[发明专利]一种有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110346875.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN112937065A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 叶振强;曾小亮;李俊伟;张晨旭;张月星;许建斌;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | B32B37/12 | 分类号： | B32B37/12;B32B38/00;B32B9/00;B32B9/04;B32B7/12;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 石墨 界面 材料 制备 方法 | ||
1.一种有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)、将石墨膜或石墨烯膜表面一侧涂覆一层粘结剂；
(2)、将硅胶垫与涂覆有粘结剂石墨膜或石墨烯膜的一侧进行贴合；
(3)、将步骤(2)得到硅胶垫样品的一侧的表面涂覆一层粘结剂；
(4)、再将新的石墨膜或石墨烯膜与步骤(3)得到样品进行贴合；
(5)在步骤(4)获得样品的基础上，重复步骤(1)～(3)，获得堆叠结构的有机硅/石墨烯热界面材料。
2.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，还包括步骤(6)，将步骤(5)获得的堆叠结构的有机硅/石墨烯热界面材料样品沿着叠层厚度方向切割成薄片，薄片厚度0.3～3mm。
3.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，还包括步骤(7)，将步骤(6)获得的获得的薄片样品进行打磨抛光处理。
4.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构的有机硅/石墨烯热界面材料中石墨膜或石墨烯膜的体积分数为7.4％～40％，优选为17.2％。
5.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述硅胶垫的厚度为50～200μm，优选为100μm。
6.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述粘结剂的厚度为5～20μm，优选为10μm。
7.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述石墨膜或石墨烯膜的厚度为17～40μm，优选为25μm。
8.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构的有机硅/石墨烯热界面材料的厚度为30mm。
9.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述切割采用超声切割或者线切割。
10.根据权利要求1所述的有机硅/石墨烯热界面材料的制备方法，其特征在于，所述粘结剂为聚丁二烯、聚甲基丙烯酸甲酯，优选为聚丁二烯。
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