哈勒·哈蒙德;大卫·扬德金斯基;斯蒂芬·帕克;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种倒装芯片模块及其制造方法。该倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，第一模制化合物位于顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于第一模制化合物的第一部分之上并且具有延伸穿过第一模制化合物的第一部分到达顶表面的第一组互连件，第一模制化合物的第一部分填充第一薄化的倒装芯片管芯和顶表面之间的区域；第二模制化合物，位于载体之上并且与第一模制化合物接触并且在第一薄化的倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，第一凹陷延伸到第一薄化的倒装芯片管芯的第一管芯表面；第三模制化合物，位于第一凹陷中并覆盖第一薄化的倒装芯片管芯的第一暴露表面，第三模制化合物包括导热添加剂以提供通过第三模制化合物的导热。
倒装芯片模块及其制造方法

[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装-CN201980079375.2在审
发明人： 乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种增强晶片级封装的性能的封装工艺。所公开的封装包含多个模制化合物(26、34、42)、多层重布结构，以及具有装置层和所述装置层下方的裸片凸块(30)的经薄化裸片(10T)。所述多层重布结构包含在所述多层重布结构的底部处的封装接触件(50)以及将所述裸片凸块连接到所述封装接触件的重布互连件(46)。第一模制化合物(26)驻留于所述经薄化裸片周围以囊封所述经薄化裸片的侧壁，且延伸超出所述经薄化裸片的顶部表面以界定所述经薄化裸片上方的开口。第二模制化合物(34)驻留于所述多层重布结构与所述第一模制化合物之间以囊封所述装置层的底部表面和每一裸片凸块。第三模制化合物(42)填充所述开口且与所述经薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片级扇出封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装-CN201980077328.4在审
发明人： 乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级扇出封装，其包含第一经薄化裸片(12T)、第二裸片(14)、所述第一经薄化裸片和所述第二裸片下方的多层重布结构(16)、所述第二裸片上方的第一模制化合物(18)、所述多层重布结构上方以及所述第一经薄化裸片和所述第二裸片周围的第二模制化合物(20)，以及第三模制化合物(22)。所述第二模制化合物延伸超出所述第一经薄化裸片以界定所述第二模制化合物内和所述第一经薄化裸片上方的开口(42)，使得所述第一经薄化裸片的顶部表面在所述开口的底部处。所述第一模制化合物的顶部表面和所述第二模制化合物的顶部表面是共面的。所述第三模制化合物填充所述开口且与所述第一经薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片级扇出封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780058052.6在审
发明人：扬·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
再分布薄化裸片多层第一装置第一模互连件晶片级封装顶部表面第二模封装开口焊料玻璃材料底部表面增强性能驻留触点填充种晶延伸

[发明专利]具有增强性质的倒装芯片模块-CN201680058198.6在审
发明人：朱利奥·C·科斯塔;托马斯·斯科特·莫里斯;乔纳森·哈勒·哈蒙德;大卫·扬德金斯基;斯蒂芬·帕克;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了具有至少一个倒装芯片管芯的倒装芯片模块。所述倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，其中第一模制化合物位于所述顶表面上。第一模制化合物设置于所述载体的所述顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于所述第一模制化合物的第一部分之上，其中互连件延伸穿过所述第一部分到达所述顶表面，其中所述模制化合物的所述第一部分填充所述第一倒装芯片管芯和所述顶表面之间的区域。第二模制化合物位于所述衬底之上并且在所述第一倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，其中所述第一凹陷延伸到所述第一倒装芯片管芯的第一管芯表面。第三模制化合物位于所述第一凹陷中并覆盖所述倒装芯片管芯的暴露表面。
倒装芯片管芯顶表面倒装芯片第一模凹陷模制化合物暴露表面管芯表面延伸穿过第二模互连件薄化衬底填充延伸覆盖

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