[发明专利]一种光罩高效率清洗工艺

说明书

本发明公开了一种光罩高效率清洗工艺，包括以下步骤：A、首先将光罩放入碱洗液中浸泡一段时间；B、之后将光罩从碱洗液中取出，立即放入去离子水中采用流动水冲洗一段时间；C、之后将光罩取出，放入光罩放置盘内，采用海绵刷刷洗光罩的正面和背面；D、将刷洗后的光罩采用碱洗液喷淋；E、将喷淋后的光罩立即放入去离子水中反复冲洗一段时间；F、最后将光罩放入干燥箱中低温干燥，本发明采用的清洗工艺操作简单，能够有效的去除光罩表面的污渍、杂质离子，清洗效率高，效果好。

技术领域

本发明涉及光罩清洗技术领域，具体为一种光罩高效率清洗工艺。

背景技术

光罩在制作IC的过程中，利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制於晶圆上，必须透过光罩作用的原理，类似于冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。

光罩在使用后需要进行清洗，现有的清洗工艺清洗效果不理想，因此，有必要进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光罩高效率清洗工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种光罩高效率清洗工艺,包括以下步骤：

A、首先将光罩放入碱洗液中浸泡一段时间；

B、之后将光罩从碱洗液中取出，立即放入去离子水中采用流动水冲洗一段时间；

C、之后将光罩取出，放入光罩放置盘内，采用海绵刷刷洗光罩的正面和背面；

D、将刷洗后的光罩采用碱洗液喷淋；

E、将喷淋后的光罩立即放入去离子水中反复冲洗一段时间；

F、最后将光罩放入干燥箱中低温干燥。

优选的，所述碱洗液组分按重量份数包括水30-50份、氢氧化钠5-12份、磷酸钾4-10份、三聚磷酸钠3-9份、十三烷基异构醇聚氧乙烯醚8-20份、椰油酸二乙醇酰胺6-12份。

优选的，所述步骤A中浸泡时间为10min-20min。

优选的，所述步骤B中冲洗时间为8min-16min。

优选的，所述步骤D中采用流动水反复冲洗，冲洗次数3-5次，每次冲洗时间为30min-40min，相邻两次间隔时间为1min-2min。

优选的，所述步骤F中低温干燥温度为50-60℃，干燥时间为30min-50min。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用的清洗工艺操作简单，能够有效的去除光罩表面的污渍、杂质离子，清洗效率高，效果好；其中，采用的碱洗液对人体安全，无毒，无害，可降解，采用两次碱洗，能够提高清洗效果。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

本发明提供如下技术方案：一种光罩高效率清洗工艺,包括以下步骤：

A、首先将光罩放入碱洗液中浸泡一段时间；

B、之后将光罩从碱洗液中取出，立即放入去离子水中采用流动水冲洗一段时间；

C、之后将光罩取出，放入光罩放置盘内，采用海绵刷刷洗光罩的正面和背面；

D、将刷洗后的光罩采用碱洗液喷淋；

E、将喷淋后的光罩立即放入去离子水中反复冲洗一段时间；

F、最后将光罩放入干燥箱中低温干燥。

本实施例中，碱洗液组分按重量份数包括水30份、氢氧化钠5份、磷酸钾4份、三聚磷酸钠3份、十三烷基异构醇聚氧乙烯醚8份、椰油酸二乙醇酰胺6份。