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[发明专利]单晶体的制备方法和硅晶体-CN202111619092.8有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体的制备方法和硅晶体。其制备方法包括：在等径生长阶段，根据方程Gh＝a*h2+b*h+G0得到Gh，根据方程GH＝k*H+G0得到GH，其中，a和b为常数，h及H为相对于固液界面高度，分别取值为‑10～0mm、0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，GH为距离固液界面H区域处的轴向温度梯度；在固液界面至第一参考面区域内调整温度梯度至Gh，在固液界面至第二参考面区域内调整温度梯度至GH。该方法通过量化控制固液界面上方及下方区域内轴向温度梯度，使形成的I型和V型点缺陷在固液界面处扩散和再复合，减小点缺陷形成浓度，控制微缺陷的尺寸，增加完美晶体窗口宽度。
单晶体制备方法晶体

[实用新型]导流筒及具有其的单晶炉-CN202321266859.8有效
发明人：陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导流筒及具有其的单晶炉，导流筒包括：石墨件，石墨件限定出硅料盛放腔，硅料盛放腔沿石墨件的周向延伸成环形，硅料盛放腔的顶部和径向内侧形成有敞开口，石墨件还具有熔汤流道，熔汤流道的一端与硅料盛放腔连通，熔汤流道的另一端延伸至石墨件的底壁且与坩埚的化料腔连通；石英件，石英件盖设于石墨件的上侧和径向内侧，石英件遮盖硅料盛放腔的敞开口，石英件的中心限定出中空通道，中空通道与石墨件间隔开；感应线圈，感应线圈设于石墨件内，且位于硅料盛放腔和熔汤流道的径向外侧，感应线圈环绕硅料盛放腔和熔汤流道设置。根据本实用新型的导流筒，可避免液面发生波动，提升晶体的生长品质。
导流具有单晶炉

[实用新型]半导体晶棒取棒车-CN202321255900.1有效
发明人：张理杰;唐大兵;汪佳 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶棒取棒车，包括：电动搬运车，电动搬运车的前端具有水平设置的货叉；车体，所述车体安装在所述货叉上；旋转组件，用于带动转移工装及晶棒旋转，所述旋转组件与所述车体转动连接，所述旋转组件上垂直固定两个平行设置的连接柱，两个所述连接柱与所述转移工装上的两个套筒相配适，所述旋转组件与动力组件连接。本实用新型的半导体晶棒取棒车将旋转组件与动力组件连接，动力组件带动旋转组件、转移工装及晶棒旋转，与单晶炉、转移工装配合，可将长度大于1.7米的晶棒从炉内取出；车体安装到电动搬运车的货叉上，电动搬运车的电机作为动力来源，运输晶棒到指定位置，节省人力。
半导体晶棒取棒车

[实用新型]多晶硅料自动加料器及加料系统-CN202321271306.1有效
发明人：张龙飞;唐大兵;杨凯;汪佳 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅料自动加料器，包括：升降架，升降架包括竖直架和水平架，竖直架垂直固定于水平架的一端；移动平台，移动平台与水平架滑移连接；存料斗，存料斗固定于移动平台的上方，存料斗的底部开设有出料口；振动给料机，振动给料机的一端与出料口连接，其另一端通过加料槽与二加石英管的加料口连通，加料槽倾斜向下设置。本实用新型公开了一种多晶硅料自动加料器的加料系统通过设置升降车，方便位置的转移，同时升降架的高度可调，方便加料，节省人力，适用于各种高度的加料口，移动平台与水平架滑移连接，可以微调给料槽与加料槽之间的距离，同时激光传感器的设置，可以精确控制二者的距离，防止撒料的同时防止二者相撞。
多晶自动料器加料系统

[实用新型]晶棒取棒车的定位调平系统-CN202321266307.7有效
发明人：张理杰;唐大兵;汪佳 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶棒取棒车的定位调平系统，包括：支腿调平组件，支腿调平组件至少有四个，每个支腿调平组件均包括升降机，四个升降机分别安装在车体四个拐角处，支腿调平组件通过升降机的升降运动对车体位置进行调平；激光定位组件，激光定位组件有两个，两个激光定位组件安装在车体同一侧的前后两端，每个激光定位组件均包括激光器；纵横向水平检测组件，纵横向水平检测组件安装于旋转架上，纵横向水平检测组件包括载板、横向水平仪和纵向水平仪，载板竖直安装在旋转架上表面的后端，载板与工装销轴垂直设置，载板的前端面水平固定有横向水平仪，载板的前端面竖直固定纵向水平仪，横向水平仪与纵向水平仪垂直设置。
晶棒取棒车定位系统

