“C01G39/06”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果524个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种铁氧共掺杂钼硫化物及其制备方法和在电催化氮气还原中的应用-CN202211326663.3在审
发明人：张琰;杨林;马霄玥 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度铁氧共掺杂钼硫化物的制备方法及其应用。本发明的技术方案要点为：首先利用铁包含Anderson型多钼酸盐作为前驱体，通过多钼酸盐在水溶液中的水解与聚合平衡，在碱金属阳离子的作用下制备出铁包含Anderson型多钼酸盐纳米棒；进一步通过高温硫氧置换与相变，合成出由高密度铁氧共掺杂钼硫化物纳米片堆叠形成的具有丰富狭缝孔的纳米棒结构。利用该催化剂与生物固氮酶相似的化学组分，将所制备的催化剂应用于电化学氮气还原合成氨(NRR)。多元素掺杂可有效改善钼硫化物的电子结构，进而影响材料对N2的吸附能力、中间体吸附强度等，协调NRR与析氢反应(HER)之间的竞争，是制备高选择性与活性ENRR电催化剂的理想途径。
一种铁氧共掺杂硫化物及其制备方法电催化氮气还原中的应用

[发明专利]一种二维二硫化钼枝晶的大面积可控制备方法-CN202211404233.9在审
发明人：张秀梅;杨国锋;霍新霞;钱维莹;韦春雷 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本文公开了一种二维MoS2枝晶的大面积可控制备方法，属于二维材料制备领域。所述二维MoS2枝晶呈现星星、雪花或树枝状形态，有大量的MO边缘活性位点，具有更高的电催化析氢活性。该二维MoS2枝晶在高温预处理的生长衬底上通过CVD法制备得到。生长在比较成熟的传统层状MoS2制备方法的基础上进行，不同形态的枝晶可以通过调控生长衬底预处理的温度及时间得到。这种制备方法简单高效、稳定、可调控，能实现大面积制备，与其它形貌策略相比，具有非常巨大的优越性，在电催化制氢方面具有非常可观的应用前景。
一种二维二硫化钼大面积可控制备方法

[发明专利]一种薄层二维材料的转移方法-CN202211190612.2在审
发明人：王佩剑;洪煜堃;郑智元;潘宝俊;张致翔;蓝善贵 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及薄层材料集成与应用领域，特别涉及一种薄层二维材料的转移方法。将制备好的薄层二维材料湿法旋涂第一转移膜，将第二转移膜附着于第一转移膜之上，再通过显微镜头下定位转移的方法进行薄层二维材料到目标衬底、电极或者其他薄层材料上的精准转移。使用本发明可以使与衬底结合力高的材料也能精准转移到目标衬底的目标位置，实现制备少见或者难以生长的异质结或者精准构筑器件，同时实现目标衬底为超薄硅和阵列化电极的转移应用。
一种薄层二维材料转移方法

[发明专利]一种金属相二硫化钼基面内异质结构、自支撑电极、制备方法及应用-CN202210440305.9有效
发明人：李楠;王凯雯;刘志鹏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明适用于材料领域，提供了一种金属相二硫化钼基面内异质结构，包括：所述金属相二硫化钼基面内异质结构以金属相二硫化钼的纳米片层为主体，将过渡金属硫化物的团簇嵌入金属相二硫化钼的片层面内，即过渡金属硫化物的团簇取代金属相二硫化钼片层中部分二硫化钼团簇，在所得到的异质结构中，过渡金属硫化物团簇和金属相二硫化钼位于同一平面内。在这种异质结构中，能带结构丰富且易于调控的过渡金属硫化物可以与金属相二硫化钼在界面处产生丰富的“硫桥”，从而调节硫原子的电子结构；此外，过渡金属硫化物团簇与金属相二硫化钼形成“线/面”接触，能够形成更为丰富的异质相界面。
一种金属二硫化钼基面内异质结构支撑电极制备方法应用

[发明专利]一种柔性衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用-CN202211153383.7在审
发明人：郑璐;王汉鑫;许曼章;王学文 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用，以聚萘二甲酸乙二醇酯为衬底；反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成旋涂液，旋涂液旋涂在衬底表面至有机溶剂蒸发得到薄膜衬底；将薄膜衬底旋涂有溶液的一面朝上放置在二氧化硅/硅片上；利用激光直写技术对薄膜衬底进行激光直写处理即可得二维二硫化钼薄膜；所述的激光直写处理还应采用矢量打点模式，其参数包括：打点间隔0.05～0.5ms，打点次数1～5次。本发明中二维二硫化钼可直接在柔性衬底上制备得到，避免材料在转移过程中被污染和损伤，制备得到的材料质量高、面积大，可以图案化制备。所制备的柔性应力传感器稳定性高。
一种柔性衬底二硫化钼薄膜制备方法应用

