[发明专利]一种阵列基板及显示面板在审
申请号: | 202110366376.4 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113311624A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 杨光;陈亚妮 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 裴磊磊 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多条沿水平方向延伸的扫描线、多条沿竖直方向延伸的数据线、位于所述多条数据线上方的多条无黑矩阵的数据线以及由所述扫描线、所述数据线交叉限定出的多个子像素;
每一所述子像素分为主像素区域和副像素区域,对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线,所述扫描线介于所述主像素区域和所述副像素区域之间
所述子像素的主像素区域包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容,所述子像素的副像素区域包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、副区存储电容以及副区液晶电容;
其中,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述无黑矩阵的数据线连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
第一金属层,位于所述衬底基板上,所述第一金属层包括所述扫描线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第三薄膜晶体管的栅极;
第二金属层,位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第二金属层包括所述数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极;
透明电极层,位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧,所述透明电极层包括间隔设置的像素电极和所述无黑矩阵的数据线,所述像素电极包括对应所述子像素的主像素区域设置的主区像素电极和对应所述子像素的副像素区域设置的副区像素电极。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层和有源层、位于所述第二金属层和所述透明电极层之间的钝化层;其中,所述钝化层上开设有通孔,所述无黑矩阵的数据线通过所述通孔与所述第三薄膜晶体管T3的漏极相连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第三薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接,所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接,所述第一薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区液晶电容的第一极板和所述主区存储电容的第一极板电连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述主区存储电容的第二极板与所述主区像素电极电连接,所述主液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接。
7.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的栅极与对应的所述扫描线电连接,所述第二薄膜晶体管的源极与对应的所述数据线电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述副区液晶电容的第一极板和所述副区存储电容的第一极板电连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述副区存储电容的第二极板与所述副区像素电极电连接,所述副区液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述无黑矩阵的数据线包括第一部分和第二部分,所述第一部分与所述数据线平行,所述第二部分设置在对应的所述子像素的开口区域;其中,所述第一部分的投影与对应的所述数据线重叠,所述第二部分的投影与对应的所述扫描线部分重叠。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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