[发明专利]一种带电感负载的充电桩变换器的驱动电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种带电感负载的充电桩变换器的驱动电路，MOS管Q1和MOS管Q2串联连接于电感负载的两个端子之间，第一驱动器和第二驱动器分别为MOS管Q1和MOS管Q2提供驱动信号，第一驱动器包括第一控制电路、开关管T11、开关管T12、晶体管Q11、电阻R11、电阻R12，在MOS管Q2导通的同时，第一控制电路暂时性的导通MOS管Q1，因此MOS管Q2的续流电流不再通过MOS管Q1的体二极管，而是通过MOS管Q1本身，消除了MOS管Q1的栅极和源极之间产生的暂态大电压。

2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，第一驱动器中的电源VCC连接开关管T11的集电极，开关管T11的发射极连接电阻R11的一端，电阻R11的另一端连接开关管T12的集电极和晶体管Q11的源极以及MOS管Q1的栅极，开关管T12的发射极连接MOS管Q1的漏极和电阻R12的一端，电阻R12的另一端连接晶体管Q11的漏极，第一控制电路为开关管T11、开关管T12和晶体管Q11提供控制信号。

3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，第二驱动器包括第二控制电路、开关管T21、开关管T22、晶体管Q21、电阻R21、电阻R22，电源VCC连接开关管T21的集电极，开关管T21的发射极连接电阻R21的一端，电阻R21的另一端连接开关管T22的集电极和晶体管Q21的源极以及MOS管Q2的栅极，开关管T22的发射极连接MOS管Q2的漏极和电阻R22的一端，电阻R22的另一端连接晶体管Q21的漏极，第二控制电路为开关管T21、开关管T22和晶体管Q21提供控制信号。

4.一种如权利要求1所述的驱动电路的驱动方法，第一控制电路控制开关管T11截止，T12导通，此时，MOS管Q1的栅源极电压V_GS降为0V，MOS管Q1关断；

然后，在MOS管Q2导通之前，第一控制电路导通开关管T11和晶体管Q11，关断开关管T12，因此，MOS管Q1的栅源极电压V_GS上升为V1，电压V1的值为VCC经由电阻R11和R12分压后的电压值，将电阻R11和R12的电阻值设置为令电压V1微低于阈值电压V_th，阈值电压V_th为MOS管Q1导通时栅源极电压V_GS的值；

然后，第二控制电路在预定时间后导通开关管T21，使得MOS管Q2导通，此时，因为MOS管Q2导通的影响，变换器中的电流产生变化，导致MOS管Q1的栅极和源极之间的电压V_GS产生变化，此时，V_GS超过了阈值电压V_th，MOS管Q1导通。

5.一种如权利要求3所述的驱动电路的驱动方法，第二控制电路控制开关管T21截止，T22导通，此时，MOS管Q2的栅源极电压V_GS降为0V，MOS管Q2关断；

然后，在MOS管Q1导通之前，第二控制电路导通开关管T21和晶体管Q21，关断开关管T22，因此，MOS管Q2的栅源极电压V_GS上升为V1，电压V1的值为VCC经由电阻R21和R22分压后的电压值，将电阻R21和R22的电阻值设置为令电压V1微低于阈值电压V_th，阈值电压V_th为MOS管Q2导通时栅源极电压V_GS的值；

然后，第一控制电路在预定时间后导通开关管T11，使得MOS管Q1导通，此时，因为MOS管Q1导通的影响，变换器中的电流产生变化，导致MOS管Q2的栅极和源极之间的电压V_GS产生变化，此时，V_GS超过了阈值电压V_th，MOS管Q2导通；

在MOS管Q1导通的同时，第二控制电路暂时性的导通MOS管Q2，因此MOS管Q1的续流电流不再通过MOS管Q2的体二极管，而是通过MOS管Q2本身，消除了MOS管Q2的栅极和源极之间产生的暂态大电压。