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[发明专利]一种基于半导体纳米片的光电传感器-CN202310228988.6在审
发明人：张雷;黄智斌;徐宇航;杨悦;王艺杰;张晨雨;由毅;万浩兰;曹诗婷 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开一种基于半导体纳米片的光电传感器，光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为发光介质层。首先，利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片，然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性，得到纳米片溶液；其次，在石英ITO电极基板上滴加纳米片溶液，通过设置不同旋涂转速制备相应厚度的纳米片介质层，然后进行高温退火处理；测量电导率，优化纳米片介质层厚度；然后重复上述步骤（2），来制备最优化纳米片发光介质层；最后利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极，构成完整的纳米片光电传感器。本发明以无机ZnO溶胶进行表面修饰，ZnO溶胶能够改善纳米片周围有机配体不导电特性，从而达到明显的光电传感特性。
一种基于半导体纳米光电传感器

[发明专利]一种基于二维纳米片的大尺寸显示背光源发光层制备方法-CN202310231901.0在审
发明人：张雷;黄智斌;徐宇航;杨悦;王艺杰;张晨雨;由毅;万浩兰;曹诗婷 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二维纳米片的大尺寸显示背光源发光层制备方法，背光源发光层是以二六族胶体半导体纳米片作为红绿蓝三基色发光像素单元，每种发光颜色都具有纳米片窄带发射特性（10 nm），通过条带型掩膜板结合喷涂‑紫外（UV）固化方式逐步制备三基色发光像素单元，各颜色发光单元像素大小及显示背光源发光层的尺寸可通过掩膜板结构特性进行控制。同时，将纳米片与UV固化树脂进行混合；并且结合UV照射快速固化实现显示背光源发光层的一体化快速制备‑封装。本发明拓宽了光学性能优异的胶体半导体纳米发光材料在显示领域的商业化制备途径，进而为实现基于胶体半导体发光材料的大尺寸宽色域显示背光源的可控性、批量化、低成本制备奠定技术基础。
一种基于二维纳米尺寸显示背光源发光制备方法