[实用新型]一种高度可调的导流筒封气环

说明书

本实用新型提供一种高度可调的导流筒封气环，套设在导流筒外部，与所述导流筒间隙配合，所述封气环顶部与所述导流筒顶部连接，所述封气环的底部与导流筒支撑环接触，所述封气环为可伸缩结构，可根据所述导流筒的高度伸长或缩短。本实用新型的有益效果是在导流筒提升过程中，保证了导流筒与导流筒支撑环之间的密闭性，确保了炉内气流不会发生紊乱，防止杂质进入硅溶液影响成晶，提高成晶率。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶技术领域，尤其是涉及一种高度可调的导流筒封气环。

背景技术

直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在单晶炉使用过程中，需要控制单晶炉内导流筒的高度，来控制导流筒底部与硅溶液液面之间的距离，确保单晶的质量。导流筒在上升的过程中，导流筒与导流筒支撑环之间的缝隙，会造成炉内气流紊乱，炉内杂质颗粒易进入硅溶液，导致成晶困难，影响成晶率。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高度可调的导流筒封气环，有效的解决了导流筒上升过程中，与导流筒支撑环之间存在缝隙的问题，克服了现有技术的不足。

本实用新型采用的技术方案是：一种高度可调的导流筒封气环，套设在导流筒外部，与所述导流筒间隙配合，所述封气环顶部与所述导流筒顶部连接，所述封气环的底部与导流筒支撑环接触，所述封气环为可伸缩结构，可根据所述导流筒的高度伸长或缩短。

进一步，所述封气环包括外层环、中间环和内层环，所述内层环、中间环和外层环依次套设在所述导流筒外部，所述外层环、中间环和内层环滑动连接形成所述可伸缩结构，所述外层环顶部与所述导流筒顶部连接，所述内层环的底部与所述导流筒支撑环接触。

进一步，所述外层环、中间环和内层环的高度相同。

进一步，所述外层环的顶部向外设有水平延伸端，所述水平延伸端与所述导流筒的顶部连接。

进一步，所述外层环的底部向内设有第一限位凸起，所述中间环顶部向外设有第二限位凸起，所述第一限位凸起与所述中间环外壁接触且可沿所述中间环外壁滑动，所述第二限位凸起可搭接在所述第一限位凸起上部。

进一步，所述第一限位凸起和第二限位凸起的宽度相同。

进一步，所述中间环的底部向内设有第三限位凸起，所述内层环顶部向外设有第四限位凸起，所述第三限位凸起与所述内层环外壁接触且可沿所述内层环外壁滑动，所述第四限位凸起可搭接在所述第三限位凸起上部。

进一步，所述第三限位凸起和第四限位凸起的宽度相同。

进一步，所述中间环的数量可设置多个。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，在导流筒提升过程中，保证了导流筒与导流筒支撑环之间的密闭性，确保了炉内气流不会发生紊乱，防止杂质进入硅溶液影响成晶，提高成晶率。

附图说明

图1是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环未提升时的示意图。

图2是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环未提升时的结构示意图。

图3是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环提升时的示意图。

图4是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环提升时的结构示意图。

图5是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环外层环的剖面图。

图6是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环中间环的剖面图。

图7是本实用新型实施例一种高度可调的导流筒封气环内层环的剖面图。

图中：