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[发明专利]一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统-CN202110645549.6有效
发明人：张韶轩;郭靖;张毓盛;李坤 -专利权人： 东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统，切割方法包括：首先将晶圆放置在箍环绷紧的蓝膜上，然后根据晶圆的切割道宽度选取对应的切割刀片，根据晶圆的切割道宽度、晶圆的厚度以及芯片大小设定对应的切割参数，切割刀片按照切割参数对装配好的晶圆进行自动机械切割，最后对切割好的晶圆进行去离子水清洗后风淋甩干。切割控制系统包括：晶圆装配器、晶圆切割控制器和晶圆清洗处理器。本发明通过装配晶圆、切割晶圆和清洗、风淋甩干晶圆实现了对磷化铟晶圆的一次性自动机械切割，有效提高了切割效率；通过切割控制系统实现了整个晶圆切割工艺的自动化加工，提高了晶圆切割的加工精度和芯片的成品率。
一种磷化铟晶圆切割方法控制系统

[发明专利]一种晶圆减薄方法-CN202110645550.9有效
发明人：张韶轩;温虎;郭靖 -专利权人： 东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法，取一衬底进行预处理；在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离。以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理，使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑，可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险，提高晶圆的生产质量，有利于提高产品的良品率。
一种晶圆减薄方法