[实用新型]用于单晶炉的导流筒及单晶炉-CN202321289508.9有效
发明人：陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶炉的导流筒及单晶炉，单晶炉包括：导流筒、炉体和坩埚，导流筒包括：储料部，储料部限定出储料腔；弯曲部，弯曲部设于储料部的径向内侧，弯曲部限定出U形通道，U形通道的入口和出口均开口向下，且U形通道的入口与储料腔的顶部敞开口连通；缓冲部，缓冲部设于弯曲部的径向内侧，缓冲部限定出多个缓冲通道，多个缓冲通道沿缓冲部的周向方向均匀间隔设置；升降托板，升降托板设于储料腔内，且升降托板适于沿储料部的延伸方向上下移动，以将储料腔内的硅料推送至缓冲通道内。根据本实用新型的用于单晶炉的导流筒，通过控制升降托板向上移动的距离，可实现硅料的少量、多次投放，有利于保证晶棒的生长品质。
用于单晶炉导流

[实用新型]加料装置和晶体生长装置-CN202321333164.7有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型开了一种加料装置和晶体生长装置，加料装置包括加料管、阀体和遮挡组件，阀体可运动地设于出料口处以开关出料口，且在阀体运动至打开出料口的位置时，阀体的外周沿与出料口的外周沿上下至少部分间隔以限定出预设出料区，遮挡组件包括至少一个遮挡件，遮挡件可运动地设于加料管的底部，且遮挡组件具有遮挡位置，在遮挡位置时，在预设平面上，遮挡件的正投影位于阀体的正投影外轮廓外侧，遮挡组件位于预设出料区的径向外侧、遮挡组件的邻近加料管中心轴线的一端高于预设出料区的下边沿，预设平面与加料管的中心轴线垂直。加料装置可以将加料时飞溅的物料与周边热场隔开，以提升热场使用寿命。
加料装置晶体生长

[发明专利]自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统-CN202010257939.1有效
发明人：陈建铭;卢健平 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统，该方法包括：提供至少一个层叠设置的晶圆；基于每个所述晶圆上的缺陷信息，构建缺陷分布图；在所述缺陷分布图中划分至少一个预定区域；基于缺陷位置，确定每个所述预定区域中的预定缺陷的数量；将每个所述预定区域中的所述预定缺陷的数量与设定阈值进行比较，基于比较结果，确定检测结果。通过该方法，在卡控晶圆上的缺陷数量和缺陷种类的同时，还可以卡控缺陷的分布情况，避免缺陷分布集中导致的问题，从而更好地保证产出芯片的品质。
自动侦测卡控晶圆上缺陷方法系统

[实用新型]单晶炉-CN202321383850.5有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉，单晶炉包括：炉本体；坩埚，坩埚设于炉本体内，坩埚用于容纳熔汤；第一驱动组件，第一驱动组件设于炉本体上，第一驱动组件与第一掺杂件配合且用于驱动第一掺杂件沿上下方向移动以使第一掺杂件的下端伸入熔汤内，第一掺杂件包括第一主体部和第一掺杂剂，第一主体部与第一驱动组件连接，第一主体部设有用于容纳第一掺杂剂的多个第一收容腔，多个第一收容腔沿第一主体部的长度方向间隔设置，第一收容腔的敞开口处设有第一封堵塞，第一主体部和第一封堵塞适于熔融于熔汤以使第一掺杂剂进入熔汤内。根据本实用新型的单晶炉，实现了向熔汤内添加掺杂剂的要求，降低了掺杂剂的挥发损耗，提高了晶体的电阻率的可控性。
单晶炉

