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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201410347680.4有效
发明人：小谷淳二;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。根据本公开的半导体装置包括在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。
半导体装置

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201410098707.0有效
发明人：石黑哲郎;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种化合物半导体器件，包括衬底；和形成在衬底之上的化合物半导体层叠结构，该化合物半导体层叠结构包括含杂质的缓冲层，和形成在缓冲层之上的有源层。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件-CN201410427698.5有效
发明人：石黑哲郎;小谷淳二;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。
具有氮化物半导体制成缓冲半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201310329317.5有效
发明人：石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310316249.9有效
发明人：小谷淳二;石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置，该半导体装置包括衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310349467.2有效
发明人：石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。
半导体装置

[发明专利]半导体晶体衬底、半导体装置及其制造方法-CN201310329130.5在审
发明人：苫米地秀一;小谷淳二;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供半导体晶体衬底和半导体装置及其制造方法。制造半导体晶体衬底的方法包括通过将包含氮组分的气体供给到由包含硅材料形成的衬底并使衬底的表面氮化来形成氮化物层；以及通过供给包含氮组分的气体和包含Al的源气体而在氮化物层上形成AlN层。
半导体晶体衬底装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201310378765.4无效
发明人： 中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;小谷淳二;今西健治 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器-CN201310209732.7有效
发明人：小谷淳二;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。
化合物半导体器件及其制造方法电源装置高频放大器

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210581650.0有效
发明人：石黑哲郎;山田敦史;中村哲一;今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法-CN201310062374.1无效
发明人： 中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;宫岛丰生;今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的成核层；形成在成核层之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一氮化物半导体层以及形成在第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小，并且X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。
半导体器件氮化物半导体晶体及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201080070366.6有效
发明人： 中村哲一;尾崎史朗;武田正行;宫岛豊生;多木俊裕;金村雅仁;今西健治;吉川俊英;渡部庆二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法-CN201210264652.7有效
发明人：宫岛丰生;今西健治;山田敦史;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。
化合物半导体器件用于制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210262950.2有效
发明人： 中村哲一;山田敦史;尾崎史朗;今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法-CN201210042246.6有效
发明人：尾崎史朗;武田正行;中村哲一;今纯一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。
制造半导体器件方法清洁半导体衬底

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