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[发明专利]处理装置-CN201110430694.9有效
发明人：手塚一幸;加藤健一;泽地淳;菊地贵伦;三村高范 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G05D11/13 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
处理装置

[发明专利]基板处理装置及其清洁方法-CN201010561532.4有效
发明人：本田昌伸;村上贵宏;三村高范;花冈秀敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。
处理装置及其清洁方法

[发明专利]腔室内清洁方法-CN201010264380.1有效
发明人：本田昌伸;花冈秀敏;平野太一;三村高范;岩田学;冈城武敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。
室内清洁方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN02824576.8无效
发明人：永关一也;三村高范;宫岛弘树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体(212)的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸(R)的凹部(220)。在该方法中，首先在被蚀刻体(212)的表面上形成具有与凹部(220)相对应的开口部分的掩模(214)。接着，形成有掩模(214)的被处理体(212)设置于等离子体用的处理容器内，采用等离子体在处理容器内进行蚀刻。在本发明中，掩模(214)的材料采用与被蚀刻体(212)相同的材料，比如硅(Si)。由此，上述那样的凹部(220)按照实质上底面(222)不形成副沟槽形状(周缘部的深度大于中间部的，经蚀刻的形状)的方式形成。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]硅高速腐蚀方法-CN01815651.7有效
发明人： 三村高范;永关一也;酒井伊都子;大岩德久 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社东芝
申请日： 2001-09-13 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。
高速腐蚀方法