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[发明专利]有机薄膜晶体管-CN201280039616.9无效
发明人：冈地崇之;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题是提供场效应迁移率高、断态电流小的有机薄膜晶体管。本课题的解决手段是一种有机薄膜晶体管，在有机半导体层的内部中，将位于源电极的正上方或正下方的部分作为第1部分，位于漏电极的正上方或正下方的部分作为第2部分，与第1部分和第2部分不同的部分作为第3部分时，掺杂区域存在于第3部分、第1部分和第3部分、或第2部分和第3部分。
有机薄膜晶体管

[发明专利]聚合物、使用了该聚合物的有机薄膜和具有其的有机薄膜元件-CN201080011270.2无效
发明人：家裕隆;吉村笃轨;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C08F36/20 文献下载
摘要：本发明提供为低LUMO且具有高电荷传输性，并且对溶剂显示高溶解性的聚合物。本发明提供具有式(I)所表示的重复单元的聚合物。(式中，Ar⁰表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的杂环，X¹和X²可相同或不同，表示氧原子或硫原子。)
聚合物使用有机薄膜具有元件

[发明专利]含氟聚合物和使用其的有机薄膜-CN201080011246.9无效
发明人：家裕隆;二谷真司;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种对氧掺杂的稳定性、在有机溶剂中的溶解性这两方面都优异的含氟聚合物。本发明提供在重复单元中含有式(I)所表示的结构的含氟聚合物。(式中，R¹和R²可相同或不同，表示氢原子、卤原子或1价的基团。)
聚合物使用有机薄膜

[发明专利]共轭系化合物、以及使用它的有机薄膜及有机薄膜元件-CN201080011045.9无效
发明人：家裕隆;冈部诚;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C07D333/78 文献下载
摘要：本发明提供种具有以式(I)和/或式(II)表示的基团的共轭系化合物。式中，Ar表示可以具有取代基的3价的芳香族烃基或可以具有取代基的3价的杂环基，A表示氢原子、卤素原子或1价的基团。存在的多个A可分别相同或不同，并且其中的至少一个A表示吸电子性基团。Ar’表示可以具有取代基的碳数为6以上的2价的芳香族烃基或可以具有取代基的碳数为4以上的2价的杂环基，R¹及R²可相同或不同，表示氢原子、卤素原子或1价的基团，A’表示氢原子、卤素原子或1价的基团。存在的多个A’可分别相同或不同，至少一个A’表示吸电子性基团。
共轭化合物以及使用有机薄膜元件

[发明专利]支链型化合物、以及使用它的有机薄膜及有机薄膜元件-CN201080011342.3无效
发明人：家裕隆;冈部诚;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C07D333/78 文献下载
摘要：本发明提供一种支链型化合物，其特征在于，是包含核心部、与该核心部结合的至少3个侧链部以及分别与该侧链部结合的末端部的支链型化合物，其中，所述侧链部是连结有多个共轭系单元的基团，所述共轭系单元中的至少1个是2价的杂环基，所述末端部中的至少1个是以式(1)表示的基团，所述侧链部和所述末端部与所述核心部共轭。(式(1)中，Ar表示芳香族烃基或3价的杂环基，X表示氧原子、硫原子或以式(a)表示的基团；)(式(a)中，A表示氢原子、卤素原子或1价的基团，并且其中至少1个A是吸电性基团。)
支链型化合物以及使用有机薄膜元件

[发明专利]聚合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件-CN200980104946.X无效
发明人：辛川诚;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明的聚合物含有下述通式(1)所示的重复结构，L和X分别独立地由多个自身共轭的共轭形成结构连接构成，作为上述共轭形成结构，含有至少1个亚噻吩基结构。[式中，X表示可以具有取代基的1价有机基团，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团。其中，式中的X之间、L之间以及T之间分别表示相同的基团。]
聚合物使用有机薄膜以及元件

[发明专利]多环稠环化合物、多环稠环聚合物和含有它们的有机薄膜-CN200980104939.X无效
发明人：三浦雅博;佐藤哲也;剑隼人;熊谷淳;上田将人 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供具有能发挥高电荷传输性的结构且在溶剂中的溶解性也优异的多环稠环聚合物。本发明的多环稠环聚合物具有多个下述通式(1)所示的第1结构单元和下述通式(2)所示的第2结构单元中的至少一方，或者组合具有上述第1结构单元和上述第2结构单元。[式(1)和(2)中，X¹和X²表示氧原子、硫原子或硒原子，R¹和R²表示卤素原子、不饱和烷基、烷基、含有烷基的非烷基、芳基或1价杂环基。R³和R⁴表示1价基团，R³和R⁴有多个时，它们可以相同也可以不同。m、n、s和t为0～2的整数]。
多环稠环化多环稠环聚合物含有它们有机薄膜

[发明专利]稠环化合物及其制造方法、聚合物、含有其的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机薄膜元件和有机薄膜晶体管-CN200980104918.8无效
发明人：三浦雅博;佐藤哲也;剑隼人;熊谷淳;上田将人 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够发挥足够的电荷传输性，同时具有对于溶剂的优异的溶解性的稠环化合物和聚合物。本发明的稠环化合物的特征在于由下述通式(1)表示。[式中，R¹¹和R¹²各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、烷基部分的碳原子数为3以上的烷氧基羰基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的1价的杂环基或氰基，R¹¹和R¹²的至少一方不是氢原子。R¹³和R¹⁴各自独立地表示1价的基团，m和n各自独立地是0～2的整数。Y¹¹、Y¹²、Y¹³和Y¹⁴为含有S、O、N、Se、Te或双键的规定的2价基团、Y¹¹及Y¹²以包含其的环为5元环的方式、Y¹³及Y¹⁴以包含其的环为5元环或6元环的方式进行选择]。
环化及其制造方法聚合物含有有机薄膜具有元件薄膜晶体管

