[发明专利]一种高透光的中子屏蔽复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，以高分子材料PC为基体材料，以纳米氧化钆作为中子吸收剂，通过熔融共混方式制备得到所述复合材料；所述复合材料由以下质量份数配比的原料组合而成：90-100份的聚碳酸酯、中子吸收剂1-10份、抗氧剂0.5-2份、偶联剂0.1-1份。

2.根据权利要求1所述一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，所述聚碳酸酯为双酚A型聚碳酸酯。

3.根据权利要求1所述一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，所述中子吸收剂为纳米氧化钆。

4.根据权利要求1所述一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，所述纳米稀土氧化物的粒径小于100nm，在复合材料中的配比为1-10份。

5.根据权利要求1所述一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，所述抗氧剂为1010、1076或亚磷酸三苯酯中的一种。

6.根据权利要求1所述一种高透光的中子屏蔽复合材料，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂KH560或KH570中的一种。

7.一种制备如权利要求1～6所述的高透光的中子屏蔽复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将偶联剂溶于适量丙酮，加入纳米氧化钆后，超声处理30-50分钟，得到表面改性的纳米氧化钆；

2)将PC基料在120-130℃条件下干燥至含水量低于0.02％；

3)按照重量比将改性过的纳米氧化钆与干燥的PC及抗氧剂混合均匀；

4)将混合料加入到双螺杆挤出机中，在240-270℃下熔融挤出，螺杆机转速为200-600rpm，经过熔融挤出，冷却造粒即得复合材料。