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[发明专利]布线基板以及包含布线基板的半导体封装-CN201510908670.8有效
发明人：小谷和也;市仓优太;田多伸光;伊东弘晃;大部利春;小山泰平;结城和明;中泽洋介;山本敦史;大谷真人;上田和宏;井口知洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。
布线以及包含半导体封装

[发明专利]半导体模块以及半导体模块的制造方法-CN201510088870.3有效
发明人：益永孝幸;上田和宏;渡边尚威;丸野広司;木田敏彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供一种能够容易地相对于冷却器进行固定而不会使散热性受损的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备半导体元件、第一导电体、第二导电体以及封壳。所述半导体元件具有第一电极以及形成在与所述第一电极对置的面上的第二电极。所述第一导电体具有第一接合面以及第一散热面，所述第一接合面与所述第一电极电连接。所述第二导电体具有第二接合面以及第二散热面，第二接合面与第二电极电连接。所述封壳具有第一封壳部分以及第二封壳部分，所述第一封壳部分由第一绝缘材料构成，并形成为密封住所述半导体元件；所述第二封壳部分由导热率高于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料构成，并形成为与第一散热面和第二散热面相接触。
半导体模块以及制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201510981639.7在审
发明人： 上田和宏;森下玄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明是为了解决下述问题：在成像元件中，需要复杂的控制来读取用于焦点检测的数据。扫描电路在第一时刻之前的期间通过将第一开关和第二开关设置为“断开”，从像素输出第一信号，在所述第一时刻起的预定期间仅将所述第一开关设置为“导通”，从所述像素输出第二信号，并且从所述第一时刻之后的第二时刻起的预定期间通过将所述第一开关和第二开关设置为“导通”，从所述像素输出第三信号。第一AD转换器通过将第二信号和第一信号之间的差值和参考信号进行比较来执行AD转换。第二AD转换器通过将第三信号和第二信号之间的差值和所述参考信号进行比较来执行AD转换。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201310447385.1有效
发明人：益永孝幸;上田和宏;渡边尚威;清水祯之;西内秀夫;栂崎隆;佐山聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：根据一个实施例，提供一种半导体器件，其包括：第一电导体；第二电导体；布置在第一电导体与第二电导体之间的第一半导体元件和第二半导体元件；第一功率端子（46a）；第二功率端子（46a）；信号端子（50）；和块状绝缘体（52），所述块状绝缘体覆盖这些部件。绝缘体包括：平坦的底面，在所述平坦的底面中暴露出第一电导体和第二电导体；平坦的第一侧面（52a）；第二侧面（52b）；顶面（52d）；第一端面（52e）；和第二端面。第一功率端子、第二功率端子和信号端子分别从第一端面、第二端面和顶面向外延伸。绝缘体的第一端面、顶面和第二端面形成有分型线（54）。
半导体器件

[发明专利]半导体功率转换器及其制造方法-CN201310447264.7有效
发明人：西内秀夫;上田和宏;益永孝幸;渡边尚威;清水祯之;栂崎隆;丸野广司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：根据一个实施例，提供一种半导体功率转换器，其包括：彼此相对的第一电导体和第二电导体（34，36）；第一半导体元件和第二半导体元件（38，40），其连结到第一电导体的第一连结面；第一凸电导体和第二凸电导体（44a，44b），其连结到第一半导体元件和第二半导体元件；结合部，其连结到第一凸电导体和第二凸电导体和第二电导体的第二连结面；功率端子（46a，46）；信号端子（50）；和封套（52），其密封组成构件。封套包括平坦的底面，所述平坦的底面与半导体元件垂直地延伸，并且在所述封套中暴露电导体的第一底面和第二底面。
半导体功率转换器及其制造方法

[发明专利]数据处理电路-CN201010282688.9有效
发明人： 上田和宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及数据处理电路，提供一种半导体器件，其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件，以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件，该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器，且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极，第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件，第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极共同连接。
数据处理电路

[发明专利]数据处理电路-CN200710096452.4有效
发明人： 上田和宏 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件，以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件，该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器，且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极，该第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件，该第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极共同连接。
数据处理电路

[发明专利]具有网状表面的垫子和座位-CN98810329.X有效
发明人：藤田悦则;大下裕树;我田茂树;西野正树;小仓由美;千抦一义;小岛重行;中田泰三;小田英宏;小山荣一;长江芳章;上田和宏 -专利权人：株式会社三角工具加工;住江织物株式会社
申请日： 1998-10-21 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： A47C27/00 文献下载
摘要：一座位或床局部地包括框架(8，14)和在张力之下分别被框架(8，14)夹持住的网状表面(10，16)。每个网状表面(10，16)是由上网格层(24)、下网格层(26)和具有大量毛圈(28)的一毛圈层组成，毛圈层将上下网格层(24，26)连接在一起。每个毛圈是用单根绳制造的。
具有网状表面垫子座位

[发明专利]用于加工的网眼织物-CN01132842.8在审
发明人：藤田悦则;小仓由美;西野正树;小山荣一;津村美男;上田和宏 -专利权人：株式会社三角工具加工
申请日： 2001-05-22 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： D04B1/00 文献下载
摘要：一种用于加工的网眼织物,能够简化在网眼产品的生产过程中的处理加工,较小生产成本。该网眼织物的结构如下,即要承受诸如切割,振动焊接等加工处理的边缘部分在其厚度方向上的可压缩性能与网眼织物的中间部分相比具有增大的可压缩性能。这种结构确保了网眼织物在生产形成网眼产品时具有改进了的可操作性能,尽管该网眼产品具有三维结构,从而简化了生产,降低了生产成本。
用于加工网眼织物

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