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[发明专利]太阳电池及其制作方法-CN201610542614.1有效
发明人：刘超;刘成法;张为国;张松;王佩然;陈寒;王登峰;蔡锦添;夏世伟;季海晨;高云峰;柳翠;袁晓 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司;上海玻纳电子科技有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。
太阳电池及其制作方法

[实用新型]除尘装置及其除尘头-CN201820120145.9有效
发明人：夏世伟 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B08B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种除尘装置及其除尘头。上述除尘头包括第一挡板、第二挡板及连接部；连接部上设置有除尘腔、风机连接口以及第一挡板连接口，风机连接口和第一挡板连接口均连通除尘腔，风机连接口用于与除尘装置的风机的吸入口连通；第一挡板具有第一空腔、第一开口以及第一吸尘口，第一开口和第一吸尘口均与第一空腔连通；第一开口与第一挡板连接口连通；第一挡板和第二挡板位于连接部的同一侧，且第一挡板与第二挡板平行设置；第二挡板位于第一挡板上开设有第一吸尘口的一侧；第二挡板与连接部连接，且第二挡板能够沿着连接部作远离或者朝向第一挡板的运动。上述除尘装置及其除尘头，不仅可以适用于各种尺寸的工件还可以提高除尘效率。
第一挡板第二挡板除尘装置除尘头连通风机连接口连接口吸尘口开口第一空腔除尘腔本实用新型除尘效率平行设置吸入口风机

[发明专利]扩散源涂覆装置-CN201610681849.9有效
发明人：张松;刘成法;张为国;刘超;陈寒 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散源涂覆装置。扩散源涂覆装置用于涂覆样品，包括旋转机构、固定架、支架和喷嘴阵列，旋转机构与固定架连接，支架与旋转机构连接，喷嘴阵列与支架连接，喷嘴阵列包括多个喷嘴，多个喷嘴均设置于支架上，扩散源涂覆装置对样品进行涂覆时，旋转机构带动支架旋转，使设置在支架上的喷嘴旋转对样品进行扩散源涂覆。上述扩散源涂覆装置能提高涂覆效果和加工效率，节约扩散源材料、降低工艺成本。
扩散源涂覆装置

[发明专利]IBC太阳电池及其制作方法-CN201610104676.4有效
发明人：刘超;刘成法;张松;张为国;王佩然;陈寒 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。
ibc 太阳电池及其制作方法

[发明专利]N型双面电池及其制作方法-CN201510628285.8有效
发明人：张松;王培然;刘超;夏世伟;季海晨 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p++重掺杂区域；在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源，采用第三激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n++重掺杂区域；再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电极。上述N型双面电池及其制作方法，降低对N型硅片的热损伤，且能提高电池转换率。
第一表面第二表面激光参数激光处理双面电池重掺杂区域掺杂区域制作减反射膜层电池转换制绒处理磷掺杂硼掺杂热损伤电极钝化涂覆源层制备

[发明专利]晶体硅太阳电池的漏电处理方法-CN201810040765.6在审
发明人：夏世伟;张为国;张松;韩向超;杨崇文;陈寒 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。
晶体硅太阳电池漏电物理特征数据位置处通电晶体硅太阳能电池硅片正表面负极绝缘区域成品率正负极隔断电源发光激光采集

[发明专利]硅片硼掺杂方法-CN201510883089.5有效
发明人：张为国;刘超;刘成法;张松 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片硼掺杂方法。该方法包括步骤：将硅片的表面进行制绒处理，并在所述硅片的表面上形成硼掺杂源层；采用第一激光参数，对所述硼掺杂源层进行激光处理，形成第一p+区域；对所述硅片的表面进行清洗，去除剩余的所述硼掺杂源；采用第二激光参数，对所述第一p+区域进行处理，使得所述第一p+区域内的硼掺杂源进一步扩散，形成第二p+区域，其中，所述第二激光参数中的激光脉冲宽度小于所述第一激光参数中的激光脉冲宽度。上述硅片硼掺杂方法，不仅提高掺杂的均匀性，还能实现低浓度深掺杂结，使得短波响应更加明显。
硼掺杂硅片激光参数激光脉冲源层短波响应激光处理制绒处理掺杂的均匀性去除清洗掺杂扩散

[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法-CN201610038035.3有效
发明人：张为国;刘超;刘成法;张松;陈寒;夏世伟;季海晨 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种PERC太阳能电池及其制备方法。上述PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤对硅片依次进行双面抛光、制绒、扩散、刻蚀和去杂质玻璃、高锰酸氧化；背面沉积钝化层以及保护层；正面沉积减反射层；背面局部开口、印刷正背面金属浆料以及烧结，得到PERC太阳能电池。与传统的PERC太阳能电池的制备方法相比，本发明的PERC太阳能电池的制备方法，在硅片制绒之前先进行双面抛光，便于后续制绒；同时，在背面沉积钝化层以及保护层之前对去杂质玻璃之后的硅片进行氧化，起到钝化作用。均能降低结区复合，提高开路电压，能够提高产品良率。同时，本发明基于常规工艺，产品良率高。此外，上述PERC太阳能电池根据上述PERC太阳能电池的制备方法制备而成。
perc 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]除尘装置-CN201720035953.0有效
发明人：夏世伟;李轩;张单丰;王佩然 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： B23K26/142 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种除尘装置。该除尘装置用于吸除激光加工装置所产生的粉尘，包括第一支架、吸尘头、连接第一支架和吸尘头的第一管道、风机以及第二管道；第一支架上开设有第一空腔，其与激光加工装置连接；吸尘头上开设有凹槽，凹槽的侧壁或底面上开设有第一通孔，凹槽的底部开设有第二通孔，用于穿过激光加工装置发出的激光；第一管道具有第一开口和第二开口，第一开口与第一通孔连通，第二开口与第一空腔连通；风机上的吸入口与第二管道的第四开口连通，第二管道的第三开口与第一空腔连通。上述除尘装置，吸尘头与光束的相对位置保持不变，保证吸尘头始终覆盖激光加工的区域，高效吸除粉尘。
除尘装置

