[发明专利]用于静电放电（ESD）保护的装置和方法

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：

初级ESD保护单元，所述初级ESD保护单元电连接到第一节点且电连接到第二节点，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收到的ESD脉冲而使电流分流；以及

次级ESD保护单元，所述次级ESD保护单元电连接到所述初级ESD保护单元且电连接到所述第二节点，并且被配置成响应于所述ESD脉冲而使电流分流，以将所述ESD保护装置的输出电压保持在待保护装置的安全工作电压范围内。

2.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述初级ESD保护单元的输出电压高于所述待保护装置的所述安全工作电压范围。

3.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述次级ESD保护单元包括多个电阻器和多个晶体管。

4.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述次级ESD保护单元包括：

串联电阻器，所述串联电阻器电连接到所述初级ESD保护单元；

电容耦合电路，所述电容耦合电路电连接到所述串联电阻器；以及

骤回电路，所述骤回电路电连接到所述电容耦合电路且电连接到所述第二节点。

5.根据权利要求4所述的ESD保护装置，其特征在于，所述骤回电路包括：

晶体管装置；

第一电阻器，所述第一电阻器电连接到所述晶体管装置的栅极端且电连接到所述晶体管装置的源极端；以及

第二电阻器，所述第二电阻器电连接到所述晶体管装置的主体且电连接到所述晶体管装置的所述源极端。

6.根据权利要求5所述的ESD保护装置，其特征在于，所述晶体管装置包括NMOS晶体管或PMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的ESD保护装置，其特征在于，所述晶体管装置包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的漏极端电连接到所述串联电阻器，所述NMOS晶体管的所述源极端电连接到所述第二节点。

8.根据权利要求6所述的ESD保护装置，其特征在于，所述晶体管装置包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极端电连接到所述NMOS晶体管的栅极端，所述PMOS晶体管的源极端和漏极端电连接到所述串联电阻器且电连接到所述NMOS晶体管。

9.一种静电放电ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：

初级ESD保护单元，所述初级ESD保护单元电连接到第一节点且电连接到第二节点，其中所述初级ESD保护单元的输出电压高于待保护装置的安全工作电压范围；以及

次级ESD保护单元，所述次级ESD保护单元电连接到所述初级ESD保护单元且电连接到所述第二节点，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收到的ESD脉冲而使电流分流，以将所述ESD保护装置的输出电压保持在所述待保护装置的所述安全工作电压范围内，其中所述次级ESD保护单元包括：

串联电阻器，所述串联电阻器电连接到所述初级ESD保护单元；

电容耦合电路，所述电容耦合电路电连接到所述串联电阻器；以及

骤回电路，所述骤回电路电连接到所述电容耦合电路且电连接到所述第二节点。

10.一种用于操作静电放电ESD保护装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述ESD保护装置处接收ESD脉冲；

响应于所述ESD脉冲，使用所述ESD保护装置的初级ESD保护单元来使电流分流；以及

响应于使用所述初级ESD保护单元来使电流分流，使用所述ESD保护装置的次级ESD保护单元来使电流分流，以将所述ESD保护装置的输出电压保持在待保护装置的安全工作电压范围内。