[发明专利]一种SOT-227金属陶瓷管壳结构

说明书

本发明公开了一种SOT‑227金属陶瓷管壳结构，涉及半导体器件技术领域，具体为管壳壳体和内部电极，所述管壳壳体包括铁镍合金边框，所述无氧铜底板的中部烧结有钼过渡片，所述内部电极设置于氮化铝陶瓷基片表面，所述第一铜钼铜电极片、第二铜钼铜电极片和第三铜钼铜电极片从左至右依次烧结在氮化铝陶瓷基片表面，所述第二铜钼铜电极片表面设置有导气沟，所述内部电极的上方设置有外部电极。该SOT‑227金属陶瓷管壳结构，通过将采用塑料封装形式的SOT‑227塑封管壳变换为金属陶瓷管壳，提高了该系列封装产品的最高工作温度和管壳整体的稳定性和可靠性；且陶瓷管壳产品尺寸与塑封产品保持一致，达到了兼容互换的目的；实用性强，易于推广使用。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SOT-227金属陶瓷管壳结构。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的一种材料。半导体在生活中的各类电子仪器上有着广泛的应用，如LED就是采用半导体制作的器件，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。常用的半导体材料有硅、锗、砷化镓等；

目前，进口SOT-227外形功率MOSFET等半导体分立器件均为塑料封装形式，塑封产品被公认为非密封器件，塑料封装形式并于内部进行填充涂覆，但密封性仍不能满足高可靠要求。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种SOT-227金属陶瓷管壳结构，解决了上述背景技术中提出现有的进口SOT-227外形功率MOSFET等半导体分立器件均为塑料封装形式，塑封产品被公认为非密封器件，塑料封装形式并于内部进行填充涂覆，但密封性仍不能满足高可靠要求的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种SOT-227金属陶瓷管壳结构，包括管壳壳体和内部电极，所述管壳壳体包括铁镍合金边框，且铁镍合金边框的底部安装有无氧铜底板，所述无氧铜底板的中部烧结有钼过渡片，且钼过渡片的顶部烧结有氮化铝陶瓷基片，所述内部电极设置于氮化铝陶瓷基片表面，所述内部电极包括第一铜钼铜电极片、第二铜钼铜电极片和第三铜钼铜电极片，所述第一铜钼铜电极片、第二铜钼铜电极片和第三铜钼铜电极片从左至右依次烧结在氮化铝陶瓷基片表面，所述第二铜钼铜电极片表面设置有导气沟，所述内部电极的上方设置有外部电极，所述外部电极包括盖板、第一电极片、第二电极片、第三电极片、第四电极片和氧化铝绝缘子，所述盖板内部通过氧化铝绝缘子依次连接有第一电极片、第二电极片、第三电极片、第四电极片，所述第一电极片、第二电极片、第三电极片、第四电极片的底部烧结有连接引线。

可选的，所述氧化铝绝缘子具有绝缘作用，且氧化铝绝缘子最大可承受的扭力矩为1.25N·M。

可选的，所述第一铜钼铜电极片之间设置有0.3mm宽的第一沟槽，所述第二铜钼铜电极片之间设置有0.3mm宽的第二沟槽，所述第三铜钼铜电极片之间设置有0.3mm宽的第三沟槽。

可选的，所述导气沟宽度为0.2mm，深度最大为0.05mm，且导气沟之间的间距为1.0mm。

可选的，所述第一铜钼铜电极片、第二铜钼铜电极片和第三铜钼铜电极片表面镀镍，镀镍后形成的镍层厚度为3μm～9μm。

可选的，所述内部电极与外部电极之间的连接方式为铅锡银合金焊片烧结连接，通过电流能力值范围为300A。

可选的，所述盖板与管壳壳体之间的连接方式为激光焊接。

可选的，所述第一电极片和第二电极片与第一铜钼铜电极片之间通过铅锡银合金焊片连接。

可选的，所述第三电极片与第三铜钼铜电极片通过铅锡银合金焊片连接。

可选的，所述第四电极片与第二铜钼铜电极片通过铅锡银合金焊片连接。

本发明提供了一种SOT-227金属陶瓷管壳结构，具备以下有益效果：