[发明专利]一种供电方法和超级电容的充电方法

权利要求书

1.一种超级电容的充电方法，其特征在于，包括：

选择应急充电电压和超级电容充电匹配电压中的较高电压作为超级电容充电供电电压，所述应急充电电压由应急充电接口输出，所述超级电容充电匹配电压由常供电输入电压转换得到；

采用超级电容充电芯片对超级电容进行充电，其中，所述超级电容充电供电电压输入所述超级电容充电芯片的电压输入引脚，且通过快速充电控制电压或所述应急充电电压控制所述超级电容充电芯片对超级电容进行充电的充电电流，所述快速充电控制电压由MCU控制。

2.如权利要求1所述的超级电容的充电方法，其特征在于，采用第一肖特基二极管、第一MOS管、第一限流电阻、第一下拉电阻、第一电容和第二电容实现所述超级电容充电供电电压的选择；其中，

所述第一肖特基二极管的正极连接超级电容充电匹配电压端，负极连接超级电容充电供电端；所述第一电容和第二电容并联在超级电容充电供电端和接地端之间；所述第一限流电阻和第一下拉电阻串联在超级电容充电匹配电压端和接地端之间；所述第一MOS管的漏极连接应急充电电压端，栅极连接所述第一限流电阻和第一下拉电阻的连接点，源极连接超级电容充电供电端；所述超级电容充电供电端输出所述超级电容充电供电电压，所述超级电容充电匹配电压端输入所述超级电容充电匹配电压，所述应急充电电压端输入所述应急充电电压。

3.如权利要求1或2所述的超级电容的充电方法，其特征在于，采用第一二极管、第二二极管、第二MOS管、第二限流电阻、第二下拉电阻、第一分压电阻和第二分压电阻实现所述充电电流的控制；其中，

所述第一二极管的正极连接应急充电电压端，负极连接所述第二限流电阻的一端；所述第二二极管的正极连接快速充电控制端，负极连接所述第二限流电阻的一端；所述第二限流电阻的另一端连接所述第二下拉电阻的一端和所述第二MOS管的栅极，所述第二下拉电阻的另一端连接接地端和所述第二MOS管的源极；所述第一分压电阻的一端连接所述超级电容充电芯片的充电电流输入引脚，另一端连接接地端；所述第二分压电阻的一端连接所述超级电容充电芯片的充电电流输入引脚，另一端连接所述第二MOS管的漏极；所述应急充电电压端输入所述应急充电电压，所述快速充电控制端输入所述快速充电控制电压。

4.如权利要求1所述的超级电容的充电方法，其特征在于，所述超级电容充电芯片对两级串联的超级电容进行充电。

5.一种供电方法，其特征在于，包括：权利要求1至4任一项所述的充电方法，还包括：

对所述常供电输入电压进行降压以获得所述超级电容充电匹配电压；

对超级电容充电后的输出电压进行升压以获得MCU供电匹配电压；

选择所述超级电容充电匹配电压和MCU供电匹配电压中的较高电压进行降压，以获得MCU供电电压。

6.如权利要求5所述的供电方法，其特征在于，采用第一降压芯片及其匹配的外围电路实现所述常供电输入电压的降压。

7.如权利要求5所述的供电方法，其特征在于，采用USB应急充电接口输出所述应急充电电压。

8.如权利要求5所述的供电方法，其特征在于，还包括对所述应急充电电压进行分压，以供所述MCU检测应急充电接口的接入。

9.如权利要求5所述的供电方法，其特征在于，采用第一升压芯片及其匹配的外围电路实现所述超级电容充电后的输出电压的升压以获得MCU供电匹配电压。