[发明专利]磁控管装置和微波炉有效
申请号: | 202110349637.1 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113097033B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 何盼;王贤友;徐师斌;刘志勇;葛春桥 | 申请(专利权)人: | 广东威特真空电子制造有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H01J23/10 | 分类号: | H01J23/10;H01J25/50;F24C7/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 欧阳高凤 |
地址: | 528311 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控管 装置 微波炉 | ||
1.一种磁控管装置,其特征在于,包括:
磁路组件,所述磁路组件具有容纳空间,所述容纳空间具有第一磁性件和第二磁性件;
真空管组件,所述真空管组件的一部分设于所述容纳空间,且所述真空管组件与所述第一磁性件和所述第二磁性件配合,
其中,所述第一磁性件和所述第二磁性件为耐高温强磁性材料件;
所述第一磁性件的厚度大于2mm且小于9mm,或者等于2mm,或者等于9mm;所述第二磁性件的厚度大于2mm且小于9mm,或者等于2mm,或者等于9mm;
所述第一磁性件和所述第二磁性件与所述容纳空间的边缘之间形成有空气间隙,所述空气间隙与所述容纳空间的宽度比例等于1:3,或者等于1:7,或者小于1:3且大于1:7。
2.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述第一磁性件和所述第二磁性件组成的磁路系统的中心磁束密度大于160mT小于200mT,或者等于160mT,或者等于200mT。
3.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述第一磁性件和所述第二磁性件均为添加稀土的永磁合金。
4.根据权利要求3所述的磁控管装置,其特征在于,所述第一磁性件和所述第二磁性件的材质相同或不同。
5.根据权利要求3所述的磁控管装置,其特征在于,所述永磁合金为钐钴合金、铝镍钴合金、钕铁硼合金中的任一种;所述稀土为镨、钕、钐、铽、镝中的任一种。
6.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述第一磁性件和所述第二磁性件的厚度相同或不同。
7.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述磁路组件包括:
底座,所述第一磁性件套设于所述真空管组件且与所述底座止抵配合;
支架,所述支架设于所述底座且与所述底座之间限定有所述容纳空间,所述第二磁性件套设于所述真空管组件且与所述支架止抵配合,
其中,所述底座与所述支架榫卯连接。
8.根据权利要求7所述的磁控管装置,其特征在于,所述底座的边沿具有向上延伸的配合翻边,所述配合翻边上设有梯形缺口,所述支架的底部边沿具有向容纳空间内部延伸的梯形凸块,所述梯形凸块与所述梯形缺口插接配合。
9.根据权利要求7所述的磁控管装置,其特征在于,所述支架和所述底座均为导磁性材料件。
10.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,还包括:屏蔽盒组件,所述屏蔽盒组件设于所述磁路组件外侧,且所述真空管组件的至少一部分伸出所述容纳空间与所述屏蔽盒组件配合。
11.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,还包括:散热组件,所述散热组件套设于所述真空管组件的外表面且与所述真空管组件过盈配合。
12.一种微波炉,其特征在于,包括根据权利要求1-11中任一项所述的磁控管装置。
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