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[发明专利]一种APD集成芯片及其制造方法-CN202111024696.8在审
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种APD集成芯片及其制造方法，所述的APD集成芯片由具有光电特性的APD部分与具有光敏特性的光敏部分组成。所述的PAD部分为具有SAGCM结构的雪崩二极管，光敏区的其中一端与APD电气互联，另一端接地，在强光照射下其电阻由高电阻减低，可以让电流直接通过光敏电阻区向接地端流动，达到保护APD目的。
一种 apd 集成芯片及其制造方法

[实用新型]用于穿刺的辅助定位装置和定位系统-CN201920310495.6有效
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于穿刺的辅助定位装置及定位系统，所述辅助定位装置具有分别分布有多个一类定位点和多个二类定位点的第一表面和第二表面，通过采集包括目标点和一类定位点的图像数据，确定一个一类定位点为穿刺点，将目标点和穿刺点的连线延伸至第二表面并通过交点确定一个二类定位点，通过确定的与目标点位于同一直线上的一类定位点和二类定位点，即确定了穿刺点和穿刺角度；所述定位系统包括上述辅助定位装置、医学影像设备以及数据处理装置。本实用新型提供的用于穿刺的辅助定位装置及定位系统通过在穿刺前确定穿刺点和穿刺角度，可对目标点进行准确定位，提高穿刺的准确性；且可在停止扫描的状态下进行穿刺，提高穿刺过程的安全性。
用于穿刺辅助定位装置系统

[发明专利]LED显示设备及其制造方法-CN201710797756.7有效
发明人： 严光能;严松涛 -专利权人： 严光能;杨保证
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED显示设备及其制造方法，所述LED显示设备包括在显示基底上设置或形成的复数的显示单元，每个所述显示单元包括一个或多个子像素，每个子像素之内包括有用于形成像素驱动电路的驱动区域和用来设置LED的非驱动区域。所述驱动区域设置或形成有薄膜晶体管(TFT)，在非驱动区域设置或形成有凹槽，所述LED设置于所述凹槽内，并且所述LED背离所述凹槽底面的表面与凹槽的开口平面齐平。所述LED的第一接触电极与薄膜晶体管连接。本发明提供的LED显示设备可以通过行列扫描的方式对所述LED显示设备上的每个子像素进行寻址定位，并且可以通过控制LED的发光实现显示功能。
led 显示设备及其制造方法

[实用新型]芯片转移装置-CN201920063497.X有效
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片转移装置。所述芯片转移装置包括基底以及在基底上叠加设置的至少一层线圈功能层，每层线圈功能层包括多个线圈单元，每个线圈单元包括底层导电线段组、柱状软磁体以及顶层导电线段组，顶层导电线段组和底层导电线段组连接以形成螺旋状结构。多个线圈单元在通电状态时可作为螺线管产生磁性，从而可以同时吸附多个具有磁性表面的芯片，相对于现有技术可以提高芯片转移的效率，在用于LED芯片转移时，有利于满足关于LED芯片转移技术的数量庞大、高效率的要求。
导电线段芯片线圈单元转移装置线圈功能顶层基底本实用新型螺旋状结构磁性表面叠加设置通电状态高效率螺线管软磁体组连接吸附柱状

[实用新型]LED显示器-CN201821856694.9有效
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示器技术领域，提供了一种LED显示器，所述LED显示器包括在基底上依次叠加设置的金属层和驱动层，所述金属层中形成有多个微孔，每个微孔中均嵌有LED芯片，所述驱动层包括与所述多个微孔一一对应的驱动单元，每个驱动单元均与对应微孔内的LED芯片电连接。所述LED显示器有利于降低LED芯片与对应的驱动单元之间实现电气互连的难度，提高显示分辨率，并且，一体化的金属层可将LED芯片在工作时散发的热量导出，金属层可有效隔离位于相邻微孔中的LED芯片发出的光线，均有利于提升LED显示器的性能。
微孔金属层驱动单元驱动层显示器技术领域本实用新型显示分辨率电气互连依次叠加有效隔离电连接导出基底嵌有一体化散发