[发明专利]冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法-CN202111650923.8有效
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法，其中冷却装置用于晶体生长设备，且用于对晶体进行冷却，晶体具有多个预设区域，每个预设区域对应一个预设温度区间，冷却装置包括：冷却套，冷却套适于套设于晶体外，且冷却套的内周壁与晶体的外周壁间隔开，冷却套包括多个沿冷却套的轴向依次设置的冷却段，每个冷却段用于对对应预设区域进行冷却，且每个冷却段内限定出气流通道和冷却液通道，气流通道具有出气口，出气口适于朝向晶体吹送冷却气体，冷却液通道内具有冷却液，冷却液用于调节气流通道内的冷却气体的温度。该冷却装置结构简单，制造成本低廉，并且能够提升晶体的品质。
冷却装置晶体生长设备控制方法

[发明专利]气体分流组件和具有其的晶体生长装置-CN202111547069.2有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置，晶体生长装置还包括炉体，炉体形成有保护气进口，气体分流组件适于设于炉体内且位于保护气进口的下游侧，气体分流组件包括多个分流件，多个分流件沿气流流向间隔排布，每个分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，支撑框为环形，多个支撑框沿炉体的径向依次套设设置，每组散风筋组包括沿炉体的周向间隔设置的散风筋，相邻两个支撑框之间通过一组散风筋组相连，每个散风筋的两端分别与相应的两个支撑框相连。根据本发明的气体分流组件，可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定，提升晶体品质。
气体分流组件具有晶体生长装置

[发明专利]加料管、加料方法和晶体生长设备-CN202210344847.6有效
发明人：陈俊宏;高海棠 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种加料管、加料方法和晶体生长设备，加料管用于晶体生长设备，且包括管体和多个分隔件，管体限定出加料腔，加料腔包括多个沿管体的轴向依次布置的盛放腔，每个盛放腔的周壁形成有出料口，多个分隔件沿管体的轴向间隔设置，每个分隔件设于对应盛放腔，且分隔件可在遮挡位置和避让位置之间运动，在遮挡位置，分隔件位于对应出料口的上侧以遮挡对应出料口，在避让位置，分隔件的至少部分位于对应出料口的下侧以避让对应出料口。根据本发明的加料管，加料较为分散，有利于提升后续化料效率。
加料方法晶体生长设备

[发明专利]直拉单晶的制备方法以及单晶炉-CN202211103909.0在审
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种直拉单晶的制备方法以及单晶炉，所述直拉单晶的制备方法包括：在熔体和生长中的单晶之间的界面处形成光环，检测装置用于检测所述光环宽度，并根据所述光环宽度确定所述熔体的温度，其中，所述熔体为填充在坩埚中的原料熔融形成的溶液，所述单晶的生长过程包括引晶阶段、放肩阶段、等径阶段、收尾阶段。由此，可更加准确的确定光环宽度，以准确控制熔体温度使其达到单晶生长的预设温度，提高单晶的制备效率，提高工艺的可重复性。
直拉单晶制备方法以及单晶炉

[发明专利]导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法-CN202210765481.X有效
发明人：陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法，导流组件包括：第一导流件、第二导流件和第一驱动件。第一导流件设置于坩埚上方；第二导流件与第一导流件沿长晶炉轴向间隔设置，第一导流件与第二导流件之间限定出第一流道，第一流道的进气口朝向坩埚；第一驱动件与第一导流件和/或第二导流件连接，用于驱动第一导流件与第二导流件远离或靠近，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸。根据本发明实施例的导流组件，通过第一导流件和第二导流件相互远离或者靠近，可以使得第一流道和第三流道被分别打开或者关闭，从而能较好地对长晶炉内的气体压力进行调控，以维持长晶炉内气氛环境的稳定。
导流组件具有长晶炉方法

[发明专利]控制生长完美硅晶体的方法及硅晶体-CN202210112241.X有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人： 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了控制生长完美硅晶体的方法及硅晶体，该制备方法包括：获取完美晶棒生长过程中，晶棒上任一指定位置在不同长晶长度时对应的温度；根据晶棒上所述指定位置在不同长晶长度时对应的温度，计算指定温度对应的晶棒长度；根据所述指定温度对应的晶棒长度计算指定温度范围对应的温度带的宽度；根据所述温度带的宽度以及长晶拉速，计算所述指定位置通过所述温度带所需的时间；根据所述指定位置通过所述温度带所需的时间，在所述指定位置经过所述温度带时调节长晶炉中冷却装置的冷却效率。该方法为完美晶体的长晶过程中如何调节长晶炉中冷却装置的冷却效率提供了理论依据，从而提高了晶体品质和完美晶体的良率。
控制生长完美晶体方法

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