[发明专利]一种二维FeNi@MoS2-CN202211423721.4在审
发明人：梁小会;肖伟;吴梅;金宇欣 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种FeNi@MoS2电磁波吸收材料，其制备过程为：首先称取适量的四丁基溴化铵溶于乙腈溶液并超声，配制成8mg/ml溶液。把配制好的溶液倒入电化学池内，将辉钼矿剥离成单层或几层的纳米片；将一定量的NiCl2·6H2O和FeCl3·6H2O添加到去离子水中超声至完全溶解再加入一定量的NaOH和N2H4·H2O(40wt％)。将上述产物一起放入水热反应釜进行水热反应后，将产物离心、干燥，便可收集到FeNi@MoS2产物。本发明得到的FeNi@MoS2吸波材料呈现出二维多间隙结构，其纳米材料的形貌可通过MoS2掺杂比来调控。材料的多间隙二维纳米结构及成分使其具有更加优异的微波吸收性能。
一种二维 feni mos base sub

[发明专利]一种制备单层二硫化钼纳米片的方法-CN202110746384.1在审
发明人：王牧;李庆玄;朱声涛;张磊;彭茹雯 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开一种制备单层二硫化钼纳米片的方法，主要包括：配置有机溶剂和钼酸铵混合溶液，采用双温区化学气相沉积系统对所述有机溶剂和钼酸铵混合溶液进行预处理，使得钼酸铵析出并均匀分布于衬底表面，预处理完毕后，采用化学气相沉积工艺在衬底表面制得单层二硫化钼纳米片。本发明由于有机溶剂的加入使得溶液更易于均匀分布于衬底表面。本发明可适用于在不同衬底上直接生长单层二硫化钼纳米片，满足不同领域对衬底的需求，有效避免转移过程带来的污染，具备较大的应用潜能。
一种制备单层二硫化钼纳米方法

[发明专利]一种具有室温铁磁性的钴掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法-CN202211070321.X在审
发明人：谈浩;闫文盛 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有室温铁磁性的钴掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法，该纳米片的制备方法包括以下步骤：将钼酸盐和钴盐溶于水中，然后加入CS2，混合均匀后得到反应液；将反应液转移至反应釜中，对反应釜进行加热使水成为超临界水，在超临界条件下保温反应后使其冷却至室温，对反应釜内物料进行固液分离得到黑色固体粉末，黑色固体粉末经洗涤后即得到具有室温铁磁性的钴掺杂二硫化钼纳米片。与传统的采用化学气相沉积法制备过渡金属替代位掺杂二硫化钼相比，本发明发展了一种具有室温铁磁性、空气中稳定、制备工艺简单且可大规模批量生产的二维磁性二硫化钼材料，促进了二维二硫化钼在稀磁半导体领域应用的进一步发展。
一种具有室温铁磁性掺杂二硫化钼纳米及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼纳米片的制备方法-CN202210073853.2有效
发明人：黄青松;齐瑞峰 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼纳米片的制备方法，其包括如下步骤：将含硫物和钼片放置在密闭环境中；使所述密闭环境中产生磁场并保证所述含硫物和钼片置于所述磁场中；反应一定时间后，停止磁场；降温后则可得到位于钼片边缘的二硫化钼纳米片。与现有的制备方法相比，本发明的制备方法生产设备更加简单，反应时间短，生产速度快。
一种二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种3R-MoS2-CN202211180000.5在审
发明人：季小红;侯晓诗;王磊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明属于二硫化钼制备的技术领域，公开了一种3R‑MoS2粉体的制备方法。方法：1)将钼酸盐滴入氯化亚锡反应，获得前驱体粉末；2)将前驱体粉末和升华硫粉分别置于高温区和低温区，分别加热至所需的温度，并通入载气使得硫粉载入高温区进行反应，冷却，获得3R型MoS2粉体；高温区所需的温度为890～910℃，高温区的升温速率为5～7℃/min；高温区升至所需温度后保温，保温的时间为30～60min；低温区所需的温度为210～230℃，低温区的升温速率为9～11℃/min。本发明的方法简单，获得的3R‑MoS2粉体结晶度高且不含其他化学物，有利于对3R‑MoS2的性质进行深入研究。
一种 mos base sub