[发明专利]退火氧化设备-CN201510278862.5有效
发明人：张松;刘超;刘成法;徐大超;王鹏磊;季海晨;高云峰 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种退火氧化设备，该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；进气装置位于炉体内部并与炉体连通，加热装置和冷却装置均位于炉体外部，控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体，经传送装置自进料口向出料口运动，硅片在炉体内的运动过程中，进气装置不断向炉体内输送氧气，控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度，从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化，减少了操作步骤，节约了生产时间。
退火氧化设备

[实用新型]裂片装置-CN201621364848.3有效
发明人：夏世伟;李轩;张单丰;王佩然 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种裂片装置。该裂片装置包括基座、安装部、固定吸盘、活动吸盘、真空组件、导向组件以及驱动部件，固定吸盘和活动吸盘安装在安装部上，固定吸盘上开设有第一吸附口，活动吸盘上开设有第二吸附口，第一吸附口和第二吸附口均与真空组件中的真空管道连通，将料片吸附在固定吸盘和活动吸盘上，驱动部件与活动吸盘连接，驱动部件带动活动吸盘沿着导向组件作朝向和远离基座的运动。上述裂片装置，能够完成自动裂片，不仅降低碎裂或破损发生的几率，还满足大规模产能的需求。
裂片装置

[发明专利]晶体硅太阳电池的制备方法-CN201710097172.9在审
发明人：张为国;张松;韩向超;王佩然;陈寒;夏世伟 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池的制备方法。该制备方法包括步骤将N型硅片的第一表面和第二表面均进行制绒；在N型硅片的第一表面形成硼掺杂源层，并在N型硅片的第二表面上离子注入磷源；将N型硅片放入扩散炉中进行高温氧化和扩散，在N型硅片的第一表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在N型硅片的第二表面上形成依次层叠的n+表面场层和磷硅玻璃层；去除硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；在p+发射极层和n+表面场层上分别形成第一钝化减反射层和第二钝化减反射层；在第一钝化减反射层和第二钝化减反射层上分别制备负、正电极。上述晶体硅太阳电池的制备方法，不仅能实现硼磷一步共同扩散，还提高太阳电池的光电转换效率。
晶体太阳电池制备方法

[实用新型]除尘装置-CN201620597597.7有效
发明人：张为国;刘超;刘成法;张松;王佩然;陈寒;夏世伟;季海晨 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种除尘装置。该除尘装置用于太能电池，包括载物台、吹尘组件、移动部件以及吸尘组件，所述载物台用于放置所述太阳电池；所述吹尘组件设置在所述载物台的一侧，所述吹尘组件上设置有调节部件，所述调节部件用于调节所述吹尘组件的吹气流速，所述吹尘组件用于对所述太阳电池的表面进行吹气；所述移动部件与所述吹尘组件连接，所述移动部件用于带动所述吹尘组件进行移动；所述吸尘组件设置在所述载物台的另一侧，且所述吸尘组件与所述吹尘组件相对，所述吸尘组件用于对所述吹尘组件吹的尘进行吸收。上述除尘装置，不仅能解决除尘不充分的问题，还能降低由吹气而引起的太阳电池的电池片的碎片率。
除尘装置

[实用新型]IBC太阳电池-CN201620143393.6有效
发明人：刘超;刘成法;张松;张为国;王佩然;陈寒 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。
ibc 太阳电池

[实用新型]背接触式太阳能电池-CN201620021387.3有效
发明人：张为国;刘超;张松;刘成法;陈寒;季海晨;夏世伟 -专利权人： 上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种背接触式太阳能电池。其包括N型硅片主体，N型硅片主体具有相对的受光面和背光面，背光面上设置有第一发射区和P+发射区，第一发射区为N⁺发射区和N⁺⁺发射区，第一发射区与P⁺发射区交替排布；N⁺⁺发射区远离N型硅片主体的一侧设置有N型金属，N型金属的另一侧设置有N型区焊接电极，N型金属分别与N⁺⁺发射区、N型区焊接电极为点接触；P⁺发射区远离N型硅片主体的一侧设置有P型金属，P型金属上设置有P型区焊接电极；P型金属远离N型硅片主体的一侧端部设置有绝缘介质，绝缘介质隔离P⁺发射区与N型区焊接电极。由于N型金属分别与N⁺⁺发射区、N型区焊接电极为点接触，能够降低N型金属浆料的消耗，从而降低成本。
接触太阳能电池

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