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[发明专利]光盘装置及其信息记录再现方法-CN200710007099.8有效
发明人：武田信博;原井充;中岛俊贵 -专利权人：日立乐金资料储存股份有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G11B7/09 文献下载
摘要：本发明的光盘装置构成为：作为光拾取器的物镜的聚焦控制，根据基于反射激光中的0次光的信号形成像散方式的第一聚焦误差信号，而且，根据基于该0次光的信号与基于该±1次光的信号形成差动像散方式的第二聚焦误差信号，在光盘记录层中的记录或再现动作时，由该第二聚焦误差信号进行物镜的聚焦控制，而且，在进行光盘记录层的切换对应的聚焦跳越时，由所述第一聚焦误差信号进行物镜的聚焦控制。
光盘装置及其信息记录再现方法

[发明专利]半导体基板的处理方法、半导体部件以及电子机器-CN200510133836.X无效
发明人：松尾弘之;宫崎邦浩;中岛俊贵 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的半导体基板的处理方法，是使用含有NH₄OH和HF的处理液对半导体基板进行处理的方法，当设处理液中的NH₄OH的浓度为X[mol/L]，设处理液中的HF的浓度为Y[mol/L]时，满足0.30≤X/Y≤0.78的关系、以及0.03≤Y≤6.0的关系。处理液优选实质上不含H₂O₂。另外，供于本发明的处理方法的半导体基板，优选其表面附近的至少一部分由高熔点金属构成。由此，本发明提供一种能够选择性地去除在半导体基板的表面附近存在的污染物质(无用物质)的半导体基板的处理方法，提供一种使用这样的方法制造的可靠性高的半导体部件，另外还提供一种具备所述半导体部件的可靠性高的电子机器。
半导体处理方法部件以及电子机器

[发明专利]制造半导体器件的方法以及一种半导体衬底-CN200510109849.3有效
发明人：宫崎邦浩;松尾弘之;中岛俊贵 -专利权人：株式会社东芝;精工爱普生株式会社
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。
制造半导体器件方法以及一种半导体衬底

[发明专利]半导体制造装置以及化学试剂交换方法-CN200510093088.7有效
发明人：宫崎邦浩;火口隆司;中岛俊贵 -专利权人：株式会社东芝;精工爱普生株式会社
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于清洗半导体衬底的半导体制造装置，包括：高温循环型化学试剂槽(11)，填充有用于清洗半导体衬底(13)的化学试剂(12)，并且其中所述化学试剂(12)被循环和再利用；排放机构(21)，将所述化学试剂槽(11)中的所述化学试剂(12)从其中排出；辅助液体供应机构(32)，向被视为废化学试剂的已排出化学试剂(12)添加辅助液体，从而加热所述废化学试剂；热量交换器(31)，在其中暂时存储所述加热的废化学试剂和允许新化学试剂流入，并且通过热量交换，冷却所述废化学试剂，并升高所述新化学试剂的温度；以及导管，在其中向所述化学试剂槽(11)供应所述新化学试剂，所述新化学试剂具有在所述热量交换器中被升高的温度。
半导体制造装置以及化学试剂交换方法

[发明专利]蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置-CN200510091987.3有效
发明人：松尾弘之;中岛俊贵;宫崎邦浩 -专利权人：精工爱普生株式会社;株式会社东芝
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO₂构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO₂的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。
蚀刻方法形成沟槽隔离结构半导体装置

[发明专利]晶片清洗方法与设备-CN200410083298.3有效
发明人：宫崎邦浩;火口隆司;中岛俊贵;松尾弘之 -专利权人：株式会社东芝;大日本斯克林制造株式会社;精工爱普生株式会社
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。
晶片清洗方法设备