[发明专利]一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，其步骤如下：

步骤①使用两步水热法将镍负载到石墨烯上制得Ni-Gr粉末；

步骤②将步骤①中制得的Ni-Gr粉末与铜粉混合并经球磨得到混合粉末；

步骤③对步骤②制得的混合粉末进行烧结得到镍修饰石墨烯/铜复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤①具体包括如下步骤：

a制取石墨烯分散液，并向石墨烯分散液中加入镍盐溶液和沉淀剂，并搅拌，制得溶液A；

b将步骤a中制取的溶液A在高温下保温，并提取其中沉淀，记为沉淀A；

c将步骤b中所得的沉淀A分散于去离子水中，并加入还原剂，水热法恒温加热，取其中的沉淀，记为沉淀B，并将沉淀B干燥后研磨，即得Ni-Gr粉末。

3.根据权利要求2所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述镍盐不含H、O、C、Ni外的任一一种元素，所述沉淀剂不含H、O、C、Ni外的任一一种元素。

4.根据权利要求3所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述镍盐选用乙酸镍，所述沉淀剂选用尿素。

5.根据权利要求2所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，还原剂为硼氢化钾或硼氢化钠中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，步骤③中采用放电等离子烧结方式。

7.根据权利要求1—权利要求5任一项所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，其具体步骤为：

a称量40x mg石墨烯，分散在无水乙醇中超声30min,得到石墨烯分散液；称取x～2xmmol(CH₃COO)₂Ni、0.5x～x mmol CON₂H₄，溶解于去离子水中，将步骤1所得石墨烯分散液与其混合，搅拌5～20min，得到溶液A；

b将步骤a得到的溶液A放入聚四氟乙烯反应釜中，在140℃～200℃下加热4～9h，并离心洗涤至上清液透明，取其中的沉淀，记为沉淀A；

c将步骤b中制得的沉淀A分散到去离子水中，并向其中滴加0.5～2mol/L的硼氢化钾溶液，搅拌5～20min，在130℃～220℃下水热5～12h，离心洗涤至上清液澄清，取其中的沉淀，记为沉淀B，并将沉淀B在40～90℃下干燥18h～48h后研磨，得Ni-Gr粉末。

8.根据权利要求1～7任一项所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述复合材料中镍修饰石墨烯的质量分数为0＜w≤0.3wt％。

9.根据权利要求8所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述复合材料中镍修饰石墨烯的质量分数w＝0.2wt％。

10.一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料，其特征在于，其使用所述权利要求1～9任意一项所述的一种高导电镍修饰石墨烯/铜复合材料的制备方法制备。