[发明专利]支链型化合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件-CN200980104936.6无效
发明人：家裕隆;宇都俊彦;安苏芳雄;上田将人 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C07D333/16 文献下载
摘要：包含核部、与该核部结合的至少1个侧链部和末端的支链型化合物，其中，上述侧链部的至少1个中，重复1个或2个以上下述通式(1)所示的重复单元(其中，在与核部结合的上述重复单元中，T与核部结合，在2个以上重复的上述重复单元中，L与T结合)，L由多个共轭形成单元连接构成，作为上述共轭形成单元，含有至少1个亚噻吩基单元，存在于L的末端(不与T结合的一侧的L的末端)的基团中，至少2个为受电子性的基团(式中，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团)。
支链型化合物使用有机薄膜以及元件

[发明专利]有机光-光变换装置-CN201010225183.9无效
发明人：中山健一;横山正明;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种具有优异的装置特性的有机光-光变换装置，其包含：具有包含通过光照射产生光-电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元，其特征在于，光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光-光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器，其配备有测定和输出施加在上述有机光-光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。
有机变换装置

[发明专利]有机光-光变换装置-CN201010225181.X无效
发明人：中山健一;横山正明;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种具有优异的装置特性的有机光-光变换装置，其包含：具有包含通过光照射产生光-电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元，其特征在于，光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光-光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器，其配备有测定和输出施加在上述有机光-光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。
有机变换装置

[发明专利]共轭系化合物、含氮缩合环化合物、含氮缩合环聚合物、有机薄膜以及有机薄膜元件-CN200880118465.X无效
发明人：安苏芳雄;家裕隆;冈部诚;二谷真司;上田将人 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C07D333/22 文献下载
摘要：第一发明组提供具有2个以上下述通式(I)或下述通式(II)所示的基团的共轭系化合物[式中，Ar和Ar'的任一方表示碳原子数为6以上的2价芳香烃基，另一方表示碳原子数为4以上的2价杂环基(这些基团可以具有取代基，并且这些基团均不含有氟原子)，R¹和R²分别独立地表示氢原子、卤素原子或1价基团，Ar''表示3价芳香烃基或3价杂环基。其中，当共轭系化合物具有2个以上通式(I)所示的基团时，该基团以外的部分不含氟原子。]第二发明组提供下述通式(α-I)所示的含氮缩合环化合物。[式(α-I)中，R²¹和R²²分别独立地表示氢原子、卤素原子或可以被取代基取代的1价基团，Z²¹和Z²²分别独立地表示下式(α-i)～(α-ix)所示的基团中的任一基团。[式中，R²³、R²⁴、R²⁵和R²⁶分别独立地表示氢原子、卤素原子或1价基团，R²³和R²⁴可以相互结合形成环。另外，式(α-viii)所示的基团可以左右翻转]。
共轭化合物缩合环化聚合物有机薄膜以及元件

[发明专利]含有二氟环戊二酮环与芳香环缩合而成的单元的聚合物以及使用其的有机薄膜及有机薄膜元件-CN200880007141.9无效
发明人：家裕隆;安苏芳雄;梅本钦一;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C08G61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有下述通式(I)表示的重复单元且用循环伏安法(cyclic voltammetry)测定的以二茂铁为基准的还原电势为-1.5V～-0.5V的聚合物。式中，Ar¹表示2价的芳香族烃基或2价的杂环基(这些基也可以被取代基取代)。
含有二氟环戊二酮环芳香缩合单元聚合物以及使用有机薄膜元件

[发明专利]有机场效应晶体管-CN200880009342.2无效
发明人：中村善子;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机场效应晶体管，其具备栅电极(2)、栅绝缘层(3)、半导体层(4)、源电极(7)及漏电极(8)，其中，源电极(7)及漏电极(8)分别包含导电层(6)及(6′)、以及包含受体化合物的化合物层(5)及(5′)，化合物层(5)及(5′)分别与半导体层(4)相邻配置，半导体层(4)含有电离电势为5.0eV以上的高分子化合物。
有机场效应晶体管

[发明专利]含氟多环芳香族化合物、含氟聚合物、有机薄膜及有机薄膜元件-CN200880007784.3无效
发明人：家裕隆;安苏芳雄;二谷真司;上田将人 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C07C25/22 文献下载
摘要：本发明提供所述通式(I)表示的含氟多环芳香族化合物。根据本发明，可提供能作为电子输送性优异的有机n型半导体使用的新型化合物。[式(I)中，Ar¹和Ar²表示碳原子数为6以上的芳香族烃基或碳原子数为4以上的杂环基，R¹、R²、R³和R⁴表示氢原子、卤原子等，R⁵和R⁶表示氢原子或可以被取代基取代的1价有机基团，s₁和t₁表示2以上的整数。其中，R⁵和R⁶中的至少一个为包括取代基的氢原子在内的全部氢原子的至少1个被氟原子取代的1价有机基团]。
含氟多环芳香族化合物聚合物有机薄膜元件

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