[发明专利]电平转换模块、驱动电路及控制芯片有效
申请号: | 202110366808.1 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN112769319B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 郭晋亮;沈玉菡 | 申请(专利权)人: | 深圳市拓尔微电子有限责任公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 转换 模块 驱动 电路 控制 芯片 | ||
1.一种电平转换模块,其特征在于,所述电平转换模块应用于控制芯片中的驱动电路,所述电平转换模块包括:电平转换单元和信号发生单元;所述电平转换单元包括第一电平转换子单元和第二电平转换子单元;所述第一电平转换子单元与所述信号发生单元连接;所述第二电平转换子单元分别与所述信号发生单元以及所述第一电平转换子单元连接;
所述信号发生单元用于向所述电平转换单元输出控制信号,所述控制信号包括第一时相;在所述第一时相,所述控制信号的电平为按照第一预设频率交替的第一电平和第二电平;所述第一电平的电平值大于所述第二电平的电平值;
所述电平转换单元用于在所述第一时相,通过所述第一电平转换子单元和所述第二电平转换子单元交替输出第三电平;所述第三电平的电平值大于预设电平值;
所述第一电平转换子单元还包括P型金属氧化物半导体PMOS管M1、NMOS管M2,PMOS管M3、NMOS管M4;
所述信号发生单元分别与所述M1的栅极、所述M2的栅极连接;
所述M3的漏极与所述M4的漏极连接;所述M1的漏极与所述M2的漏极连接;
所述M3的源极与所述驱动电路的NMOS管的栅极连接,所述M3的栅极、所述M4的栅极与所述第二电平转换子单元连接;所述M4的源极与外部电源连接;
所述M1的源极与所述外部电源连接,所述M2的源极接地。
2.根据权利要求1所述的电平转换模块,其特征在于,所述第一电平转换子单元包括电容C1;所述第二电平转换子单元包括电容C2;
所述第一电平转换子单元用于在所述第一时相的所述第二电平时,基于所述C1两端的第一差值电压输出所述第三电平;并在所述第一时相的所述第一电平时,通过所述C1存储电能;
所述第二电平转换子单元用于在所述第一时相的所述第一电平时,基于所述C2两端的第二差值电压输出所述第三电平;并在所述第一时相的所述第二电平时,通过所述C2存储电能。
3.根据权利要求1所述的电平转换模块,其特征在于,所述第二电平转换子单元还包括P型金属氧化物半导体PMOS管M5、第三NMOS管M6,第四PMOS管M7、第四NMOS管M8和第一反相器;
所述信号发生单元通过所述第一反相器分别与所述M7的栅极、所述M8的栅极连接;
所述M7的漏极与所述M8的漏极连接;所述M5的漏极与所述M6的漏极连接;
所述M5的源极与所述驱动电路的NMOS管的栅极连接,所述M5的栅极、所述M6的栅极与所述第一电平转换子单元连接;所述M6的源极与外部电源连接;
所述M7的源极与所述外部电源连接,所述M8的源极接地。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电平转换模块,其特征在于,所述控制信号还包括第二时相,在所述第二时相,所述控制信号的电平为所述第二电平;
所述信号发生单元包括第一输入端口、第二输入端口、输出端口和与门;
所述第一输入端口用于接收时钟信号,并将所述时钟信号输入所述与门,所述时钟信号的电平为按照所述第一预设频率交替的所述第一电平和所述第二电平;
所述第二输入端口用于接收方波信号,并将所述方波信号输入所述与门,所述方波信号的电平为按照第二预设频率交替的所述第一电平和所述第二电平;
所述与门用于将所述时钟信号和所述方波信号进行与计算得到所述第一时相和所述第二时相按照所述第二预设频率交替的所述控制信号,并通过所述输出端口向所述电平转换单元输出所述控制信号。
5.根据权利要求3所述的电平转换模块,其特征在于,所述电平转换模块还包括反相单元;所述反相单元包括第二反相器,PMOS管M9和NMOS管M10;
所述信号发生单元的第二输入端口通过所述第二反相器分别与所述M9的栅极、所述M10的栅极连接;
所述M9的源极与外部电源连接,所述M9的漏极分别与所述M4的源极、所述M6的源极连接;
所述M10的源极接地,所述M10的漏极分别与所述M4的源极、所述M6的源极连接。
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