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器-CN202211082910.X在审
发明人：王学文;黄河;李伟伟;许曼章;张晓杉;高久伟;郑璐 -专利权人：西北工业大学宁波研究院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器，以聚酰亚胺为衬底；四六带钼酸铵与混合溶剂制成墨水，所述的墨水中：四硫代钼酸铵的浓度为1～20mg/ml；混合溶剂中，按体积比计，水：丙二醇或乙二醇：乙醇或异丙醇＝(1～4)：(2～3)：(2～3)；将所述的墨水按设计图案在衬底表面印刷，加热至有机溶剂蒸发得到图案化的前驱体薄膜；将所述的前驱体薄膜进行退火处理即得二维二硫化钼薄膜。本发明中二硫化钼面积大、质量高，可以定制图案制备，批量化生产。基于该二硫化钼薄膜所制备的柔性生理电电极传感器可以用于人体心电、肌电、脑电等信号的监测。
一种二硫化钼薄膜制备方法应用柔性健康传感器

[发明专利]一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用-CN201911302683.5有效
发明人：杨亚东;吴炳辉 -专利权人：山东海科创新研究院有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼材料，所述二硫化钼材料含有氧元素；所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。本发明得到了一种具体较高导电性的二硫化钼材料，该二硫化钼材料中含有少量的氧元素(氧原子)，达到了提高导电性的目的。而且本发明采用了一种快速简单方法制备上述具有高导电性的二硫化钼微片，通过在少氧氛围下低温煅烧，得到了高导电的二硫化钼微片，再结合特定的整体制备过程，还使得制备的二硫化钼微片具有优异的分散性。本发明提供的制备方法工艺简单、易操作、成本低及适合大规模制备，扩宽二硫化钼的应用领域，推动二硫化钼的快速发展。
一种导电性二硫化钼材料及其制备方法应用

[发明专利]一种单层1T′相TMDs空心结构电催化剂制备方法-CN202211136434.5在审
发明人：刘正清;李彬杰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种单层1T′相TMDs空心结构电催化剂制备方法，包括以下步骤：将长碳链表面活性剂和十八烯的混合物加热到100～120℃抽真空，然后在惰性气体保护下升温至280～320℃后向混合物中注射加入模板和前驱体进行反应，反应结束后自然冷却至室温，然后加入正己烷和乙醇超声洗涤后离心并分散在乙醇中，去除模板得到单层1T′相TMDs空心结构电催化剂，其中所述前驱体为硫粉或二苯联硒和五氯化钼或六氯化钨按摩尔比2：1分散在油胺中的混合物。本发明制得的单层1T′‑TMDs空心结构具有相纯度高、尺寸均一、在极性溶剂分散良好的优点，并且具有较高的导电性和丰富的催化活性位点。
一种单层 tmds 空心结构催化剂制备方法

[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物吸波材料、其制备方法和应用-CN202010851270.9有效
发明人：宁明强;满其奎;谭果果;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及电磁功能材料领域，公开了一种二维过渡金属硫族化合物吸波材料、其制备方法与应用。该吸波材料的制备方法是将过渡金属源和硫族元素源溶解在溶剂中，经溶剂热反应后，最终处理得到所述二维过渡金属硫族化合物吸波材料；所述溶剂为氮甲基吡咯烷酮与醇类试剂的混合液。本发明通过调控反应溶剂中氮甲基吡咯烷酮和醇类试剂的体积比例，进而精确调控所制备吸波材料中半导体相(2H)和金属相(1T)的比例，从而获得在匹配特性、最大反射率、有效带宽等指标上具有显著优势的吸波材料，该材料可应用在高频电磁兼容与相关电磁防护领域。
一种二维过渡金属化合物材料制备方法应用

[发明专利]二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料、制备方法及应用-CN202110241638.4有效
发明人：林健健;周倩男;高孟友;郑德华 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料的制备方法，涉及电池材料技术领域。包括以下步骤：提供钛基MOF材料，将钛基MOF材料在惰性气体或氮气的保护下煅烧，获得钛基MOF衍生的二氧化钛；以钛基MOF衍生的二氧化钛和碳源为原料，以水为溶剂，通过水热反应，获得碳包覆二氧化钛复合物；将钼源和硫源均匀分散于水溶剂中，再加入碳包覆二氧化钛复合物，混合均匀后，于200～230℃，保温20～24h，即得所述复合材料。本发明通过层状MoS2纳米片包覆以钛基MOF为前驱体制备的TiO2材料，两种材料间结合紧密，同时，在TiO2材料表面包覆均匀碳层，不仅提高材料导电性，更为MoS2的均匀包覆提供大量位点。
二硫化钼纳米片包覆钛基 mof 衍生氧化复合材料制备方法应用