[发明专利]用于穿刺的辅助定位装置和定位系统-CN201910185242.5在审
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于穿刺的辅助定位装置及定位系统，所述辅助定位装置具有分别分布有多个一类定位点和多个二类定位点的第一表面和第二表面，通过采集包括目标点和一类定位点的图像数据，确定一个一类定位点为穿刺点，将目标点和穿刺点的连线延伸至第二表面并通过交点确定一个二类定位点，通过确定的与目标点位于同一直线上的一类定位点和二类定位点，即确定了穿刺点和穿刺角度；所述定位系统包括上述辅助定位装置、医学影像设备以及数据处理装置。本发明提供的用于穿刺的辅助定位装置及定位系统通过在穿刺前确定穿刺点和穿刺角度，可对目标点进行准确定位，提高穿刺的准确性；且可在停止扫描的状态下进行穿刺，提高穿刺过程的安全性。
穿刺定位点辅助定位装置定位系统穿刺点目标点第二表面数据处理装置医学影像设备第一表面停止扫描同一直线图像数据准确定位点位连线采集延伸

[发明专利]芯片转移装置及其制作方法、LED芯片转移方法-CN201910036502.2在审
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片转移装置及其制作方法、LED芯片转移方法。所述芯片转移装置包括基底以及在基底上叠加设置的至少一层线圈功能层，每层线圈功能层包括多个线圈单元，每个线圈单元包括底层导电线段组、柱状软磁体以及顶层导电线段组，顶层导电线段组和底层导电线段组连接以形成螺旋状结构。多个线圈单元在通电状态时可作为螺线管产生磁性，从而可以同时吸附多个具有磁性表面的芯片，相对于现有技术可以提高芯片转移的效率。本发明领另外提供了所述芯片转移装置的制作方法以及利用所述芯片转移装置的LED芯片转移方法，有利于满足关于LED芯片转移技术的数量庞大、高效率的要求。
转移装置芯片导电线段线圈单元线圈功能顶层基底制作螺旋状结构磁性表面叠加设置通电状态高效率螺线管软磁体组连接吸附柱状

[发明专利]LED显示器及其制作方法-CN201811340457.1在审
发明人： 严光能 -专利权人： 严光能
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及显示器技术领域，提供了一种LED显示器及其制作方法，所述LED显示器包括在基底上依次叠加设置的金属层和驱动层，所述金属层中形成有多个微孔，每个微孔中均嵌有LED芯片，所述驱动层包括与所述多个微孔一一对应的驱动单元，每个驱动单元均与对应微孔内的LED芯片电连接。所述LED显示器有利于降低LED芯片与对应的驱动单元之间实现电气互连的难度，提高显示分辨率，并且，一体化的金属层可将LED芯片在工作时散发的热量导出，金属层可有效隔离位于相邻微孔中的LED芯片发出的光线，均有利于提升LED显示器的性能。所述LED显示器的制作方法与通用半导体工艺兼容。
微孔金属层驱动单元驱动层制作显示器技术领域半导体工艺显示分辨率电气互连依次叠加有效隔离电连接导出基底嵌有兼容一体化散发通用

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201510217852.0有效
发明人： 严光能;刘文雄 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：一基板，一在该基板上形成的衬底，在该衬底上依次形成的栅极、栅极绝缘层、沟道层，在该沟道层两侧上形成的源极和漏极；其中，该衬底为梯形体，衬底的材料为二氧化硅，其厚度为2um‑4um；栅极和沟道层也为梯形体，且栅极的表面积、沟道层的表面积与该衬底的表面积相等；所述的沟道层的材料为非晶硅或多晶硅或金属氧化物半导体。通过形成梯形的立体二氧化硅衬底，然后再其上形成立体的薄膜晶体管。通过这样的设计，可以减少因薄膜晶体管占用的像素区的面积，从而提高开口率。
一种薄膜晶体管阵列及其制造方法

[实用新型]LED显示设备-CN201721137897.8有效
发明人： 严光能;严松涛 -专利权人： 严光能;杨保证
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED显示设备，所述LED显示设备包括在显示基底上设置或形成的复数的显示单元，每个所述显示单元包括一个或多个子像素，每个子像素之内包括有用于形成像素驱动电路的驱动区域和用来设置LED的非驱动区域。所述驱动区域设置或形成有薄膜晶体管(TFT)，在非驱动区域设置或形成有凹槽，所述LED设置于所述凹槽内，并且所述LED背离所述凹槽底面的表面与凹槽的开口平面齐平。所述LED的第一接触电极与薄膜晶体管连接。本实用新型提供的LED显示设备可以通过行列扫描的方式对所述LED显示设备上的每个子像素进行寻址定位，并且可以通过控制LED的发光实现显示功能。
薄膜晶体管本实用新型非驱动区域驱动区域子像素像素驱动电路接触电极开口平面显示功能行列扫描复数基底齐平像素寻址发光背离

