[发明专利]一种基于复合电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：包括自下而上依次排列的衬底材料、透明电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和对电极；其中所述电子传输层为复合电子传输层且为平面型结构，所述复合电子传输层由至少两种金属氧化物组成，且两种金属氧化物的金属元素分别具有不同的电负性。

2.根据权利要求1所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述两种金属氧化物的颗粒粒径分别控制在5-50nm和100-200nm,两种金属氧化物复合后的复合薄膜厚度控制在20-80nm。

3.根据权利要求1或2所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述复合电子传输层是由氧化锡以及氧化钨水溶液混合实现，且氧化锡溶液和氧化钨溶液的体积比为1:1-15:1。

4.根据权利要求3所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述氧化锡以及氧化钨水溶液的混合溶液具体包括氧化锡胶体溶液和氧化钨水溶液，所述氧化锡胶体溶液由粒径为5-50nm的胶体粒子以及碱性溶液组成；氧化钨水溶液是由粒径为100-200nm的颗粒以及水溶液组成。

5.根据权利要求1所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述衬底材料为硬质透明玻璃或者柔性有机塑料。

6.根据权利要求1所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述透明电极为铟锡氧化物、氟锡氧化物或铝锌氧化物中的任一种，且所述透明电极的透光度大于70％，面电阻小于15Ω。

7.根据权利要求1所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述钙钛矿光吸收层材料为ABX₃型，其中A为Rb、Cs、CH₃NH₃、HC(NH₂)₂,B为Pb,Sn,Cu，X为Cl,Br,I,SCN等；钙钛矿光吸收层可与平面电子传输层形成平面异质结；钙钛矿薄膜的厚度为100-1000nm。

8.根据权利要求1所述的基于复合电子传输层的钙钛矿电池，其特征在于：所述空穴传输层为Spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA、CuI、CuSCN、Cu₂O、NiO_x和MoO_x中的一种或多种。