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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅单晶制造方法、硅单晶和晶片-CN201180063344.1有效
发明人： 中居克彦;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。
硅单晶制造方法晶片

[发明专利]制造退火晶片的方法-CN201180056597.6有效
发明人： 中居克彦;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
制造退火晶片方法

[发明专利]硅单晶基底及其制造方法-CN201210558695.6有效
发明人： 中居克彦;大久保正道;坂本光 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。
硅单晶基底及其制造方法

[发明专利]P型硅单晶以及其制造方法-CN201210391297.X有效
发明人： 中居克彦 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供电阻率高并且电阻率变化率较小的p型硅单晶以及其制造方法。解决方法：制造p型硅单晶1的方法，包括以下步骤：制备硅熔体7，所述硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比第一副掺杂物低的第二副掺杂物。用佐克拉斯基方法从硅熔体7生长电阻率不低于6Ωcm的硅单晶。
型硅单晶及其制造方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN201010621534.8有效
发明人： 中居克彦 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：硅晶片，其具有对角线长度为10nm至50nm的BMD，其中存在于距离硅晶片表面的深度为等于或深于50μm的位置上的BMD的密度为等于或大于1×1011/cm3，且{111}面在围绕BMD的所有的面中的比例作为BMD形态为等于或小于0.3。
晶片及其制造方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN201010621535.2有效
发明人： 中居克彦;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供由具有优异的氧化物薄膜GOI特性及高C型合格率的硅晶体组成的硅晶片。此外，还提供所述硅晶片的制造方法。所述硅晶片用氮、氢和碳掺杂，其包括：多个空隙，其中空隙总数的等于或多于50％形成气泡状空隙聚集体；空隙密度超过2×104/cm3且小于1×105/cm3的V1区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102至2×104/cm3的V2区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或大于80％；及块体微缺陷密度为等于或大于5×108/cm3。
晶片及其制造方法

[发明专利]外延晶片及其制备方法-CN201010510963.8有效
发明人： 中居克彦;T·米勒;碇敦;W·冯阿蒙;M·韦伯 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。
外延晶片及其制备方法

[发明专利]硅晶片及其制备方法-CN200910221758.7有效
发明人： 中居克彦;碇敦;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：问题：提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案：具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2×104/cm3且低于1×105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102-2×104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5×108/cm3。
晶片及其制备方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN200910266368.1有效
发明人：福田真行;中居克彦 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供可以在器件制造过程中同时抑制滑移位错和翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。根据本发明的硅晶片是具有八面体BMD的硅晶片。位于比距该硅晶片表面20μm的深度更浅的位置处且对角线长度为200nm以上的BMD的浓度为2×109/cm3以下，而位于比50μm的深度更深的位置处且对角线长度为10nm以上至50nm以下的BMD的浓度为1×1012/cm3以上。
晶片及其制造方法

[发明专利]退火晶片和制备退火晶片的方法-CN200910226480.2无效
发明人：石坂和纪;中居克彦;福田真行 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请提供了对Cu的吸杂效果增强的退火晶片的制备方法。本申请提供了制备退火晶片的方法，其特征在于，该方法包括：在650到800℃的温度下加热氮浓度为5×1014到1×1016/cm3，碳浓度为1×1015到5×1016/cm3，氧浓度为6×1017到11×1017的硅基板4小时或更长的时间，并在1100到1250℃的温度下对加热的基板进行氩退火，其中退火后的内部层错密度等于或高于5×108/cm3。
退火晶片制备方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN200880014413.8有效
发明人： 中居克彦;福田真行 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2008-05-01 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片及其制造方法，其中在器件制造过程中滑移位错和翘曲的产生均被抑制。本发明的硅晶片包含八面体BMD，在存在于距硅晶片表面不小于50μm的深度的BMD中，对角线尺寸为10nm至50nm的BMD的密度不小于1×10¹²/cm³，BSF的密度不大于1×10⁸/cm³。本发明硅晶片的间隙氧浓度为不小于4×10¹⁷个原子/cm³至不大于6×10¹⁷个原子/cm³，而对角线尺寸不小于200nm的BMD的密度为不大于1×10⁷个原子/cm³。
晶片及其制造方法

[发明专利]用于制造p^－掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法-CN200710152826.X有效
发明人： W·V·阿蒙;中居克彦;M·韦伯;H·施密特;碇敦 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-09-18 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造p^－掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并在此期间用硼、氢和氮进行掺杂，将其加工成外延涂覆的p^－掺杂的半导体晶片。
用于制造 sup 掺杂外延半导体晶片方法

[发明专利]硅半导体晶片及其制造方法-CN200710153492.8有效
发明人： 中居克彦;W·V·阿蒙;福岛圣;H·施密特;M·韦伯 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供其中滑移位错及翘曲均被抑制得极小且适合于直径增大的高品质硅晶片及其制造方法。获得存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×10¹¹/cm³至5×10¹³/cm³的范围内且尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×10⁷/cm³的硅晶片。
半导体晶片及其制造方法

[发明专利]外延晶片以及制造外延晶片的方法-CN200710002219.5有效
发明人： 中居克彦;福原浩二 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制造外延晶片的方法，该方法允许在基板的径向部分均匀产生氧沉淀物，并且外延层的晶体质量优异。本发明还提供一种制造外延晶片的方法，其特征在于，使用氮浓度为5×10¹⁴～5×10¹⁵个原子/cm³和碳浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁸个原子/cm³的加有氮和碳的硅单晶基板作为衬底，在制造硅单晶过程中具有其中衬底整个表面成为OSF区的晶体生长条件，在晶体生长过程中以1100～1000℃间不小于4℃/分钟的冷却速度提位，并通过外延方法在衬底表面上沉积硅单晶层。
外延晶片以及制造方法

[发明专利]退火晶片以及退火晶片的制造方法-CN200610172531.4有效
发明人： 中居克彦;福原浩二 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：于晶体生长期间在1100至1000℃的冷却速率为4℃/分钟或更高的情况下拉伸掺氮的硅单晶基材，其中氮浓度为1×10¹⁴原子/cm³至5×10¹⁵原子/cm³，且V/G满足作为硅单晶制造期间的晶体生长条件的预定条件，该基材在非氧化气氛中实施热处理。
退火晶片以及制造方法

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