[发明专利]触控彩色滤光片及其制作方法、触控显示面板-CN201510135893.5有效
发明人： 严光能 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种触控彩色滤光片，特别涉及一种光触控彩色滤光片，包括基板；第一电极层，配置与该基板上，以定义出多个次像素区，且该电极层设有X电极；一半导体层，位于X电极之上；一第二电极层，位于所述半导体层之上，且该电极层设有Y电极；以及一色阻层，包括多个彩色滤光单元，分别配置于该些次像素区内。其X电极、Y电极以及其之间的半导体层形成三明治结构的光电二极管感应元件。在没有受到强光照的时候，该光电二极管处于反向截止状态，感应元件只有很小的漏电流，也就是关态，然而，当受到光照射的时候，该光电二极管产生大100倍以上的电流，此时，器件有电流通过处于开态。本发明的制程工艺不仅简单，还可以提高光触控的灵敏度。
彩色滤光及其制作方法显示面板

[发明专利]像素结构及其制造方法、显示面板-CN201410522972.7有效
发明人：王海宏;焦峰;严光能;延威;袁玲;郭峰;汤业斌;欧阳海燕;王海燕 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素结构、及其制造方法、显示面板。通过使用不同材料的绝缘层，让半导体器件中使用的金属氧化物表现出半导体特性，让阵列基板的数据线上方的金属氧化物表现出导体特性。氧化物半导体层两侧绝缘层都为氧化物绝缘材料，氧化物导体层两侧中至少一侧为含氢(H)或其他含有强还原性元素的绝缘材料。氧化物导体层作为数据线的屏蔽层，消除数据线信号对像素电极的影响，并且可以提高像素的开口率。制造过程中，制备屏蔽层的工序充分利用了已有器件的制造工序，简单易实现，无需增加加工成本。
像素结构及其制造方法显示面板

[发明专利]芯片封装结构及其制造方法-CN201710130012.X在审
发明人： 严光能;向艳;袁烨;汪显波 -专利权人：中航华东光电有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了芯片封装结构，所述芯片封装结构包括金属基板(4)和散热片(7)，所述金属基板(4)的一侧设置有多个凹槽(5)，所述散热片(7)上设置有多个与所述凹槽(5)相配合的金属材质的固定块(6)，所述固定块(6)一一对应固定在所述凹槽(5)中。该芯片封装结构克服现有技术中芯片封装技术所带来的热阻过大的问题。
芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]一种双面显示器及其组装方法-CN201410829029.0在审
发明人： 严光能 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种双面显示器及其组装方法，包括相对设置的第一液晶显示器和第二液晶显示器，所述第一液晶显示器和第二液晶显示器之间设有导光板、以及位于导光板侧边的LED灯条，通过LED灯条发生光源经过导光板同时为第一液晶显示器和第二液晶显示器提供背光源，并在所述第一液晶显示器的出光面设置有第一楔形板，在所述第二液晶显示器的出光面设置有第二楔形板，所述第一楔形板与第二楔形板，所述锲形板的截面为直角三角形，所述楔形板与对应的液晶显示器接触的平面为直角，出光面为斜面。本发明双面显示器结构是一个紧凑的显示器结构，体积小，质量轻，功耗低，安装方便，安全等特点，适合在大型公共区域使用。
一种双面显示器及其组装方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法-CN201410122981.7在审
发明人： 严光能 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，包括衬底基板，衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层和半导体有源层，半导体有源层位于栅极两侧位置分别设有源极和漏极，源极和漏极之间为导电沟道，半导体有源层包含依次覆盖在栅极绝缘层上阻值为R1的第一氧化物薄膜、阻值为R2的第二氧化物薄膜和阻值为R3的第三氧化物薄膜，第三氧化物薄膜源极和漏极位置阻值为R4，R4由特殊工艺减小第三氧化物薄膜的源极和漏极位置阻值得到，R1及R3的阻值均大于R2。保护绝缘层覆盖在除源极和漏极位置的半导体有源层上；金属层覆盖源极和漏极；本发明通过改变传统的半导体氧化物薄膜固定电阻为渐变电阻，从而实现减小漏电流，提高了器件稳定性。
一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法

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