[发明专利]一种制备MnSiO4 有效
申请号: | 202110625145.0 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113247965B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 邓明;曹栋强;龚丽锋;方明;郝培栋;曹天福;李晓升;王辉;许益伟;曾启亮;苏方哲 | 申请(专利权)人: | 浙江格派钴业新材料有限公司 |
主分类号: | C01G51/04 | 分类号: | C01G51/04;C01B33/20;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 mnsio base sub | ||
1.一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于,
具体包括如下步骤:
步骤一、溶液的配置:配置铝盐掺杂的钴盐溶液,配置碳酸氢铵溶液,并对原料进行过滤除去不溶物;
步骤二、碳酸钴合成
晶种的制备:在反应釜中配置一定浓度的碳酸氢铵溶液为底液,在一定温度和转速下,通过快速进入钴盐溶液直至pH降到一定值后停止进料,搅拌足够长的时间,此时粒度在0.5-1.5微米之间;
快速生长阶段:向碳酸钴晶核中同时通入碳酸氢铵和钴盐溶液,此时控制碳酸氢铵溶液和钴盐溶液的流速,降低pH和转速,控制固含量在15-25%之间,通过连续合成直至粒度长到14-18微米;
优化生长阶段:降低碳酸氢铵、钴盐的流量和转速,提高pH后,进一步提高固含量在40%-50%,直至粒度长到20-23微米;
陈化洗涤工艺:将合成碳酸钴放入一定量浓度的碳酸氢铵中搅拌一定时间,搅拌结束后离心洗涤,用碳酸氢铵溶液反复冲洗数次,将滤饼放入烘箱烘干;
所述步骤二中晶核生成、快速生长阶段、优化生长阶段的过程中温度均为40-60℃;转速范围为70-900 r/min;pH范围7.0-7.5;固含量5%-60%;碳酸氢铵流量6-18 L/h;钴盐流量2-8 L/h;底液碳酸氢铵的浓度30-50g/L;
步骤三、煅烧阶段:所得的CoCO3与纳米级MnSiO4混合后放入烧结炉中进行三段煅烧,煅烧结束后使用振动筛进行分筛。
2.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤一中的钴盐溶液为六水氯化钴或七水硫酸钴溶液。
3.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤一中的铝盐为氯化铝或硫酸铝。
4.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤一中的钴盐浓度为100-140g/L,碳酸氢铵浓度为180-250g/L,铝盐浓度为3-6g/L。
5.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤二中快速生长阶段采用连续法,通过连续溢流生长直至达到理想粒度;优化生长阶段采用间歇法,通过停釜静置抽取上清液提高固含量直至碳酸钴合成结束。
6.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤二陈化洗涤工艺中碳酸氢铵的浓度为5-30g/L,搅拌时间为3-5h,烘干温度105℃,时间为12-24h。
7.根据权利要求1所述一种制备MnSiO4包覆铝掺杂的大颗粒四氧化三钴的方法,其特征在于:所述步骤三中第一段温度为150-250℃,第二段温度为300-500℃,第三段为650-850℃,振动筛为400目。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江格派钴业新材料有限公司,未经浙江格派钴业新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110625145.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种面板开关及该面板开关的控制方法
- 下一篇:一种红豆杉改性聚脂纤维
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法