[发明专利]一种反铁电电容器及其制备方法

说明书

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种反铁电电容器，该反铁电电容器包括：衬底、第一功能层、下电极层、介质层、第二功能层和上电极层；所述第一功能层位于所述衬底之上，所述下电极层位于所述第一功能层之上，所述介质层位于所述下电极层之上，所述第二功能层位于所述介质层之上，所述上电极层位于所述第二功能层之上，其中，所述第一功能层的材质为氧化铝，所述第二功能层的材质包括氧化铝、氧化锆或氧化铪。该反铁电电容器提高反铁电电容器的存储性能和柔韧性，使得本发明的反铁电电容器能量存储密度及工作效率得到大幅提高。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种反铁电电容器及其制备方法。

背景技术

随着可伸缩设备的高速发展，例如可折叠手机、柔性显示器或可穿戴式电子产品等，对可伸缩设备的高储能性能的需求明显增加。目前，应用广泛的电化学电容器存在储能能力较差的问题。

发明内容

本申请实施例通过提供一种反铁电电容器及其制备方法，解决了现有技术中电化学电容器存在储能能力较差的技术问题，实现了提高反铁电电容器的存储性能和柔韧性，使得本发明的反铁电电容器能量存储密度及工作效率得到大幅提高等技术效果。

第一方面，本发明实施例提供一种反铁电电容器，包括：

衬底；

第一功能层，所述第一功能层位于所述衬底之上，其中，所述第一功能层的材质为氧化铝；

下电极层，所述下电极层位于所述第一功能层之上；

介质层，所述介质层位于所述下电极层之上；

第二功能层，所述第二功能层位于所述介质层之上，其中，所述第二功能层的材质包括氧化铝、氧化锆或氧化铪；

上电极层，所述上电极层位于所述第二功能层之上。

优选的，所述介质层的材质为掺锆的氧化铪(HfZrO)。

优选的，所述介质层的铪元素与锆元素的摩尔组分比例范围为1/3至7/13。

优选的，所述衬底的材质为聚酰亚胺。

优选的，所述下电极层的材质包括氮化钛、钨、氮化钽或高导硅。

基于同一发明构思，第二方面，本发明还提供一种反铁电电容器的制备方法，包括：

在衬底上形成第一功能层，其中，所述第一功能层的材质为氧化铝；

在所述第一功能层上形成下电极层；

在所述下电极层上形成介质层；

在所述介质层上形成第二功能层，其中，所述第二功能层的材质包括氧化铝、氧化锆或氧化铪；

在所述第二功能层上形成上电极层。

优选的，所述在衬底上形成第一功能层，包括：

通过原子层沉积工艺，在所述衬底上沉积所述第一功能层。

优选的，所述介质层的材质为掺锆的氧化铪(HfZrO)。

优选的，所述介质层的铪元素与锆元素的摩尔组分比例范围为1/3至7/13。

优选的，所述下电极层的材质包括氮化钛、钨、氮化钽或高导硅。

本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：