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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器系统-CN202210696772.8在审
发明人：柴崎健太;进藤佳彦;平嶋康伯;菅原昭雄;长坂繁辉;中村大;萩原洋介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提高存储器系统的处理能力。根据实施方式，存储器系统包括包含存储单元阵列(111)的存储器芯片(11)、及控制存储器芯片的存储器控制器(20)。在存储单元阵列中，存储在存储器芯片启动时执行的第1动作(POR)中所使用的第1数据(芯片启动数据)。存储器芯片在从存储器控制器接收到第1数据的情况下，在第1动作中不从存储单元阵列读出第1数据，而在未从存储器控制器接收到第1数据的情况下，在第1动作中从存储单元阵列读出第1数据。
存储器系统

[发明专利]存储装置-CN202010023238.1在审
发明人：黑沢智紀;中村大 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够不妨碍高速动作而准确检测字线间的漏电的存储装置。实施方式的存储装置具备：存储单元(MTA)；字线(WLA)，连接于存储单元；字线驱动器(10)，产生针对字线的选择信号；第1晶体管(20)，包含供输入由字线驱动器产生的选择信号的栅极、及将基于选择信号的信号供给到字线的漏极；以及检测电路(30)，检测基于将数据写入存储单元之后的验证期间中于第1晶体管流通的电流的值。
存储装置

[发明专利]旋转电机-CN201780029537.2在审
发明人：北原基男;中村大 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转电机，利用插入部件将形成于转子铁芯的永磁体收纳孔和插入其中的永磁体固定在一起，能够防止插入部件流出到转子铁芯永磁体收纳孔的外部，并且通过减小从磁体至转子铁芯的热阻，能够抑制永磁体的温度上升。本发明为包括转子和定子的旋转电机，其中所述转子包括：旋转轴；永磁体；形成有用于收纳该永磁体的收纳部的转子铁芯；具有所述永磁体侧的固接面和所述收纳部的内面侧的剪切面的插入部件，其用于将所述永磁体固定在所述收纳部，所述永磁体在不固接所述插入部件的一面与所述转子铁芯接触。
永磁体转子铁芯插入部件旋转电机收纳部转子收纳孔剪切收纳固接面旋转轴固接减小内面热阻流出外部

[发明专利]旋转电机及其制造方法-CN201380043776.5有效
发明人：中山健一;福田知纮;加瀬政道;又平浩;小岛和夫;中村大;小野瀬伸;美留町光明;清水尚也 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H02K3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种将线圈端小型化了的旋转电机。该旋转电机包括定子(130)，其包括形成有排列在周向上的多个槽(420)的定子铁心(132)和插入到该定子铁心的上述槽内的定子线圈(138)；和转子(150)，其与上述定子铁心隔着间隙可旋转地配置，上述定子线圈通过将成形为大致U字形状的由矩形截面的导体形成的多个分段线圈(28)多个连接而构成，上述分段线圈在端部具有与其它的分段线圈连接的连接部(800)，上述连接部具有角部(810)。
旋转电机及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器-CN200810081774.6无效
发明人：细野浩司;吉原正浩;中村大;甲斐洋一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-13 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本发明一方面的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列(12A和12B)，包括多个单元元件；电源衬垫(19)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的第一方向的一端上；以及页缓冲器(13A－u和13B－u)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的所述第一方向上。所述非易失性半导体存储器还包括：多条位线(BL(M1))，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)上且沿所述第一方向延伸；以及第一电源线(Vss(M2))，设置在所述存储单元阵列上的所述多条位线(BL(M1))上，以连接所述电源衬垫(19)和所述页缓冲器(13A－u和13B－u)。
非易失性半导体存储器

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