[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110970015.0 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN113745156A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 胡道兵 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,在所述基板的上表面制备出第一金属层;
在所述第一金属层上制备出有源层和刻蚀阻挡层;以及
在所述刻蚀阻挡层的上表面制备出氮掺杂层;
在所述氮掺杂层的上表面制备出第二金属层;
其中,每一步骤中均只采用一道光罩。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述基板的上表面制备出第一金属层的步骤之后,还包括:
在所述第一金属层以及所述基板的上表面制备出绝缘层,所述有源层设于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧。
3.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述第一金属层上制备出有源层和刻蚀阻挡层的步骤包括:
在所述绝缘层上依次沉积出一层有源层材料和刻蚀阻挡层材料,所述有源层材料位于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧,所述刻蚀阻挡层材料位于所述有源层材料远离所述绝缘层的一侧;
第一次蚀刻处理所述有源层材料和所述刻蚀阻挡层材料,蚀刻后留下的光刻胶位于所述刻蚀阻挡层材料远离所述有源层材料的一侧,且所述光刻胶、所述刻蚀阻挡层材料以及所述有源层材料为依次叠放的台状结构;
第二次蚀刻处理所述光刻胶的边缘部分,露出部分刻蚀阻挡层材料;
第三次蚀刻处理所述刻蚀阻挡层材料,去除露出部分的刻蚀阻挡层材料,形成刻蚀阻挡层;以及
剥离所述光刻胶并导体化处理所述有源层材料裸露的部分,形成有源层。
4.如权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述刻蚀阻挡层的上表面制备出氮掺杂层的步骤包括以下步骤:
在所述刻蚀阻挡层、所述有源层以及所述绝缘层的上表面沉积一层氮掺杂材料;
采用黄光工艺,去除部分覆盖在所述绝缘层上的氮掺杂材料,形成氮掺杂层,所述氮掺杂层覆盖于所述刻蚀阻挡层、所述有源层以及所述绝缘层,与所述刻蚀阻挡层下方的第一金属层相对设置。
5.如权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述氮掺杂层的上表面制备出第二金属层的步骤包括以下步骤:
在所述氮掺杂层以及所述绝缘层的上表面沉积一层金属材料;
蚀刻处理所述金属材料,去除位于所述刻蚀阻挡层上方的部分金属材料,形成第一通孔;
蚀刻处理所述氮掺杂层,去除位于所述刻蚀阻挡层上方的部分氮掺杂层,裸露出部分刻蚀阻挡层,形成第二通孔;所述第二通孔与所述第一通孔相对设置,且内径相同。
6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第二金属层以及所述第一通孔、所述第二通孔内制备出钝化层。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
贯穿所述钝化层,形成第三通孔,所述第三通孔裸露出部分第二金属层;
在所述钝化层的上表面以及所述第三通孔内沉积一层氧化铟锡薄膜;
蚀刻处理所述氧化铟锡薄膜,形成像素电极层。
8.如权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述第二次蚀刻处理的方式为灰化处理。
9.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述刻蚀阻挡层的材质包括硅的氧化物或硅的氮化物。
10.一种显示面板,其特征在于,由如权利要求1~9中任一项所述的显示面板的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造